光半导体装置的制作方法

光半导体装置本申请是申请日为2009年9月8日、申请号为200910170535.2、发明名称为“光半导体装置及其制造方法”的专利申请的分案申请。技术领域本发明涉及能够用于显示装置、照明器具、显示器、液晶显示器的背光灯光源等发光装置、或能够用于摄影机、数码相机等受光装置等的光半导体装置及其制造方法，尤其涉及薄型/小型之类的光的取出效率或对比度优良、能够得到良好成品率的光半导体装置及其制造方法。

背景技术：
近年来，伴随电子设备的小型化/轻量化，搭载于电子设备的发光装置(发光二极管等)或受光装置(CCD或光电二极管等)等光半导体装置也逐渐向小型化开发。这些光半导体装置例如在绝缘基板的双面分别形成了一对金属导体图案的双面通孔印制电路板上使用。具有如在双面通孔印制电路板载置发光元件或受光元件等光半导体元件，使用丝等电导通金属导通图案和光半导体元件的构造。但是，对于这种光半导体装置，使用双面通孔印制电路板是必要条件。该双面通孔印制电路板至少具有0.1mm左右以上的厚度，因此，成为妨碍表面安装型光半导体装置彻底薄型化的原因。所以，需要开发不使用这种印制电路板的构造的光半导体装置(例如专利文献1)。【专利文献1】日本特开2005-79329号公报。在专利文献1公开的发光装置在基板上通过蒸镀等形成薄的金属膜作为电极，并与发光元件一起利用透光性树脂密封，从而，与现有的表面安装型的发光装置相比，能够实现薄型化。但是，由于仅使用透光性树脂，所以光从发光元件向下表面方向漏出，光的取出效率容易降低。虽然公开了设置研钵状的金属膜来反射光之类的构造，但是，为了设置这种金属膜必须在基板上设置凹凸。从而，由于发光装置小型化，所以该凹凸极其微细，不仅加工困难，也容易产生由于凹凸构造使得基板的剥离时容易破损而使成品率降低等问题。另外，用于显示器等情况下，若仅使用透光性树脂，则对比度容易变差。

技术实现要素：
为了解决以上课题，本发明的光半导体装置的制造方法的特征在于，包括：在支承基板上形成多个相互远离的第一及第二导电构件的第一工序；在第一及第二导电构件之间设置由遮光性树脂构成的基体的第二工序；在第一及/或第二导电构件上载置光半导体元件的第三工序；用由透光性树脂构成的密封构件覆盖光半导体元件的第四工序；除去支承基板之后，将光半导体装置分片化的第五工序。由此，能够容易地形成光取出效率优良的薄型的光半导体装置。另外，本发明的光半导体装置，其特征在于，具有：光半导体元件；第一导电构件，其上表面载置光半导体元件，下表面形成光半导体装置的外表面；第二导电构件，其远离第一导电构件，下表面形成光半导体装置的外表面；基体，其设置在第一导电构件和第二导电构件之间且由遮光性树脂构成；密封构件，其密封光半导体元件且由透光性树脂构成，第一及第二导电构件为镀敷件。由此，能够成为薄型的光半导体装置。发明效果根据本发明，能够成品率良好地形成薄型的光半导体装置。另外，即使为薄型的光半导体装置，也能够防止来自发光元件的光从下表面侧漏出，得到光的取出效率提高了的光半导体装置及对比度提高了的光半导体装置。附图说明图1A是表示本发明的光半导体装置的整体及内部的立体图。图1B是图1A的光半导体装置的A-A’截面的剖视图及局部放大图。图2A～2H是说明本发明的光半导体装置的制造方法的工序图。图3A是表示本发明的光半导体装置的整体及内部的立体图。图3B是图3A的光半导体装置的B-B’截面的剖视图。图4A～4D是说明本发明的光半导体装置的制造方法的工序图。图5是表示本发明的光半导体装置的整体及内部的立体图。图6A是表示本发明的光半导体装置的立体图。图6B是图6A的光半导体装置的C-C’截面的剖视图。图7A是本发明的光半导体装置的剖视图。图7B是图7A的光半导体装置的局部放大剖视图。符号说明：100、200、300、400、500-光半导体装置(发光装置)101、101’、201、301、401、501-第一导电构件102、202、302、402、502-第二导电构件103、203、303、403、503-光半导体元件(发光元件)104、204、304、404、504-密封构件105、105’、205、205’、305、405、505-导电丝106、206、306、406、506-基体206a-基体的底面部206b-基体的突出部210、310-保护元件1000、2000-光半导体装置的集合体1010、2010-第一导电构件1020、2010-第二导电构件1030、2030-光半导体元件(发光元件)1040、2040-密封构件1050、2050-导电性丝1060、2060-基体2060a-基体的底部2060b-基体的突出部1070、2070-支承基板1080-保护膜(抗蚀剂)1090-掩膜X、Y-突起部S1、S2-凹部具体实施方式以下，参照附图说明用于实施本发明的最佳方式。但是，以下所示的方式仅是对本发明的光半导体装置及其制造方法的例示，并不是将本发明限定于以下方式。另外，本说明书并没有将权利要求书公开的构件限定于实施方式的构件。特别是，在实施方式记载的结构部件的尺寸、材质、形状、其相对配置等只要没有限定的记载，就不是将本发明的范围限定于其的意思，仅仅是说明例。此外，各图面所示的构件的大小和位置关系等为了清楚地进行说明而夸张示出。并且，在以下的说明中，对同一名称、符号表示同一或相同性质的构件，适当省略详细说明。