低温多晶硅薄膜晶体管、其制备方法及阵列基板与显示装置制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种多晶硅薄膜及薄膜晶体管、其制备方法及阵列基板与显示装置，该低温多晶硅薄膜晶体管包括基板、在基板上形成的缓冲层，以及通过构图工艺在缓冲层上形成的有源层，此外，在所述的有源层上还形成有绝热保温层。本发明通过在在多晶硅薄膜结构中设计绝热保温层，该绝热保温层与缓冲层分别在有源层的上表面和下表面来抑制熔融硅中温度的扩散，起到双层保温的作用，从而明显延长多晶硅晶化的时间。同时，绝热保温层的图案设计可以使有源层在图案边缘部分先结晶形成多晶硅籽晶，引导熔融硅生长，有助于大尺寸晶粒的生长，有效的提高了TFT的迁移率。
【专利说明】低温多晶硅薄膜晶体管、其制备方法及阵列基板与显示装
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示【技术领域】，尤其涉及一种低温多晶硅薄膜晶体管、其制备方法及阵列基板与显示装置。
【背景技术】
[0002]随着平面显示器技术的蓬勃发展，有源矩阵式有机发光显示器(Active MatrixOrganic Light Emitting D1de,简称AMOLED)由于其具有更轻薄、自发光和高反应速率等优良特性，成为未来显示器发展的趋势。其可以包括依次形成在基板上的有源开关、绝缘层、透明电极、发光层和金属电极，其中，有源开关通过接触孔与透明电极连接，以控制图像数据的写入。目前，为适应AMOLED尺寸大型化的发展，有源开关通常采用低温多晶硅薄膜晶体管(Low Temperature Poly-silicon TFT,简称LTPS-TFT)作为像素开关控制元件；而用于制备LTPS-TFT的低温多晶硅薄膜的品质好坏与否对于LTPS-TFT的电性表现有着直接影响，因此，低温多晶硅薄膜的制造技术也越来越受到重视。
[0003]在LTPS-TFT及半导体器件的制备工艺中，有源层的形成一般都是先沉积一定厚度的非晶硅层，然后采用特殊工艺使非晶硅晶化形成多晶硅，以提高有源层中载流子的迁移率。目前非晶硅晶化技术采用的主要工艺为准分子激光晶化(ELA)。
[0004]在ELA工艺中，其晶化方法是采用一定波长的高能量的激光照射于非晶硅薄膜表面，经照射后硅薄膜表面的温度迅速升至1400°C左右，此时非晶硅呈熔融状态，当激光能量撤离后，基板迅速冷却，在冷却过程中非晶硅晶化形成多晶硅。在该过程中，基板的冷却速度过快，晶粒没有足够的时间生长，导致晶粒尺寸较小，载流子迁移率较低，TFT及半导体器件的反应速度慢且功耗高，产品竞争力无法得到提升等问题。
【发明内容】
[0005](一 )要解决的技术问题
[0006]本发明要解决的技术问题是如何克服非晶硅晶化形成多晶硅的过程中，基板的冷却速度过快，晶粒没有足够的时间生长，导致晶粒尺寸较小，载流子迁移率较低，TFT及半导体器件的反应速度慢且功耗高，产品竞争力无法得到提升等问题。
[0007]( 二 )技术方案
[0008]为解决上述技术问题，本发明提供了一种低温多晶硅薄膜晶体管，所述低温多晶硅薄膜晶体管包括基板、在基板上形成的缓冲层，以及通过构图工艺在缓冲层上形成的有源层，此外，在所述的有源层上还形成有绝热保温层。
[0009]其中，所述有源层的边缘未被绝热保温层覆盖。优选所述未被绝热保温层覆盖的所述有源层的边缘宽度为不大于有源层宽度的1/4。
[0010]其中，所述绝热保温层通过喷涂工艺形成，其厚度范围为30-100A
[0011]其中，所述绝热保温层由耐高温抗压、导热系数低、粘附性好的材料制备而成，在高温下对有源层不会产生不良影响。
[0012]具体而言，所述绝热保温层的材料包括氮化硅和氧化硅(优选但不限于氮化硅、
氧化硅)。
[0013]进一步地，本发明所述的低温多晶硅薄膜晶体管还包括在所述绝热保温层的上方依次形成的栅绝缘层、栅电极、层间绝缘层、以及源电极和漏电极，所述源电极和漏电极分别通过贯穿层间绝缘层、栅绝缘层及绝热保温层的过孔与所述有源层的两端连接。
