包含源自三嗪的化合物的膜以及由该膜形成的电子器件的制作方法

文档序号:7051641阅读:251来源:国知局
包含源自三嗪的化合物的膜以及由该膜形成的电子器件的制作方法
【专利摘要】本发明提供膜,其包括至少两个层,层A和层B;且其中层(A)由组合物A形成,所述组合物A包含至少一种有机金属化合物、和至少一种选自下列A至C的化合物,其中层B由组合物B形成,该组合物B包含至少一种“HTL化合物”;且其中层A与层B不邻接。
【专利说明】包含源自三嗪的化合物的膜以及由该膜形成的电子器件
[0001] 相关申请的引用
[0002] 本申请要求2013年6月21日提交的美国临时申请61/838, 035的优先权。

【背景技术】
[0003] 场致发光(EL)器件是显示器件,其利用包含有机芳族化合物作为场致发光层的一 堆膜层。参见,例如,美国公开2011/0095282, US2010/0039026 ;国际公开W02005/105950 ; Zong et al. , New Optoelectronic Materials Based on Bitriazines:Synthesis and Properties, Organic Letter,vol. 10,709-712 ;Zong et al. , New Conjugated Triazine Based Molecular Materials for Application in Optoelectronic Devices:Design, Synthesis, and Properties, J. of Phys. Chem.,115,2423-2427 ;Chen et al., 1,3, 5-Triazine Derivatives as New Electron Transport-Type Host Materials for Highly Efficient Green Phosphorescent 0LEDS, J. of Materials Chemistry,2009,19, 8112-8118。这些芳族化合物通常分类为场致发光材料和电荷运输材料。这些场致发光化 合物和电荷运输化合物所需的几种性质包括固态形式的高荧光量子产率,电子和空穴的高 迁移率,在真空中进行气相沉积过程中的化学稳定性,以及形成稳定膜的能力。这些所需特 性增加了 EL器件的寿命。持续需要改善的场致发光化合物和包含这类化合物的膜。


【发明内容】

[0004] 本发明提供膜,其包括至少两个层,层A和层B ;且其中层㈧由组合物A形成,所 述组合物A包含至少一种有机金属化合物、和至少一种选自下列A至C的化合物:
[0005] A)
[0006]

【权利要求】
1.膜,其包括至少两个层,层A和层B ;且 其中层(A)由组合物A形成,所述组合物A包含至少一种有机金属化合物、和至少一种 选自下列A至C的化合物: A)
其中,A是(CH),x、y、W、z各自独立地为O或4 ; 其中X = 4,且y = 0, z = 0或4,且w = 0或4,或 其中y = 4,且χ = 〇,z = 0,且w = 0或4,或 其中Z = 4,且x = 0或4, y = 0,且w = 0或4,或 其中 w = 4,且 x = 0,y = 0,z = 0;且 其中R各自独立地为C1-C20烷基或C6-C30芳基,各自具有或不具有取代基;任选地, 一组或多组"连接在相同碳原子上的两个R基团"各自可以形成一个或多个环结构; 且其中一个或多个氢可以任选被氘代替; B)
其中R各自独立地为C1-C20烷基或C6-C30芳基,各自具有或不具有取代基;任选地, 一组或多组"连接在相同碳原子上的两个R基团"各自可以形成一个或多个环结构; 且其中一个或多个氢可以任选被氘代替;或 OA和B的组合;且 其中层B由组合物B形成,该组合物B包含至少一种"HTL化合物";且 其中层A与层B不邻接。
2. 权利要求1的膜,其中所述至少一种化合物选自以下化合物:
其中R各自独立地为C1-C20烷基或C6-C30芳基,各自具有或不具有取代基; 且其中一个或多个氢可以任选被氘代替。
3. 权利要求1或权利要求2的膜,其中所述化合物选自B (结构2)。
4. 权利要求3的膜,其中R是C1-C20烷基。
5. 权利要求3或权利要求4的膜,其中所述化合物是以下化合物:
6. 权利要求1-5任一项的膜,其中组合物A的有机金属化合物是金属喹啉化物。
7. 前述权利要求任一项的膜,其中所述膜进一步包括第三层,即层C,其由包含至少一 种"HIL化合物"的组合物C形成。
8. 权利要求7的膜,其中所述HIL化合物包括芳族胺。
9. 包括至少一个由前述权利要求任一项的膜形成的组件的制品。
10. 权利要求9的制品,其中所述制品是场致发光装置。
【文档编号】H01L27/28GK104371706SQ201410280860
【公开日】2015年2月25日 申请日期:2014年6月20日 优先权日:2013年6月21日
【发明者】D.M.维尔什, K.M.科, R.D.弗洛斯 申请人:陶氏环球技术有限责任公司
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