被包装半导体器件的制作方法
【专利摘要】公开了一种被包装半导体器件，其包括：包括第一载体接触件的载体；具有第一顶表面和第一底表面的第一电组件，所述第一电组件包括设置在第一顶表面上的第一组件接触件，第一底表面连接到载体；包括具有第二顶表面的第二电组件、互连元件和第一连接元件的被嵌入系统，被嵌入系统具有系统底表面，其中所述系统底表面包括第一系统接触件，其中第二顶表面包括第一组件接触件，并且其中第一系统接触件通过互连元件连接到第一组件接触件，并且第二电组件的第一组件接触件借助于第一连接元件连接到第一载体接触件。
【专利说明】被包装半导体器件
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种被包装器件，以及一种被包装半导体器件。
【背景技术】
[0002] 提供具有减小的功率消耗、更多样化的功能以及改进可靠性的更小、更薄、更轻、 更便宜的电子系统的必要性已经在所涉及到的所有【技术领域】内都引发了一波技术创新。这 种情况对于提供针对机械和热的外部影响以及针对化学或辐射导致的破坏的保护性密封 的组装和包装领域当然也是一样。
【专利附图】
【附图说明】
[0003] 包括附图是为了提供对于实施例的进一步理解，并且附图被合并在本说明书中并 且构成本说明书的一部分。附图图示了各个实施例，并且与描述一同用来解释各个实施例 的原理。随着通过参考后面的详细描述他们被更好理解，其他实施例以及各个实施例的许 多意定优点将被容易认识到。附图的各个元件不一定是相对于彼此按比例的。相似的附图 标记标示相应的类似部件。
[0004] 图la-lc图示了关于如何把包括第一器件的被包装器件与嵌入第二电器件的层 压包装夹具连接的实施例的顶视图以及横断X' -X'线和Y' -Y'线的剖面图； 图2a_2c图示了包括由多功能接触夹具连接的两个半导体器件的半桥电路的另一个 实施例的顶视图以及横断X' -X'线和Y' -Y'线的剖面图； 图3图示了由多功能接触夹具直接连接到电路板的被包装器件的再另一个实施例的 剖面图。
【具体实施方式】
[0005] 现在参照附图来描述各个方面和实施例。在后面的描述中，出于解释的目的阐述 了许多具体细节，以便提供对于所述实施例的一个或更多方面的透彻理解。应当理解的是， 在不背离本发明的范围的情况下，可以利用其他实施例并且可以做出结构或逻辑方面的改 变。还应当提到的是，附图不是按比例或者不一定是按比例的。
[0006] 在后面的详细描述中参照了形成其一部分的附图，并且在附图中通过图示的方式 示出了可以在其中实践本发明的具体实施例。但是本领域技术人员可以明显看到，可以利 用较低程度的所述具体细节来实践所述实施例的一个或更多方面。在其它实例中，以示意 性的形式示出了已知的结构和元件以便于描述所述实施例的一个或更多方面。在这方面， 参照所描述的(一个或多个）附图的取向使用了诸如"顶部"、"底部"、"左侧"、"右侧"、"上"、 "下"等等方向术语。由于各个实施例的组件可以按多个种不同的取向被定位，因此所述方 向术语被用于说明的目的并且决不进行限制。应当理解的是，在不背离本发明的范围的情 况下，可以利用其他实施例并且可以做出结构或逻辑的改变。因此，不应当以限制的含义理 解后面的详细描述，并且本发明的范围由所附权利要求限定。
[0007] 此外，虽然可能关于几种实现方式当中的仅仅一种公开了实施例的具体特征或方 面，但是除非明确地另行声明或者除非技术上被限制，否则可以如对于任何给定或特定应 用所期望和有利的一样，将这样的特征或方面与其他实现方式的一个或更多其他特征或方 面相组合。此外，就在详细描述或权利要求中所使用的术语"包含"、"具有"、"带有"及其变 体来说，这样的术语意图与术语"包括"类似地是包含性的。可以使用术语"耦合"和"连接" 及其衍生物。应当理解的是，这些术语可以被用来指示两个元件彼此协作或交互而不管其 是处于直接的物理或电气接触还是彼此没有直接接触；在所"结合"、"附着"或"连接"的元 件之间可以提供中间元件或中间层。此外，术语"示例性"仅仅意味着作为一个示例，而不 意味着是最佳的或最优的。因此，不应当以限制的含义理解后面的详细描述，并且本发明的 范围由所附权利要求书限定。