<实施方式1>在图1A、图1B示出了本实施方式的光半导体装置(发光装置)100。图1A是发光装置100的立体图，图1B是表示图1A所示的发光装置100的A-A’截面的剖视图。在本实施方式中，如图1A、图1B所示，发光装置100具有：发光元件103；与发光元件103电连接的第一导电构件101、101’；与第一导电构件101、101’远离，且载置有发光元件103的第二导电构件102；覆盖发光元件103，并且与第一导电构件101、101’及第二导电构件102相接的密封构件104。并且，其特征在于，在第一导电构件101、101’和第二导电构件102之间具有由能够遮挡来自发光元件103的光的树脂构成的基体106。(基体106)在本实施方式中，基体106为通过添加具有遮光性的各种填充材料等而能够遮挡来自发光元件103的光的树脂，其设置在第一导电构件101、101’和第二导电构件102之间。通过在上述位置设置遮光性的基体106，能够抑制来自发光元件103的光从发光装置100的下表面侧向外部漏出，从而能够提高光向上表面方向的取出效率。基体106的厚度只要能够抑制光向发光装置100的下表面侧泄露的厚度即可。另外，基体106优选设置为与第一导电构件101、101’的侧面和第二导电构件102的侧面两方相接，即，密封构件104不夹设在第一导电构件101、101’与基体106、第二导电构件102与基体106之间。第一导电构件101、101’和第二导电构件102的宽度与发光装置100的宽度不同的情况下，例如，如图1A所示，第一导电构件101、101’的宽度比发光装置100的宽度窄，该第一导电构件101、101’的侧面与发光装置100的侧面远离的情况下，也可以在该部分设置基体。通过如此设置，发光装置100的下表面以第一导电构件101、101’、基体106、第二导电构件102作为外表面而形成，从而能够有效抑制光向下表面方向的泄露。只要能够遮挡来自发光元件的光，基体106可以使用任意构件。但是，优选与后述的支承基板的线膨胀系数的差小的构件。进而，优选使用绝缘性构件。作为优选的材料，可以使用热硬化性树脂、热塑性树脂等树脂。特别是，导电构件的膜厚为25μm～200μm左右的极薄的厚度的情况下，优选热硬化性树脂，由此，能够得到极其薄型的基体。进而，具体而言，可以举出如：(a)环氧树脂组成物、(b)硅酮树脂组成物、(c)硅酮改性环氧树脂等改性环氧树脂组成物、(d)环氧改性硅酮树脂等改性硅酮树脂组成物、(d)聚酰亚胺树脂组成物、(f)改性聚酰亚胺树脂组成物等。尤其优选热硬化性树脂，优选在日本特开2006-156704号公报记载的树脂。例如，优选热硬化性树脂中的环氧树脂、改性环氧树脂、硅酮树脂、改性硅酮树脂、丙烯酸酯树脂、聚氨酯树脂等。具体而言，优选使用固态形状环氧树脂组成物，该固态形状环氧树脂组成物包含将(i)含有三缩水甘油异氰酸酯、氢化双酚A二缩水甘油基醚的环氧树脂和(ii)含有六氢对苯二甲酸酐、3-甲基六氢对苯二甲酸酐、4-甲基六氢对苯二甲酸酐的酸酐物以成为当量的方式溶解混合的无色透明的混合物。并且优选，相对于这些混合物100重量份，添加作为硬化催化剂的DBU(1，8-Diazabicyclo(5，4，0)undecene-7)0.5重量份、作为助催化剂的乙二醇1重量份、氧化钛颜料10重量份、玻璃纤维50重量份，并通过加热使其局部硬化反应，B步骤化的固态形状环氧树脂组成物。另外，优选国际公开号WO2007/015426号公报记载的、以含有三嗪衍生物环氧树脂的环氧树脂作为必要成分的热硬化性环氧树脂组成物。例如，优选含有1，3，5-三嗪核衍生物环氧树脂。特别是，具有异氰酸酯环的环氧树脂在耐光性和电绝缘性方面优异。相对于一个异氰酸酯环，优选具有2价的，更优选具有3价的环氧基。具体而言，可以使用三(2，3-环氧丙醇)异氰酸酯、三(α-甲基缩水甘油)异氰酸酯等。优选三嗪衍生物环氧树脂的软化点为90～125℃。另外，对这些三嗪衍生物环氧树脂也可以并用氢化环氧树脂或其他环氧树脂。进而，硅酮树脂组成物的情况下，优选含有甲基硅酮树脂的硅酮树脂。特别是，对使用三嗪衍生物环氧树脂的情况进行具体说明。优选对三嗪衍生物环氧树脂使用用作硬化剂的酸酐物。特别是，通过使用非芳香族，且不具有碳碳双键的酸酐物能够提高耐光性。具体而言，可例举六氢对苯二甲酸酐、甲基六氢对苯二甲酸酐、三烷基四氢苯二甲酸酐、氢化甲基4-降冰片烯-1，2-二羧酸酐物等。尤其优选甲基六氢对苯二甲酸酐。另外，优选使用抗氧化剂，例如，可以使用苯酚系、硫系的抗氧化剂。另外，作为硬化催化剂，可以使用作为环氧树脂组成物的硬化催化剂公知的催化剂。并且，可以向这些树脂中混入赋予遮光性的填充剂或根据需要混入各种添加剂。在本发明中，包含这些而称为构成基体106的遮光性树脂。例如，作为填充材料(填充剂)混入TiO2、SiO2、Al2O3、MgO、MgCO3、CaCO3、Mg(OH)2、Ca(OH)2等微粒子等，从而能够调整透光率。优选调整为遮挡来自发光元件的光的约60％以上，更优选遮挡约90％。此外，可以通过基体106对光进行反射或吸收。将光半导体装置用于照明等用途时，与吸收相比，优选通过反射来遮光。该情况下，优选针对来自发光元件的光的反射率为60％以上，更优选90％以上。如上所述的各种填充材料可以仅使用一种、或者组合两种以上来使用。