[0014]本发明同时提供了一种用于制备低温多晶硅薄膜晶体管的方法，具体为:提供一基板，在基板上形成缓冲层；通过构图工艺在缓冲层上形成有源层；在所述的有源层上形成绝热保温层。
[0015]其中，所述有源层的边缘未被绝热保温层覆盖。
[0016]优选所述未被绝热保温层覆盖的所述有源层的边缘宽度为不大于有源层宽度的1/4。
[0017]此外，所述方法还包括在所述绝热保温层的上方沉积栅绝缘层；在所述栅绝缘层上方形成栅金属薄膜，通过构图工艺形成栅电极的图案，并对所述有源层两端的区域进行掺杂处理以形成离子掺杂区；在所述栅电极上方形成层间绝缘层，并通过构图工艺形成贯穿所述绝热保温层、栅绝缘层和层间绝缘层的绝缘层过孔，从而露出所述有源层两端的离子掺杂区；在所述层间绝缘层上方形成源漏金属薄膜，并通过构图工艺形成源电极和漏电极，所述源电极和漏电极分别通过所述绝缘层过孔与所述有源层两端的离子掺杂区连接。
[0018]本发明进一步提供了一种阵列基板，包含上述的低温多晶硅薄膜晶体管。
[0019]本发明还提供了含有上述阵列基板的显示装置。
[0020](三)有益效果
[0021]本发明针对LTPS-TFT或半导体器件的结构设计了绝热保温层，以减缓ELA过程中基板的冷却速率，增大多晶硅的晶粒尺寸，提高TFT的电学性能。
[0022]具体而言，本发明是在有源层的上表面形成有图案(Pattern)的绝热保温层，该绝热保温层与缓冲层分别在有源层的上表面和下表面来抑制熔融硅中温度的扩散，起到双层保温的作用，从而明显延长多晶硅晶化的时间。同时，绝热保温层的图案设计可以使有源层在图案边缘部分先结晶形成多晶硅籽晶，引导熔融硅生长，有助于大尺寸晶粒的生长，有效的提高了 TFT的迁移率。
【专利附图】
【附图说明】
[0023]图1为本发明多晶硅薄膜晶体管形成的工艺流程图；
[0024]图2为本发明TFT结构示意图；
[0025]附图标记:1为基板；2为缓冲层；3为有源层；4为绝热保温层；5为栅绝缘层；6为绝缘层；7为栅电极；8为源电极；9为漏电极，10为光刻胶。
【具体实施方式】
[0026]为了更清楚的描述本方案，以下结合具体的实施例对本发明技术方案作详细说明。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0027]实施例1
[0028]本实施例公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管，如图2所示，该低温多晶硅薄膜晶体管，包括在基板1，以及在基板上I依次形成的缓冲层2、有源层3和绝热保温层4，其中，通过在实施例1中低温多晶硅薄膜晶体管的非晶硅层上通过构图工艺形成有源层3，同时有源层3不超过其宽度1/4的边缘未被绝热保温层4覆盖。
[0029]同时，本实施例所述低温多晶硅薄膜晶体管还包括在绝热保温层4的上方依次形成的栅绝缘层5、栅电极7、层间绝缘层6、以及源电极8和漏电极9，其中，源电极8和漏电极9分别通过贯穿层间绝缘层6、栅绝缘层5及绝热保温层4的绝缘过孔与有源层3的两端连接。
[0030]本实施例中，在有源层3上沉积一层很薄的绝热保温层4，形成特定图案后进行ELA工艺，ELA的作用是将有源层熔融后再结晶，形成多晶硅，目前工艺中ELA的温度传播深度可达lOOnm，而有源层3的厚度一般不超过50nm，所以在有源层3上增加很薄的绝热保温层4不会对ELA工艺及有源层3的熔融再结晶有影响。
[0031]其中，绝热保温层4的材料须至少满足如下基本的条件:导热系数应越小越好，抗压强度高，耐热性好，粘附性好，常温下稳定性高等特点，在高温下对有源层不会产生不良影响，而且必须在TFT工艺中易制备，如硅的氧化物(S1x)，氮化硅(SiNx)等，现有技术公开的多种符合上述条件的材料都可以作为理想的绝热保温材料。
[0032]本实施例优选氮化硅或氧化硅材料，更优选氧化硅。绝热保温层的厚度范围为30-100A。此类材料所形成的绝热保温层能够满足设计及材料要求，在相应工艺下形成大晶粒多晶娃。
[0033]其中，基板I可以选择多种可用于多晶硅薄膜形成的衬底，如玻璃基板、石英基板等，其厚度采用常规尺寸即可。