[0008] 后面进一步描述的（一个或多个）半导体芯片可以属于不同类型，可以通过不同技 术来制造，并且可以例如包括集成的电气、电光或电机械电路和/或无源器件、逻辑集成电 路、控制电路、微处理器、存储器器件等等。
[0009] 芯片模块的实施例可以使用各种类型的半导体芯片或者合并到半导体芯片中的 电路，其中包括AC/DC或DC/DC转换器电路、功率M0S晶体管、功率肖特基二极管、JFET (结 型栅极场效应晶体管)、功率双极型晶体管、逻辑集成电路、模拟集成电路、混合信号集成电 路、传感器电路、MEMS(微型机电系统)、功率集成电路、具有集成无源器件的芯片等等。所述 实施例还可以使用包括如下结构半导体芯片：M0S晶体管结构或者垂直晶体管结构(诸如 例如IGBT (绝缘栅双极型晶体管）结构）或者一般地，其中将至少一个电接触焊盘布置在半 导体芯片的第一主面上并且将至少另一个电接触焊盘布置在与半导体芯片的第一主面相 对的半导体芯片的第二主面上的晶体管结构。此外，绝缘材料的实施例例如可以被用于在 针对电路和组件的各种类型的密封和绝缘中提供绝缘层，和/或用于在各种类型的半导体 芯片或合并在半导体芯片中的电路(包括上面所提到的半导体芯片和电路）中提供绝缘层。
[0010] 所述(一个或多个）半导体芯片不一定由例如Si、SiC、SiGe、GaN、GaAs的特定半导 体材料来制造，并且此外可以包含不是半导体的无机和/或有机材料，诸如例如绝缘体、塑 料或金属。
[0011] 这里所考虑的(一个或多个)半导体芯片可以是薄的。为了允许对半导体芯片的加 工或操纵，例如包装、eWLP (嵌入式晶片级包装)或半导体器件组装所需要的加工/操纵，半 导体芯片可以形成复合芯片的部分。复合芯片可以包括半导体芯片和固定到半导体芯片上 的强化芯片。强化芯片为复合芯片增加稳定性和/或强度以使其可管理。
[0012] 后面所描述的器件可以包括一个或更多半导体芯片。举例来说，可以包括一个或 更多半导体功率芯片。此外，在所述器件中可以包括一个或更多逻辑集成电路。所述逻辑集 成电路可以被配置成控制其他半导体芯片的集成电路，例如功率半导体芯片的集成电路。 所述逻辑集成电路可以被实施在逻辑芯片中。
[0013] 所述(一个或多个）半导体芯片可以具有接触焊盘(或电极)，其允许与包括在(一 个或多个）半导体芯片中的集成电路发生电接触。所述电极可以被全部布置在(一个或多 个）半导体芯片的仅仅一个主面处，或者被布置在(一个或多个）半导体芯片的全部两个主 面处。所述电极可以包括被应用到(一个或多个)半导体芯片的半导体材料的一个或更多电 极金属层。所述电极金属层可以被制造为具有任何所期望的几何形状以及任何所期望的材 料成分。举例来说，其可以包括从下面的组当中选择的材料或者由所述材料制成：Cu、Ni、 511、411、48、？丨、？(1、这些金属当中的一种或更多种的合金、导电有机材料、或者导电半导体 材料。
[0014] 所述(一个或多个)半导体芯片可以被结合到载体。所述载体可以是被用于包装的 (永久性）器件载体。所述载体可以包括任何类型的材料或者由其构成，诸如例如陶瓷或金 属材料、铜或铜合金或者铁/镍合金。所述载体可以与(一个或多个）半导体芯片的一个接 触元件机械连接并且电连接。所述(一个或多个)半导体芯片可以通过以下方式当中的一种 或更多种连接到载体：回流焊接、真空焊接、扩散焊接或者借助于导电粘合剂的粘附。如果 扩散焊接被用作(一个或多个）半导体芯片与载体之间的连接技术，则可以使用由于焊接过 程之后的界面扩散处理而在半导体与载体之间的界面处导致金属间相的焊料材料。因此， 在铜或铁/镍载体的情况下，希望使用包括AuSn、AgSn、CuSn、AgIn、AuIn或Culn或者由其 构成的焊料材料。替代地，如果要把(一个或多个)半导体芯片粘附到载体，则可以使用导电 粘合剂。所述粘合剂例如可以基于环氧树脂，所述环氧树脂可以富有金、银、镍或铜的微粒 以便增强其导电性。