例如，可以采用将用于调整反射率的填充材料和后述的用于调整线膨胀系数的填充材料并用等使用方法。例如，使用TiO2作为白色的填充剂时，优选的是以10～30wt％进行配合，更优选的是以15～25wt％进行配合。TiO2可以使用金红石形、锐钛形任一种。从遮光性或耐光性的观点出发优选金红石形。进而，在想要提高分散性、耐光性的情况下，可以使用利用表面处理而改性的填充材料。对含有TiO2的填充材料的表面处理可以使用氧化铝、二氧化硅、氧化锌等水合氧化物、氧化物等。另外，除这些之外，作为填充剂优选将SiO2设在60～80wt％范围内使用，更优选以65～75wt％使用。另外，作为SiO2，优选比结晶性二氧化硅线膨胀系数小的非晶质二氧化硅。另外，优选粒径为100μm以下的填充材料，更优选为60μm以下的填充材料。并且，优选形状为球形的填充材料，由此，能够提高基体成型时的填充性。另外，在用于显示器等情况下，打算提高对比度时，优选来自发光元件的光的吸收率为60％以上，更优选吸收90％以上的填充材料。在这种情况下，作为填充材料，可以根据目的使用(a)乙炔黑、活性炭、石墨等碳、或(b)氧化铁、二氧化锰、氧化钴、氧化钼等过渡金属氧化物、或(c)有色有机颜料等。另外，基体的线膨胀系数优选控制为与进行分片化之前除去(剥离)的支承基板的线膨胀系数的差小。基体的线膨胀系数相对于支承基板的线膨胀系数优选为0.5～2倍。另外，基体的线膨胀系数和支承基板的线膨胀系数的差优选为30％以下，更优选10％以下的差。作为支承基板使用SUS板的情况下，优选线膨胀系数的差为20ppm以下，更优选10ppm以下。该情况下，优选将填充材料配合为70wt％以上，优选配合为85wt％以上。由此，能够控制(缓和)支承基板与基体的残余应力，因此，能够减少分片化前的光半导体的集合体的翘曲。通过减少翘曲，能够降低导电性丝的切断等内部损伤，另外，能够抑制进行分片化时的位置偏移，从而成品率良好地进行制造。例如，优选将基体的线膨胀系数调整为5～25×10-6/K，更优选调整为7～15×10-6/K。由此，能够容易地抑制在基体成型后、冷却时产生的翘曲，能够成品率良好地进行制造。此外，在本说明书中，基体的线膨胀系数是指包含被各种填充剂等调整了的遮光性树脂的基体的玻璃转移温度以下的线膨胀系数。该温度区域中的基体的线膨胀系数优选接近支承基板的线膨胀系数。另外，从其他观点出发，基体的线膨胀系数优选控制为与第一及第二导电构件的线膨胀系数的差小。相对于导电构件的线膨胀系数，基体的线膨胀系数优选为0.5～2倍。另外，基体的线膨胀系数与第一及第二导电构件的线膨胀系数的差优选为40％以下，更优选为20％以下的差。由此，在分片化后的光半导体装置中，抑制了第一及第二导电构件与基体剥离的情况，能够得到可靠性优良的光半导体装置。(第一导电构件101、101’/第二导电构件102)第一及第二导电构件作为用于向光半导体元件通电的一对电极发挥作用。在本方式中，第一导电构件101、101’使用光半导体元件(发光元件)和导电丝或撞击件等进行电连接，作为用于从外部供给电力的电极发挥作用。另外，第二导电构件102是将发光元件直接或通过辅助固定件等其他构件间接载置于其上的构件，作为支承体发挥作用。第二导电构件可以仅起到载置发光元件的作用而对通电不作贡献。或者，第二导电构件也可以对向发光元件或保护元件的通电起作用(即，作为电极发挥作用)。在实施方式1中，第二导电构件作为不对导通起作用的支承体发挥作用。在本方式中，第一导电构件、第二导电构件均以在光半导体装置(发光装置)的下表面形成外表面的方式，即没有被密封构件等覆盖地露出在外部(下表面)的方式设置。对第一导电构件、第二导电构件的俯视下的形状、大小等均可以根据发光装置的大小或载置的发光元件等的数量和大小等任意选择。另外，对于膜厚，优选第一导电构件和第二导电构件为大致相等的膜厚。具体而言，优选为25μm以上200μm以下，更优选50μm以上100μm以下。具有这种厚度的导电构件优选为通过镀敷方法而形成的镀敷件(镀敷层)，尤其优选层叠而成的镀敷件(层)。(第一导电构件101、101’)在本方式中，如图1A所示，第一导电构件101、101’在俯视下大致四边形的发光装置100的对置的两个边侧各设置一个。将第二导电构件102夹在第一导电构件101和第一导电构件101’之间。在第一导电构件101、101’和第二导电构件102之间夹设基体106。在此，第二导电构件102不对通电作贡献而作为发光元件103的支承体起作用，因此，用两个第一导电构件101、101’构成正负一对电极来发挥作用。第一导电构件101、101’具有经由导电性丝105、105’和发光元件103电连接的上表面和形成发光装置100的外表面的下表面。即，第一导电构件101、101’被设置为没有被基体106覆盖而露出在外部。第一导电构件101、101’的上表面是接合用于与发光元件103电连接的导电丝105、105’的部分，其至少具有接合所需的面积即可。另外，第一导电构件101、101’的上表面可以如图1B等所示为平坦的平面，或者也可以有微细的凹凸、槽或孔等。另外，在不使用导电性丝，将发光元件的电极和第一导电构件直接电连接的情况下，以具有能够接合发光元件的电极的区域的大小的方式来设置第一导电构件。第一导电构件101、101’的下表面形成光半导体装置的外表面，优选实质上平坦的面。