[0034]本实施例通过绝热保温层4与缓冲层2的双重保温作用，可以抑制有源层3中熔融硅的温度向下方的基板I及上方的环境中扩散，延长了多晶硅的晶化时间；同时，在本实施例中，绝热保温层4的图案宽度略小于有源层3的图案宽度，在晶化过程中，有源层3图案边缘没有被绝热保温层4覆盖部分的冷却速率会较快，先结晶形成多晶硅，并作为籽晶，引导被绝热保温层4覆盖部分晶粒的生长，该方式更有助于大尺寸晶粒的生长，提高了 TFT的迁移率。
[0035]实施例2
[0036]本实施例提供了一种用于制备低温多晶硅薄膜晶体管的方法，具体包括:
[0037]第I步:提供一基板1，在基板I上形成缓冲层2 ;在缓冲层2上形成有源层3 ;在有源层3形成绝热保温层4。
[0038]其中，有源层3的具体形成的工艺方法流程图见图1:
[0039](I)基板I上依次沉积缓冲层2、有源层3和绝热保温层4，得初始结构；
[0040](2)在绝热保温层4上形成光刻胶10 ；
[0041](3)经过曝光、刻蚀工艺形成有源层3图案及绝热保温层4的初步图案；
[0042](4)经过灰化工艺去掉绝热保温层4边缘部分的光刻胶；
[0043](5)经过刻蚀及剥离工艺形成绝热保温层4图案；
[0044](6)经过晶化工艺将有源层3的非晶硅晶化形成多晶硅(晶化后的有源层3见图1最终结构中阴影层状结构所示)。其中，晶化过程是指采用ELA工艺使非晶硅层表面温度瞬间达到1400°C，非晶硅在高温下熔融，激光照射结束后，随着温度降低，熔融的非晶硅层发生再结晶，从而形成多晶硅。
[0045]具体而言，该步骤选择如玻璃衬底作为基板1，对基板I进行预清洗，利用等离子体增强化学气相沉积法沉积缓冲层2，后沉积有源层3，并在有源层3表面沉积绝热保温层
4。其中，缓冲层2可沿用现有结构，如由氮化硅层和二氧化硅层的双层结构，下层是厚度为50-150nm的氮化硅层，上层是厚度为100_350nm的二氧化硅层，二氧化硅层的上面为厚度为300-600nm的有源层3，绝热保温层4厚度为30-100A,采用氮化硅材料制备而成。
[0046]第2步:在绝热保温层4上依次沉积栅绝缘层5、栅电极7、层间介质层6及源电极8和漏电极9，形成TFT及半导体器件的基本结构。
[0047]具体为:在绝热保温层4的上方沉积栅绝缘层5 ;在栅绝缘层5上方形成栅金属薄膜，通过构图工艺形成栅电极7的图案，并对所述有源层3两端的区域进行掺杂处理以形成离子掺杂区；在栅电极7上方形成层间绝缘层6，并通过构图工艺形成贯穿所述绝热保温层
4、栅绝缘层5和层间绝缘层6的绝缘层过孔，从而露出所述有源层3两端的离子掺杂区；在层间绝缘层6上方形成源漏金属薄膜，并通过构图工艺形成源电极8和漏电极9，源电极8和漏电极9分别通过所述绝缘层过孔与有源层3两端的离子掺杂区连接。
[0048]本实施例通过在有源层上表面增加了绝热保温层4，能够在晶化过程中当高能量的激光撤离后，与缓冲层2共同对有源层进行保温，大大降低了非晶硅层的冷却速度，使晶粒在形成后有足够的时间生长，增大了晶粒尺寸(晶粒平均粒径2um左右)，可制备得到实施例I所述的薄膜晶体管(结构见图2)。
[0049]实施例3
[0050]本实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板包括实施例1中所述的低温多晶硅薄膜晶体管，由此形成的阵列基板用于显示器背板中时，能够提高反应速度、降低功耗等，适用于有源矩阵有机发光二极管显示器(AMOLED)、低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器(LTPSTFT-LCD)等领域。
[0051]实施例4
[0052]本实施例提供一种显示装置，该显示装置包括实施例3中所述的阵列基板。本实施例的显示装置，可以为有源矩阵有机发光二极管显示器(AMOLED)或者液晶显示器等，由于该显示装置中采用了低温多晶硅薄膜晶体管，在电学性能方面较非晶硅有很大改善，能够提高该显示装置的竞争能力。