[0015] (一个或多个)半导体芯片的接触元件可以包括扩散屏障。所述扩散屏障在扩散焊 接的情况下防止焊料材料从载体扩散到(一个或多个)半导体芯片中。接触元件上的薄钛层 例如可以实现这样的扩散屏障。
[0016] 例如可以通过焊接、胶粘或烧结来实现(一个或多个）半导体芯片与载体的结合。 在通过焊接来附着(一个或多个）半导体芯片的情况下，可以使用软焊料材料，或者具体来 说能够形成扩散焊料结合的焊料材料，诸如包括从下面各项的组中选择的一种或更多种金 属材料的焊料材料：Sn、SnAg、SnAu、SnCu、In、InAg、InCu 和 InAu。
[0017] 所述(一个或多个)半导体芯片可以覆盖有封装材料，以便对于eWLP处理或者在结 合到器件载体(衬底）之后被嵌入在封装剂(人工晶片）中。所述封装材料可以是电绝缘的。 所述封装材料可以包括任何适当的塑料或聚合物材料(诸如例如热塑性材料或热固性材料 或者层压材料(预浸料))或者由其构成，并且可以包含填充材料。可以采用多种技术来用封 装材料封装(一个或多个）半导体芯片，诸如压缩成型、注射成型、粉末成型、液体成型或层 压。可以使用热和/或压力来施加所述封装材料。
[0018] 在几个实施例中，将各个层或层堆叠施加到彼此，或者将材料施加或沉积到各层 之上。应当认识到，例如"施加"或"沉积"的任何此类术语意图字面上覆盖用于将各层施加 到彼此之上的所有种类和技术。具体来说，其意图覆盖其中将各层作为一个整体同时施加 的技术(诸如例如层压技术）以及其中按照顺序方式沉积各层的技术(诸如例如溅射、电镀、 成型、CVD等等)。
[0019] 后面将详细讨论当前优选的实施例的制作和使用。但是应当认识到，本发明提供 了可以被体现在广泛的各种特定情境中的许多适用的发明性概念。所讨论的具体实施例仅 仅说明制作和使用本发明的具体方式，而并不限制本发明的范围。
[0020] 将在特定情境（即作为包括两个功率半导体晶体管的被包装半桥电路）中来描述 本发明的实施例。但是本发明的实施例还可以被应用于其他器件类型的电路和器件。
[0021] 本发明的实施例提供层压包装作为第一电组件的组件接触件与载体的载体接触 件之间的电连接元件。第二组件可以被嵌入在所述层压包装中。所述层压包装的包装接触 件可以经由连接元件连接到另一个载体接触件。在一个实施例中，所述层压包装包括预浸 材料。本发明的实施例的优点在于进一步减小了包装和覆盖面积尺寸。另一优点是进一步 减小了互连的总体电路径长度，这是因为更长的互连可能导致电容性损耗、电感性损耗、更 1?功率消耗和?目号等待时间。
[0022] 图la-lc示出了处于被附着到组件器件(未示出)阶段中的被嵌入系统100的实施 例。
[0023] 在该实施例中，被嵌入系统100包括组件包装130,并且组件包装130包括作为封 装材料的层压材料170。层压材料170可以包括导电和不导电(绝缘)材料的交替层。所述 绝缘材料可以包括预浸料，预浸料是多孔玻璃纤维膜的。所述预浸料可以被灌注有双酚A 树脂和硬化剂组分。所述导电材料可以包括金属或金属合金。举例来说，所述导电材料可 以是铜（Cu)或铝（A1)。
[0024] 层压材料170包括多个材料层。举例来说，层压材料包括导电层（其包括导电路 径和迹线）和不导电层，所述不导电层包括利用玻璃或碳纤维强化的、并且有时附加地被填 充有无机微粒(诸如Si0 2、A1203或类似材料）的(一个或多个）聚合材料。每一层包括大约 10 μ m到大约1000 μ m的厚度。替代地，组件包装130可以包括其他封装材料。
[0025] 组件包装130包括电组件155,其例如可以是芯片（或管芯)。组件155包括衬底。 所述衬底可以是诸如硅或锗之类的半导体衬底，或者是化合物衬底，诸如SiGe、GaAs、Inp 或GaN、SiC、或者替换地是其他材料。所述半导体衬底可以是单晶硅或绝缘体上硅（SOI)。 可以在所述衬底上布置一个或更多互连金属化层。在限定组件接触件或组件接触焊盘的金 属化层的顶表面上设置一个钝化层。所述钝化层例如可以包括SiN。