但是，也可以形成微细的凹凸等。另外，第一导电构件101、101’的侧面均可以为平坦的面。但是，若考虑与基体106的密接性等，优选在第一导电构件101、101’的内侧的侧面具有如图1A的局部放大图所示的突起部X。突起部X优选设置在远离第一导电构件101、101’的下表面的位置，由此，不易发生第一导电构件101、101’从基体106脱落等问题。另外，代替突起部，使第一导电构件和第二导电构件的侧面倾斜以使第一导电构件和第二导电构件的下表面比上表面窄，从而能够抑制上述脱落。只要是第一导电构件101、101’的周围中与发光装置100的外表面不同的位置，突起部X可以设置在任意位置。例如，可以仅设置在俯视下四边形的导电构件的对置的两个侧面等局部地设置。另外，为了更可靠地防止脱落，优选除形成外表面的面，在遍及导电构件的周围整体形成。(第二导电构件102)在本方式中，如图1B所示，第二导电构件102是具有载置发光元件103的上表面和形成发光装置100的外表面的下表面。另外，在本方式中，第二导电构件102不作为电极发挥作用。因此，如图1A所示，可以设置为其侧面完全被基体106覆盖，即，设置为远离发光装置100的侧面。由此，在通过切断而得到分片化的发光装置之际，能够以切断刃不与第二导电构件102接触的方式进行切断，因此，容易切断。另外，第二导电构件102的一部分形成发光装置100的外表面，即，可以设置为到达发光装置100的侧面(未图示)。第二导电构件102搭载有发光元件103，因此，可以通过加大面积，提高散热性。第二导电构件102的上表面具有能够载置发光元件103的面积以上的面积即可。除如图1A所示的俯视下的大致四边形外，可以为多边形、波形、或有切口的形状等各种形状。另外，优选载置发光元件103的区域为平坦的面。在第二导电构件102的上表面除发光元件外，还可载置保护元件等。第二导电构件102的侧面可以为平坦的面，但考虑与基体106的密接性等情况，优选与第一导电构件相同，具有如图1B所示的突起部X。该突起部X优选设置在远离第二导电构件102的下表面的位置，由此，不易产生第二导电构件102从基体106脱落等问题。突起部X可以设置在第二导电构件102的周围的任意位置。例如，可以仅设置在俯视下四边形的第二导电构件102的对置的两个侧面等，进行局部地设置。另外，为了更可靠地防止脱落，优选遍及第二导电构件102的周围整体形成。第一导电构件101、101’和第二导电构件102优选使用相同材料，由此能够减少工序。但是，也可以使用不同的材料。作为具体的材料，可举出：铜、铝、金、银、钨、钼、铁、镍、钴等金属或这些的合金(铁-镍合金等)、磷青铜、含铁铜(鉄入り銅)、Au-Sn等共晶软钎料、SnAgCu、SnAgCuIn等软钎料、ITO等。软钎料材料中，优选调整为：软钎料粒子暂时熔融凝固，利用软钎焊而接合的金属和软钎料合金化而使融点上升，回流安装时等追加的热处理时也不会再溶解的组成。这些可以作为单体或合金使用。进而，也可以进行层叠(镀敷)等设置多层。例如，使用发光元件作为半导体元件时，优选在导电构件的最表面使用能够反射来自发光元件的光的材料。具体而言，优选金、银、铜、Pt、Pd、Al、W、Mo、Ru、Rh等。进而，最表面的导电构件优选为高反射率、高光泽的构件。具体而言，可视区域的反射率优选为70％以上，上述情况下，优选使用Ag、Ru、Rh、Pt、Pd等。另外，优选导电构件的表面光泽好。优选的光泽度为0.5以上，更优选为1.0以上。在此示出的光泽度是使用日本电色工业制的微小面色差计VSR300A在45°照射、测定区域为Φ0.2mm、垂直受光的情况下得到的数字。另外，优选在导电构件的支承基板侧使用向电路基板等的安装有利的Au、Sn、Sn合金、AuSn等共晶软钎料镀敷件等材料。另外，可以在导电构件的最表面(最上层)和支承基板侧(最下层)之间形成中间层。为了提高导电构件和发光装置的机械强度，优选将耐腐蚀性高的金属例如Ni用于中间层。另外，为了提高散热性，优选将热传导系数高的铜用于中间层。从而，优选根据目的或用途，将适当的材料用于中间层。对于该中间层，除上述的金属之外，也可以使用Pt、Pd、Al、W、Ru、Pd等。作为中间层，可以层叠与最上层和最下层的金属密接性好的金属。对中间层的膜厚，优选形成为比最上层和最下层厚。特别是，优选以导电构件整体膜厚的80％～99％的范围的比率形成，更优选在90％～99％的范围。特别是，在由金属构成镀敷层的情况下，根据其组成规定线膨胀系数，因此，优选最下层和中间层比较接近支承基板的线膨胀系数。例如，作为支承基板，使用线膨胀系数为10.4×10-6/K的SUS430的情况下，其上的导电构件可以设为含有如下所述的金属(作为主要成分)的层叠构造。优选为从最下层侧开始层叠线膨胀系数14.2×10-6/K的Au(0.04～0.1μm)、作为第一中间层的线膨胀系数12.8×10-6/K的Ni(或线膨胀系数16.8×10-6/K的Cu)(25～100μm)、作为第二中间层的Au(0.01～0.07μm)、作为最上层的线膨胀系数119.7×10-6/K的Ag(2～6μm)等层叠构造。最上层的Ag的线膨胀系数与其他层的金属有较大不同，但是，以来自发光元件的光的反射率为优先，因此使用Ag。将最上层的Ag设置为极其薄的厚度，因此，针对翘曲的影响极其微弱。从而，实用上没有问题。