[0053]通过以上实施例可以看出，本发明通过在有源层表面增加绝热保温层，在采用ELA方式进行有源层的晶化过程中，当高能量的激光撤离后，绝热保温层与缓冲层可以共同对硅薄膜进行保温，大大降低了其冷却速率，使晶粒在形成后有足够的时间生长，增大了晶粒尺寸，提高了载流子迁移率，提高了 TFT及半导体器件的反应速率，降低了功耗，提升了产品的竞争力。本发明所采用的方法，在生产过程中容易操作，工艺过程简洁并且不耗费原料；通过增大多晶硅晶粒的尺寸，最后能够得到迁移率较好的低温多晶硅薄膜晶体管；该方法得到的低温多晶硅薄膜可以作为低温多晶硅薄膜晶体管的有源层，适用于有源矩阵有机发光二极管显示器(AMOLED)及低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器(LTPS TFT-1XD)等领域。
[0054]此外,上述实施例中的实施方案可以进一步组合或者替换,且实施例仅仅是对本发明的优选实施例进行描述，并非对本发明的构思和范围进行限定，在不脱离本发明设计思想的前提下，本领域中专业技术人员对本发明的技术方案作出的各种变化和改进，均属于本发明的保护范围。
【权利要求】
1.一种低温多晶硅薄膜晶体管，包括依次在基板上形成的缓冲层和有源层，其特征在于:还包括在所述的有源层上形成的绝热保温层。
2.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于:所述有源层的边缘未被绝热保温层覆盖。
3.根据权利要求2所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于:未被绝热保温层覆盖的所述有源层的边缘宽度为不大于有源层宽度的1/4。
4.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于:所述绝热保温层的厚度为 30-1OOA。
5.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于:所述绝热保温层的材料包括氮化硅或氧化硅。
6.根据权利要求1-5任一项所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于:还包括在所述绝热保温层的上方依次形成的栅绝缘层、栅电极、层间绝缘层，以及源电极和漏电极，所述源电极和漏电极分别通过贯穿层间绝缘层、栅绝缘层及绝热保温层的过孔与所述有源层的两端连接。
7.一种用于制备如权利要求1-6任一项所述低温多晶硅薄膜晶体管的方法，其特征在于:提供一基板，在基板上形成缓冲层；通过构图工艺在缓冲层上形成有源层；在所述的有源层上形成绝热保温层。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于:所述有源层的边缘未被绝热保温层覆盖。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于:未被绝热保温层覆盖的所述有源层的边缘宽度为不大于有源层宽度的1/4。
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于:还包括在所述绝热保温层的上方沉积栅绝缘层；在所述栅绝缘层上方形成栅金属薄膜，通过构图工艺形成栅电极的图案，并对所述有源层两端的区域进行掺杂处理以形成离子掺杂区；在所述栅电极上方形成层间绝缘层，并通过构图工艺形成贯穿所述绝热保温层、栅绝缘层和层间绝缘层的绝缘层过孔，从而露出所述有源层两端的离子掺杂区；在所述层间绝缘层上方形成源漏金属薄膜，并通过构图工艺形成源电极和漏电极，所述源电极和漏电极分别通过所述绝缘层过孔与所述有源层两端的离子掺杂区连接。
11.一种阵列基板，其特征在于，包含权利要求1-6任一项所述的低温多晶硅薄膜晶体管。
12.—种显示装置，其特征在于:包含权利要求11所述的阵列基板。
【文档编号】H01L51/56GK104078621SQ201410280920
【公开日】2014年10月1日 申请日期:2014年6月20日 优先权日:2014年6月20日
【发明者】白妮妮, 张琨鹏, 康峰, 高鹏飞, 韩帅, 刘宇 申请人:京东方科技集团股份有限公司, 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司