[0026] 芯片155可以包括诸如单个半导体器件或集成电路（1C)之类的分立器件。举例 来说，芯片155可以包括诸如双极型晶体管、绝缘栅双极型晶体管（IGBT)、功率M0SFET、晶 闸管或二极管之类的功率半导体器件。替代地，芯片155可以例如是诸如电阻器、保护性器 件、电容器、传感器或检测器之类的组件。
[0027] 组件155具有设置在其顶表面上的第一组件接触件或第一组件接触焊盘。组件 155在顶表面上还可以包括第二组件接触件或第二组件接触焊盘。组件155最后在顶表面 或底表面上可以包括第三组件接触件或第三组件接触焊盘。替代地，组件155可以在其顶 表面和底表面上具有其他的和/或不同的接触焊盘布置。
[0028] 组件包装130可以包括连接元件162。所述连接元件可以是导电互连、导电迹线、 导电重分布层或者第二载体。组件包装130可以包括第二组件包装接触件164、166、168,第 二组件包装接触件164、166、168连接到组件155的组件接触件。
[0029] 在一个实施例中，连接元件162是引线框。引线框162可以包括引线框接触焊盘或 引线以及组件附着区段163。引线框162可以包括诸如金属之类的导电材料。举例来说，弓丨 线框162可以包括铜和/或镍。引线框162还可以包括引线框接触件112. 1、162. 2、162. 3 和162. 4。层压材料170可以被沉积到引线框162和组件155上，并且随后可以在引线框接 触件162. 1-162. 4上方的层压材料和组件155的上表面中形成开口。随后例如通过电镀或 无电镀将导电材料沉积到所述开口中。这样就形成了第二组件包装接触件164、166和168。
[0030] 组件155在管芯附着区域163处被附着到引线框162。举例来说，组件155的底表 面被附着到引线框162的顶表面。组件155被与管芯附着连接附着。举例来说，使用共晶 结合或环氧树脂结合将组件155的主表面结合到引线框162的顶表面。替代地，使用胶带、 焊接糊剂或焊料，将组件155的主表面结合、胶粘、通过扩散焊接而焊接或者通过纳米糊剂 连接到引线框162的顶表面。取决于具体配置，所述组件附着连接可以是电连接或者可以 是绝缘屏障。
[0031] 在一个实施例中，组件155是功率半导体开关或晶体管，其具有在组件155的顶表 面处的漏极接触件和栅极接触件以及在底表面处的源极接触件。所述功率半导体开关的栅 极接触件经由层压材料170中的迹线连接到组件包装接触件166,所述功率半导体开关的 漏极接触件经由层压材料170中的迹线连接到组件包装接触件164,以及所述功率半导体 开关的源极接触件直接连接到引线框162。
[0032] 图2a_2c示出了被包装电器件200的实施例。所述被包装电器件可以是半桥电路。 所述被包装电器件包括诸如功率晶体管芯片230之类的第一组件以及被嵌入系统250,所 述被嵌入系统250包括诸如第二功率晶体管芯片255之类的第二组件。第一组件230通过 被嵌入系统250机械连接并且电连接到载体接触件216。
[0033] 图2a_2c示出了电组件包装200 (例如半桥电路)的实施例。所述电组件包装的第 一组件230包括：上或第一主表面上的诸如源极接触件232之类的第一接触件和诸如栅极 接触件239之类的第二接触件，以及与所述主表面相对的下或第二主表面上的诸如漏极接 触件236之类的第三组件接触件。第三组件接触件(例如漏极接触件)236经由背面金属化 (BSM)层225机械连接并且电连接到诸如金属引线框210之类的载体的管芯附着区212,所 述金属引线框210还包括引线框接触件210. 1、210. 2、210. 3和210. 4。BSM层225可以包 括诸如Cr、Ti或Ta层之类的屏障层(其保护第一组件230免于到该组件中的不合期望的金 属原子扩散）以及诸如Au、Ag或Cu层之类的金属层(或层堆叠)，其可以表现出进入到金属 引线框210中的高扩散系数。第二接触件239经由被嵌入系统250的层压材料270中的迹 线284连接到载体接触件219 (例如引线)。