(密封构件104)密封构件104覆盖发光元件，并且，与第一导电构件101、101’及第二导电构件102相接。密封构件是保护发光元件、受光元件、保护元件、导电性丝等电子部件不受尘埃、水分、外力等侵入的构件。作为密封构件104的材料，优选具有使来自发光元件103的光能够透过的透光性，并且，在上述基础上具有不易劣化的耐光性。作为具体的材料，可以例举硅酮树脂组成物、改性硅酮树脂组成物、环氧树脂组成物、改性环氧树脂组成物、丙烯树脂组成物等具有能够使来自发光元件的光透过的透光性的绝缘树脂组成物。另外，可以使用硅酮树脂、环氧树脂、脲醛树脂、氟树脂及包含至少一种以上这些树脂的混合树脂等。此外，并不限于上述有机物，也可以使用玻璃、二氧化硅溶胶等无机物。除上述材料之外，根据需要，也可以含有着色剂、光扩散剂、光反射材料、各种填充剂、波长变换构件(荧光构件)等。密封构件的填充量为覆盖上述电子部件的量即可。密封构件104的外表面的形状可以根据配光特性等进行各种选择。例如，可以通过将上表面设置为凸状透镜形状、凹状透镜形状、菲涅耳透镜形状等调整指向特性。另外，除密封构件104之外，也可以设置透镜构件。并且，在使用加入荧光体的成形体(例如，加入荧光体的板状成形体、加入荧光体的穹顶状成形体等)情况下，作为密封构件104优选选择与加入荧光体的成形体的密接性优良的材料。作为加入荧光体的成形体除树脂组成物之外，还可以使用玻璃等无机物。此外，主要对用于发光装置的密封构件104进行说明，但对受光装置也大致与上述相同。受光装置的情况下，以提高光的入射效率、或避免在受光装置内部的2次反射为目的，在密封构件也可以含有白色或黑色等有色填充剂。另外，优选在红外线发光装置和红外线检测装置中，为避免可视光的影响使用含有黑色的有色填充剂的密封构件。(接合构件)接合构件(未图示)是用于在第一导电构件101、101’和第二导电构件102上载置并连接发光元件、受光元件、保护元件等的构件。可以根据载置的元件的基板选择导电性接合构件或绝缘性接合构件的任一种。例如，在作为绝缘性基板的蓝宝石上层叠氮化物半导体层的半导体发光元件的情况下，接合构件可以为绝缘性或导电性。使用SiC基板等导电性基板的情况下，可以通过使用导电性的接合构件实现导通。作为绝缘性的接合构件，可以使用环氧树脂组成物、硅酮树脂组成物、聚酰亚胺树脂组成物、它们的改性树脂、混合树脂等。使用上述树脂的情况下，考虑因来自半导体发光元件的光和热而产生的劣化，可以在发光元件背面设置Al或Ag膜等反射率高的金属层或电介质反射膜。在该情况下，可以使用蒸镀、溅射、将薄膜接合等方法。另外，作为导电性的接合构件，可以使用银、金、钯等导电性膏剂、或Au-Sn共晶等软钎料、低融点金属等钎料。进而，在这些接合构件中，尤其使用透光性的接合构件时，其中也可以含有吸收来自半导体发光元件的光发出不同的波长的光的荧光构件。(导电性丝105、105’)作为连接发光元件103的电极和第一导电构件101、101’或第二导电构件102的导电性丝，可以使用金、铜、铂、铝等金属及它们的合金。尤其优选使用热阻等优良的金。(波长变换构件)在上述密封构件中，作为波长变换构件，可以含有吸收来自半导体发光元件的光的至少一部分并发出具有不同的波长的光的荧光构件。作为荧光构件，将来自半导体发光元件的光变换为更长的波长的情况有效。但是，并不限于此，可以使用将来自半导体发光元件的光变换为短波长、或者将通过其他荧光构件变换的光进一步变换等各种荧光构件。这种荧光构件可以为将一种荧光物质等以单层形成，也可以将两种以上的荧光物质等混合的单层来形成，可以将含有一种荧光物质等的单层层叠两层以上，也可以将两种以上的荧光物质等分别混合的单层层叠两层以上。作为发光元件使用将氮化物系半导体作为发光层的半导体发光元件的情况下，可以使用吸收来自该发光元件的光变换为不同的波长的光的荧光构件。例如，可以使用以Eu、Ce等镧系元素为主被赋予活性的氮化物系荧光体或氧氮化物荧光体。更具体而言，优选从下述选出一项以上，(a)Eu被赋予活性的α或β硅铝氧氮陶瓷荧光体、各种碱土金属氮化硅酸盐、各种碱土金属氮化铝硅(例：CaSiAlN3：Eu、SrAlSi4N7：Eu等)、(b)Eu等镧系元素、利用Mn等过渡金属系的元素主要赋予活性的碱土金属卤代磷灰石、碱土金属的卤代硅酸盐、碱土金属硅酸盐、碱土金属硼酸卤、碱土金属铝酸盐、碱土金属硫化物、碱土金属硫代棓酸酯、碱土金属氮化硅、锗酸盐、或(c)以Ce等镧系元素为主被赋予活性的稀土类铝酸塩、稀土类硅酸盐、碱土金属稀土类硅酸盐、(d)以Eu等镧系元素为主被赋予活性的有机及有机络合物等。优选的是，以Ce等镧系元素为主被赋予活性的稀土类铝酸盐荧光体即YAG系荧光体。YAG系荧光体用Y3Al5O12：Ce、(Y0.8Gd0.2)3Al5O12：Ce、Y3(Al0.8Ga0.2)5O12：Ce、(Y，Gd)3(Al，Ga)5O12等组合式表示。另外，也有将Y的一部分或全部用Tb、Lu等置换的Tb3Al5O12：Ce、Lu3Al5O12：Ce等。并且，也可以使用上述荧光体以外的荧光体，即使用具有同样的性能、作用、效果的荧光体。另外，可以使用将荧光体涂敷在玻璃、树脂组成物等其他成形体。并且，也可以使用放入荧光体的成形体。具体而言，可以使用放入荧光体的玻璃、YAG烧结体、YAG和Al2O3、SiO2、B2O3等烧结体、无机融液中析出YAG的结晶化无机松散体等。