[0034] 组件230的第一组件接触件232通过连接元件250 (被嵌入系统）连接到载体接 触件216。连接元件250包括诸如第二功率晶体管芯片255之类的第二组件、诸如导电互 连262、导电迹线、重分布层或引线框之类的互连元件、以及封装材料(例如层压材料）270。 第二组件255包括处在第二组件255的第二顶表面上的诸如漏极接触件之类的第一接触件 261和例如栅极接触件之类的第二接触件263,以及处在与第二组件255的第一主表面相对 的第二底表面上的诸如源极接触件之类的第三接触件265。被嵌入系统250的互连元件262 提供多重功能。
[0035] 互连元件262电连接到第一组件230的第一组件接触件232 (例如源极接触件)和 第二组件255的第三接触件265 (例如源极接触件)。此外，互连元件262提供组件接触件 232、265与载体接触件(例如引线)216之间的导电连接。最后，互连元件262连同穿过层压 材料270的迹线268建立到达被嵌入系统250的顶表面的导电路径，从而提供到达外部电 路的互连线路。
[0036] 第二组件255的第一组件接触件261通过组件包装接触件264电连接到载体接触 件(例如引线)214,并且第二组件255的第二组件接触件263通过组件包装接触件266电连 接到载体接触件(例如引线）218。
[0037] 电组件包装200还可以包括封装剂(未示出）。所述封装剂利用封装材料来封装第 一组件230。所述封装剂还可以封装(或者部分地封装)连接元件250 (被嵌入系统)和载体 210。
[0038] 所述封装剂的封装材料可以是成型化合物或层压材料。在一个实施例中，所述封 装材料可以是与被嵌入系统250的封装材料不同的材料。举例来说，被嵌入系统270的封 装材料可以是层压材料，而所述封装剂的封装材料可以是成型化合物。
[0039] 所述封装剂的封装材料可以包括热固性材料，诸如环氧树脂、聚亚安酯或聚丙烯 酸酯化合物。替代地，所述封装材料可以包括热塑性材料，诸如聚砜、聚亚苯基硫醚或聚醚 酰亚胺。在一个示例中，所述封装可以包括诸如硅改性聚酰亚胺之类的聚酰亚胺。
[0040] 由于电组件包装200可以提供模块化特性，因此可能有几种扩展配置。举例来说， 第三组件可以被设置在电组件包装200上。在另一个示例中，可以将散热器设置在被嵌入 包装250的顶表面上，从而容许有效的并且改进的热管理。
[0041] 图3示出了组件包装的实施例，其中所述包装直接连接到电路板，以便允许对于 所包括器件的改进热管理。
[0042] 在该实施例中，提供电路板310,并且诸如第一功率晶体管芯片330之类的第一电 组件通过背面金属化（BSM)层325连接到电路板310。金属衬底362机械连接并且电连接 到第一功率晶体管330的源极接触件332。诸如第二功率晶体管355之类的第二电组件机 械连接并且电连接到该金属衬底362。最后，连接元件364被附着到第二电组件355,以便 将第二电组件355直接连接到电路板310。这个组装部件随后由诸如层压材料370之类的 封装剂封装，层压材料370包括用于诸如栅极电极366之类的电连接元件和/或其他连接 元件(未示出）的沉积的迹线，从而提供到达外部电路的互连线路。
[0043] 第四实施例通过本发明的前面描述的连接元件提供诸如第一和第二功率晶体管 之类的两个已经封装的电器件的机械连接和电连接，以便建立被包装电器件，诸如例如半 桥电路。
[0044] 对于图1-3中所示的被包装电器件的不同实施例，机械连接可以涉及结合金属到 金属表面。存在接合金属界面的几种方法。在一个实施例中，施加导电粘合剂。所述导电粘 合剂可以包括热塑性或热固性树脂(例如环氧树脂化合物、聚酰亚胺、改性硅酮)，其包含大 量(高达80%)的Ag、镀有Ag的Cu、Ni或Au的高导电性薄片。所述导电薄片的尺寸可以处 在几十μπι的范围内。导电粘合剂可以被丝网印刷、模板印刷、点放置或者散布在将要连接 的界面上。在施加导电粘合剂之后，在从l〇〇°C到250°C的温度范围下将各层固化几分钟。