也可以使用将荧光体用环氧、硅酮、混合树脂等一体成形的材料。(半导体元件103)在本发明中，作为半导体元件103可以使用在同一面侧形成正负电极的构造、或在不同的面形成正负电极的构造、贴合与成长基板不同的基板的构造等各种构造的半导体元件。优选使用具有上述构造的半导体发光元件(简称发光元件或发光二极管)或半导体受光元件(简称受光元件)。半导体发光元件103可以选择任意的波长的元件。例如，对蓝色、绿色的发光元件可以使用ZnSe、氮化物系半导体(InXAlYGa1-X-YN、0≤X、0≤Y、X+Y≤1)、GaP。另外，作为红色的发光元件可以使用GaAlAs、AlInGaP等。并且，也可以使用包含除此之外的材料的半导体发光元件。使用的发光元件的组成或发光色、大小、个数等可以根据目的适当地选择。具有荧光物质的发光装置的情况下，优选能够将该荧光物质有效地激励的能够发出短波长的光的氮化物半导体(InXAlYGa1-X-YN、0≤X、0≤Y、X+Y≤1)。可以根据半导体层的材料和其混晶度对发光波长进行各种选择。另外，不仅可视光区域的光，也可以使用输出紫外线或红外线的发光元件。并且，也可以与发光元件一起或单独搭载受光元件等。作为受光元件，可以举出光集成电路、光电二极管、光电晶体管、CCD(电荷耦合器件)摄像传感器、CMOS摄像传感器、Cd元件等。(支承基板)支承基板(在图1A、1B中未图示)是为了形成第一及第二导电构件而使用的板状或片状构件。支承基板在进行分片化之前除去，因此，光半导体装置不具备支承基板。作为支承基板，除SUS板等具有导电性的金属板以外，可以使用通过溅射法或蒸镀法在聚酰亚胺等绝缘性板形成导电膜的结构，或者，可以使用能够粘贴金属薄膜等的绝缘性板状构件。在任一种情况下，支承基板均在工序的最终阶段除去。即，支承基板必须从第一及第二导电构件101，101’、102和基体106剥下。因此，作为支承基板，必须使用能够折弯的构件，优选根据材料使用膜厚10μm～300μm左右的板状构件。作为支承基板，除上述的SUS板之外，优选铁、铜、银、科瓦铁镍钴合金、镍等金属板、或能够粘贴金属薄膜等的含有聚酰亚胺的树脂片等。尤其优选马氏体系、铁素体系、奥氏体系等各种不锈钢。尤其优选的是铁素体系的不锈钢。特别优选的是，400系、300系的不锈钢。更加具体而言，优选使用SUS430(10.4×10-6/K)、SUS444(10.6×10-6/K)、SUS303(18.7×10-6/K)、SUS304(17.3×10-6/K)等。400系的不锈钢在作为镀敷的前处理进行酸处理时，与300系相比，表面容易粗糙。从而，在进行了酸処理的400系的不锈钢上形成镀敷层时，该镀敷层的表面也容易变得粗糙。由此，能够使密封构件和构成基体的树脂的密接性良好。另外，300系在酸处理时，表面不易粗糙。因此，如果使用300系的不锈钢，则容易提高镀敷层的表面的光泽度，由此，能够提高来自发光元件的反射率成为光取出效率高的发光装置。另外，在提高第一、第二导电构件的表面光泽的情况下，使用镀敷、蒸镀、溅射等方法来形成。为了进一步提高光泽度，支承基板的表面优选平滑的表面。例如，作为支承基板使用SUS的情况下，通过使用晶界比较小的第300号SUS，能够得到表面光泽好的导电构件的最表面。另外，为了缓和树脂成形后的翘曲，可以对支承基板实施切口、槽、波形状的加工。<制造方法1-1>以下，结合附图说明本发明的发光装置的制造方法。图2A～2H是说明形成发光装置的集合体1000的工序的图。通过切断该集合体1000进行分片化，能够得到实施方式1说明的发光装置100。1.第一工序首先，如图2A所示，准备由金属板等构成的支承基板1070。在该支承基板的表面涂敷抗蚀剂1080作为保护膜。根据该抗蚀剂1080的厚度调整之后形成的第一导电构件和第二导电构件的厚度。此外，在此，仅在支承基板1070的上表面(形成第一导电构件等一侧的面)设置抗蚀剂1080，也可以进一步在下表面(相反侧的面)形成。该情况下，通过在相反侧的面的大致整个面设置抗蚀剂，从而能够防止因后述的镀敷而在下表面形成导电构件的情况。此外，使用的保护膜(抗蚀剂)是用光刻法形成的抗蚀剂的情况下，可以使用正型、负型的任一种。在此，对使用正型的抗蚀剂的方法进行说明，当然也可以将正型、负型组合使用。另外，可以使用利用丝网印刷形成的抗蚀剂或粘贴片状的抗蚀剂等方法。将涂敷的抗蚀剂干燥后，直接或间接地在其上部配置具有开口部的掩膜1090，如图中的键头所示照射紫外线而曝光。在此使用的紫外线可以根据抗蚀剂1070的灵敏度等选择适当的波长。然后，通过用蚀刻剂处理，形成如图2B所示具有开口部K的抗蚀剂1080。在此，若需要可以进行酸活性处理等。接着，使用金属进行镀敷，如图2C所示，在抗蚀剂1080的开口部K内形成第一导电构件1010和第二导电构件1020。此时，通过调整镀敷条件，可以比抗蚀剂1080的膜厚厚地进行镀敷。由此，将导电构件形成到抗蚀剂(保护膜)的上表面，从而可以形成如图1A所示的突起部X。作为镀敷方法，可以根据所使用的金属或根据目的的膜厚或平坦度用该领域公知的方法进行适当选择。例如，可以使用电镀、非电镀等。尤其优选使用电镀，由此，容易除去抗蚀剂(保护膜)，并容易以均一的形状形成导电构件。另外，为了提高与最表层(例如Ag)的密接性，优选通过触击电镀在其下层形成中间层(例如Au、Ag)。