[0045] 在另一个实施例中，采用纳米糊剂产品。纳米糊剂产品包括金属墨水，金属墨水具 有测量为尺寸几十nm的Ag或Au的微粒。可以通过喷墨打印机将纳米糊剂施加到衬底。通 过对纳米糊剂的烧结(例如在220°C _250°C温度下，在l_5MPa压强下，持续时间1-2分钟） 发生接触界面之间的结合形成。
[0046] 在另一个实施例中，应用焊料技术。可以使用诸如Pb/Sn和Au/Sn之类的焊接材 料。所述焊接技术可以包括扩散焊接，其也被称作固体-液体互扩散结合。对于扩散结合， 采用金属薄膜间层，其在低温下熔化并且与熔点更高的界面层的金属快速反应，从而形成 一个或更多金属间相。这些金属间化合物（IMC)具有明显高于原始低熔点界面的熔点。因 此除非在后来将其加热到使得其中一个金属间相熔化的更高温度，否则所述接头将不会再 熔化。对于扩散焊接经常使用AuSn、AgSn、CuSn和Agin。可以在300-400°C的温度下或者 在低于350°C的温度下实施软焊接和扩散焊接。在一些实施例中，为了更好地保障层压材 料架构的完整性，希望处理温度更低。通过在烤箱中在压强下施加批量焊接/固化，在低于 250°C的温度下形成焊接连接变得可能。
[0047] 在一个实施例中，可以应用活性纳米技术（RNT)结合来在存在或者不存在焊接材 料的情况下接合两个金属界面。RNT结合依赖于比如Ni/A1、A1/Ti或Ti/a-Si的交替元素 的l-30nm厚的活性纳米尺度双分子层的存在。可以通过局部热脉冲、激光脉冲或电脉冲在 活性层的外围处激起纳米堆叠中的不同金属之间的自传播发热混合过程。由所述发热反应 释放的热量在要被接合的金属面之间引发互扩散过程。通过施加几 MPa的结合压强，接触 面的结合可以在几毫秒内发生。由所述自传播反应产生的热量保持局限在接触界面附近， 并且不会深入太多到要被接合的金属相对面的主体中。
[0048] 在一个实施例中，可以施加纳米维可牢（Nanovelcro )技术来结合金属界面而不施 加焊接。利用这种结合技术，把包括导电碳纳米管的薄层被施加到要被接合的接触界面。在 压强下将两个接触层啮合，从而在不施加焊接的情况下形成电接触和机械接触。
[0049] 虽然已详细描述了本发明及其优点，但是应当理解的是，在不背离由所附权利要 求书限定的本发明的精神和范围的情况下，可以在这里做出各种改变、替换和更改。
[0050] 此外，本申请的范围不意图被限制到在本说明书中所描述的过程、机器、制造、物 质构成、装置、方法和步骤的具体实施例。因为本领域普通技术人员将容易从本发明的公开 内容认识到：根据本发明可以利用与这里所描述的对应实施例执行基本上相同的功能或者 实现基本上相同的结果的、当前已有或者将来开发的过程、机器、制造、物质构成、装置、方 法或步骤。因此，所附权利要求书意图把这样的过程、机器、制造、物质构成、装置、方法或步 骤包括在其范围内。
【权利要求】
1. 一种被包装器件，包括： 包括第一载体接触件的载体； 第一电组件，所述第一电组件具有第一顶表面和第一底表面，第一电组件包括设置在 第一顶表面上的第一组件接触件，第一底表面连接到所述载体； 被嵌入系统，包括第二电组件、互连元件和第一连接元件，所述被嵌入系统具有系统底 表面，其中所述系统底表面包括第一系统接触件，并且第二电组件具有第二顶表面，其中第 二顶表面包括第一组件接触件，其中 第一系统接触件通过互连元件连接到第一组件接触件，并且第二电组件的第一组件接 触件借助于第一连接元件连接到第一载体接触件。
2. 根据权利要求1的被包装器件，其中： 所述被嵌入系统包括第二连接元件； 所述载体具有第二载体接触件；并且 第一电组件具有第一顶表面上的第二组件接触件，其中 第一电组件的第二组件接触件借助于第二连接元件连接到第二载体接触件。
3. 根据权利要求2的被包装器件，其中： 所述载体包括组件附着区，并且第一电组件包括第一底表面上的第三组件接触件，并 且其中 第一电组件的第三组件接触件电连接到所述载体的组件附着区。
4. 根据权利要求3的被包装器件，其中，第一电组件是第一晶体管，其中第一组件接触 件是第一晶体管的第一源极接触件，第二组件接触件是第一晶体管的第一栅极接触件，并 且其中第三组件接触件是第一晶体管的第一漏极接触件。
5. 根据权利要求4的被包装器件，其中，第二电组件是第二晶体管，其中第二晶体管包 括第二顶表面和第二底表面，其中第二源极接触件被布置在第二底表面上，并且其中第二 漏极接触件和第二栅极接触件被布置在第二顶表面上。
6. 根据权利要求5的被包装器件，其中，第一源极接触件和第二源极接触件电连接。
7. 根据权利要求6的被包装器件，其中： 所述载体包括第三载体接触件和第四载体接触件； 所述被嵌入系统包括第三连接元件和第四连接元件； 其中，第三连接元件把第二栅极接触件连接到第三载体接触件，并且其中第四连接元 件把第二漏极接触件连接到第四载体接触件。
8. 根据权利要求3的被包装器件，其中，第一电组件是第一晶体管，其中第一组件接 触件是第一晶体管的第一漏极接触件，其中第二组件接触件是第一晶体管的第一栅极接触 件，并且其中第三组件接触件是第一晶体管的第一源极接触件。
9. 根据权利要求8的被包装器件，其中，第二电组件是第二晶体管，其中第二晶体管包 括第二顶表面和第二底表面，其中第二源极接触件和第二栅极接触件被布置在第二底表面 上，并且第二漏极接触件被布置在第二顶表面上。
10. 根据权利要求9的被包装器件，其中，第一漏极接触件和第二漏极接触件电连接。
11. 根据权利要求10的被包装器件，其中所述载体包括第三载体接触件，并且其中所 述被包装器件还包括第三连接元件，其中所述第三连接元件把第二栅极接触件连接到第三 载体接触件。
12. 根据权利要求1的被包装器件，其中，所述被嵌入系统包括第二组件、互连元件和 嵌入在层压材料中的第一连接元件。
13. 根据权利要求1的被包装器件，其中，所述载体还包括第二载体接触件，其中第一 电组件包括第一顶表面上的第二组件接触件，其中所述被嵌入系统包括系统底表面上的第 二系统接触件，并且其中第二系统接触件电连接到第二组件接触件，并且第二系统接触件 电连接到第二载体接触件。
14. 一种被包装半导体器件，包括： 包括第一载体接触件的载体； 第一电组件，所述第一电组件具有第一顶表面和第一底表面，第一电组件包括设置在 第一顶表面上的第一组件接触件，第一底表面连接到载体； 被嵌入系统，包括第二电组件和互连元件以及第一连接元件，所述互连元件包括第一 互连元件接触件和第二互连元件接触件， 所述被嵌入系统具有系统底表面，其中所述系统底表面包括第一系统接触件，并且第 二电组件包括第二组件接触件，其中 第一系统接触件通过第一互连元件接触件连接到第一组件接触件，并且第二组件接触 件通过第二互连元件接触件和第一连接元件连接到第一载体接触件。
15. 根据权利要求14的被包装半导体器件，其中，所述被嵌入系统包括第二电组件、互 连元件以及嵌入在层压材料中的第一连接元件。
16. 根据权利要求15的被包装半导体器件，其中，所述层压材料包括预浸材料。
17. 根据权利要求14的被包装半导体器件，其中，第一电组件和第二电组件是功率晶 体管。
18. 根据权利要求14的被包装半导体器件，其中，第一电组件与第二电组件串联连接。
19. 根据权利要求14的被包装半导体器件，其中，所述载体和互连元件是引线框。
20. 根据权利要求15的被包装半导体器件，其中，所述被嵌入系统包括嵌入在层压材 料中的第二连接元件。
【文档编号】H01L23/31GK104218008SQ201410243465
【公开日】2014年12月17日 申请日期:2014年6月4日 优先权日:2013年6月4日
【发明者】K.侯赛因, J.马勒, G.迈尔-贝格 申请人:英飞凌科技奥地利有限公司