在镀敷后，通过清洗保护膜1080而进行除去，从而，形成如图2D所示相互远离的第一导电构件1010及第二导电构件1020。此外，该突起部X除上述的镀敷之外，可以通过压溃加工、金属膏剂印刷后的烧结加工方法等来形成。2.第二工序接着，如图2E所示，在第一导电构件1010和第二导电构件1020之间设置能够反射来自发光元件的光的基体1060。基体可以通过注射成形、压铸成形、挤压成形等方法来形成。例如，在通过压铸成形来形成基体1060时，将形成了多个第一及第二导电构件的支承基板以插入包括上模及下模的模具内的方式进行安置。此时，可以通过脱模片等安置于模具内。在模具内插入作为基体的原料的树脂颗粒，加热支承基板和树脂颗粒。在树脂颗粒熔融后，进行加压将其填充于模具内。加热温度和加热时间以及压力等可以根据所使用的树脂的组成等进行适当调整。硬化后从模具取出，从而能够得到图2E所示的成形件。3.第三工序接着，如图2F所示，使用结合构件(未图示)将发光元件1030接合到第二导电构件1020上，并使用导电性丝1050与第一导电构件1010连接。此外，在此，使用在同一面侧具有正负电极的发光元件，但是，也可以使用正负电极在不同的面形成的发光元件。4.第四工序然后，通过压铸成形、浇灌、印刷等方法形成密封构件1040，以覆盖发光元件1030、导电性丝1050。此外，在此，密封构件为一层构造，但是，也可以为组成、特性不同的两层以上的多层构造。将密封构件1040硬化后，如图2G所示，剥开支承基板1070并除去。5.第五工序经由以上的工序，能够得到图2H所示的半导体装置(发光装置)的集合体1000。最后，在图2H中的虚线所示的位置进行切断并分片化，从而能够得到例如图1A所示的发光装置100。作为分片化的方法，可以使用由刀片进行的切割、由激光进行的切割等各种方法。此外，在图2H中，在包括导电构件的位置进行切断，但是，并不限于此，也可以在从导电构件远离的位置进行切断。若在包括导电构件的位置进行切断，则在光半导体装置的侧面露出导电构件，软钎料等变得容易接合。另外，在从导电构件远离的位置切断的情况下，被切断的仅为基体或密封构件等树脂，因此，与将导电构件(金属)和树脂一起切断相比，能够容易地切断。<制造方法1-2>在制造方法1-2中，对利用蚀刻法形成第一导电构件及第二导电构件的方法进行说明。在聚酰亚胺等绝缘性构件构成的板状的支承基板上粘贴铜箔等导电性构件的薄膜。并且，在该导电性构件上粘贴片状的保护膜(干燥抗蚀剂片等)，使用具有开口部的掩膜进行曝光，使用弱碱溶液等清洗液除去曝光了的部分的保护膜。由此，在导电性构件上形成具有开口部的保护膜。接着，通过支承基板浸渍于能够对导电性构件进行蚀刻的蚀刻液中，对导电构件进行蚀刻。最后，通过除去保护膜，在支承基板上形成相互远离的第一及第二导电构件。<实施方式2>图3A、图3B示出了实施方式2的光半导体装置(发光装置)200。图3A是表示本发明的发光装置200的内部的立体图，图3B是密封了图3A的发光装置200的凹部的状态的B-B’截面的剖视图。在实施方式2中，发光装置200具有：(a)发光元件203及保护元件210、(b)与发光元件203及保护元件210电连接的第一导电构件201、(c)远离第一导电构件201并载置发光元件203的第二导电构件202、(d)覆盖发光元件203并且与第一导电构件201及第二导电构件202相接的密封构件204。第一导电构件201及第二导电构件202的各自的下表面形成发光装置200的外表面。并且，第一导电构件201和第二导电构件202的侧面的一部分也形成发光装置200的外表面。并且，在第一导电构件201和第二导电构件202之间，形成由能够遮挡来自发光元件203的光的树脂构成的基体206。该基体206具有在第一导电构件201和第二导电构件202之间形成的底面部206a，并且在远离发光元件203的位置，具有比第一导电构件201及第二导电构件202的上表面高的突出部206b。由此，利用基体206的突出部206b，在发光装置200形成凹部S1。利用凹部S1抑制向发光装置200的侧面侧放出光的情况，从而能够朝向上表面方向放出光。如图3B所示，突出部206b优选以形成朝向上表面扩宽的凹部S1的方式使内表面成为倾斜面。由此，能够使光容易地向发光装置的上表面方向反射。此外，在实施方式2中使用的构件等可以使用与实施方式1相同的构件。<制造方法2>以下，结合附图说明本发明的发光装置200的制造方法。图4A～4D是对形成发光装置的集合体2000的工序进行说明的图，通过切断该集合体2000能够得到实施方式2中说明的发光装置200。1.第一工序在制造方法2中，第一工序也可以与制造方法1-1、1-2相同地进行。2.第二工序第二工序如图4A所示，在第二工序中，形成基体的底面部2060a之际，同时形成突出部2060b。此外，尽管在此同时形成，但也可以先形成底面部2060a，接着形成突出部2060b，或者，首先形成突出部2060b，之后形成底面部2060a。两者优选使用同一遮光性树脂，但是，可以根据目的和用途使用不同的遮光性树脂。突出部2060b的形成方法与基体的底面部2060a相同，可以通过使用模具的压铸成形等来形成。此时，作为模具使用具有凹凸的上模，从而能够形成如图4A所示的突出部2060b。3.第三工序在第三工序中，如图4B所示，在突出部2060b所围成的区域的第一导电构件2010上载置发光元件2030。导电性丝2050与由相同的突出部2060b围成的区域的第一及第二导电构件2010的上表面连接。4.第四工序在第四工序中，如图4C所示，向突出部2060b包围而形成的凹部填充由透光性树脂构成的密封构件。由此，用密封构件覆盖发光元件。在此，密封构件2040设为与突出部2060b大致相同高度，但是，并不限于此，也可以形成为比突出部低或高。另外，如上所述，上表面可以为平坦的面，或者，可以形成为中央凹下或突出的曲面状。5.第五工序在第五工序中，通过在图4D所示的虚线部，即切断突出部2060b的位置进行切断而分片化，从而成为图3A所示的光半导体装置200。在此，通过设置在切断突出部2060b而不切断密封构件2040的位置，能够将光的取出方向仅限定在光半导体装置(发光装置)200的上方向。由此，有效进行向上方的光的取出。此外，在此，切断突出部2060，但是，也可以在切断密封构件2040的位置进行切断。<实施方式3>图5是表示本发明的光半导体装置的立体图，且是为了显示基体306的内部而切下一部分的图。在实施方式3中，如图5所示，其特征在于，在基体的突出部306围成的凹部S2内载置发光元件303，并且，保护元件310埋设在基体的突出部306。图5是能够看到如图3A所示的大致长方体的光半导体装置的基体306的一部分的内部的图。在第二工序中，在形成基体之前，在第二导电构件302上载置保护元件310，并且，使用导电性丝305预先与第一导电构件301接合。由此，可以成为保护元件310埋设在基体306内的构造。在实施方式1中，在第二工序形成基体后，在第三工序载置发光元件和保护元件。在本实施方式中，在不同的工序设置发光元件和保护元件。如本实施方式所示，通过以埋设在基体内的方式设置保护元件，可以将光半导体装置自身进一步小型化。<实施方式4>图6A是表示本发明的光半导体装置的立体图，图6B是图6A的C-C’截面的剖视图。在实施方式4中，如图6A、图6B所示，其特征在于，基体406设置为到达光半导体元件403的侧面。在此，比第一导电构件和第二导电构件的上表面突出的突出部遍及基体406的整体设置。上述结构可以通过将第三工序在第二工序之前进行而得到，第三工序即在第一及/或第二导电构件上载置光半导体元件的工序，第二工序即在第一及第二导电构件之间设置由光遮光性树脂构成的基体的工序。如图6A、图6B所示，通过与光半导体元件(发光元件)403大致相同高度的方式设置基体406，从而仅从发光元件的上表面放出光。由此，能够更有效地取出光。另外，在此，将基体(突出部)406设置为与发光元件403大致相同高度，但是，不限于此，可以是比发光元件403低的高度。设置上述的基体406的情况下，密封构件404可以通过滴下、印刷等在发光元件403和基体406上硬化。另外，可以采用将在其他工序形成且硬化结束的密封构件404粘接于基体406和发光元件403等方法。例如，可以通过挤压成形等将Al2O3粉末和YAG荧光体粉末成形为平板状，作为密封构件404，使用粘接剂粘贴于发光元件和基体上。另外，在实施方式4中，不使用导电性丝，使用导电性接合构件将发光元件403的正负电极直接接合于第一及第二导电构件。在基体406的形成前载置光半导体元件403的情况下，通过上述不使用丝的载置方法，由此防止因模具导致的丝的变形等。<实施方式5>图7A是表示本发明的光半导体装置的剖视图，图7B是图7A的局部放大图。实施方式5的光半导体装置具有与图3A所示的光半导体装置相同的外观，在发光元件503的周围形成以突出部506b作为侧壁的凹部。在该凹部内，设置有比成为凹部的侧壁的突出部506b的高度低的底面部506a。另一方面，本实施方式的光半导体装置在第一导电构件501与第二导电构件502之间形成的基体506的底面部506a比第一导电构件501及第二导电构件502的上表面高的这一点与图3A的光半导体装置不同。另外，如图7B所示，在该底面部506a以覆盖第一导电构件501、第二导电构件502的上表面的一部分的方式形成有突起部Y。通过如此设置，在制造工序内除去支承基板时，可以抑制基体506a的底面部506a被剥下的情况。并且，可以将接近发光元件503的位置的基体506的底面部506a作厚，因此，能够抑制来自发光元件503的光向底面侧漏出，能够有效地反射光。如此的在第一导电构件和第二导电构件之间设置的基体506具有的底面部506a包含突起部Y，优选设置为导电丝505不接触的程度的高度。另外，优选以覆盖第一导电构件501、第二导电构件502两方的导电构件的上表面的一部分的方式形成突起部Y，也可以仅覆盖任一方。另外，该覆盖的区域的大小、宽度、位置等也可以根据需要形成。并且，也可以代替这种在第一导电构件501和第二导电构件502之间设置基体的底面部506a，将其他构件例如由Si构成的辅助安装件等以从第一导电构件横跨第二导电构件的方式载置，在其上载置发光元件。由此，能够抑制来自发光元件的光向底面侧漏出，能够更有效地反射光。【产业上的可利用性】根据本发明的光半导体装置的制造方法，能够容易地得到小型轻量且光取出效率或对比度优良的光半导体装置。所述光半导体装置可以用于(a)各种显示装置、(b)照明器具、(c)显示器、(d)液晶显示器的背光灯光源、以及(e)数码摄影机、传真机、复印机、扫描设备等图像读取装置、(f)投影装置等。