技术特征：
1.一种背接触电池的金属化方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、形成一PN结构，该PN结构包括第一导电类型衬底，该第一导电类型衬底的背面中包括凹槽，以及位于该第一导电类型衬底的背面中的第一导电类型掺杂区域以及位于该凹槽表面中的第二导电类型掺杂区域；S2、在该PN结构的背面上沉积接触金属，该接触金属覆盖该第一导电类型掺杂区域、该第二导电类型掺杂区域以及该凹槽的侧壁；S3、在该接触金属上喷印或丝网印刷导电浆料以形成导电金属，从该第一导电类型衬底的法线方向来看，该导电金属分别形成于与该第一导电类型掺杂区域相应的区域以及与该第二导电类型区域相应的区域上，其中该导电浆料为低温退火或者低温固化的导电浆料，低温为80℃-650℃；S4、蚀刻步骤S3所得到的结构的背面以去除未被该导电金属覆盖的接触金属。2.如权利要求1所述的金属化方法，其特征在于，该接触金属选自铝、钛和镍；和/或，该导电浆料选自银浆和铝浆。3.如权利要求1所述的金属化方法，其特征在于，步骤S2中通过蒸镀的方式形成该接触金属。4.如权利要求1所述的金属化方法，其特征在于，该接触金属的厚度为1nm-5μm，和/或，该导电浆料的厚度为10nm-100μm。5.如权利要求1-4中任意一项所述的金属化方法，其特征在于，该凹槽为底部窄、顶部宽的楔形凹槽，其中，自该第一导电类型衬底的法线方向上看，该底部为接近该第一导电类型衬底的一侧，该顶部为远离该第一导电类型衬底的一侧。6.一种双面电池的金属化方法，其特征在于，包括以下步骤：T1、形成一PN结构，该PN结构包括第一导电类型衬底，位于该第一导电类型衬底背面中的第一导电类型掺杂层和位于该第一导电类型衬底正面中的第二导电类型掺杂层；T2、分别在该PN结构的正面和背面上沉积接触金属；T3、分别在正面和背面的接触金属上喷印或丝网印刷导电浆料以形成栅状的导电金属，其中该导电浆料为低温退火或者低温固化的导电浆料，低温为80℃-650℃；T4、蚀刻步骤T3所得到的结构的正面和背面以去除未被该导电金属覆盖的接触金属。7.如权利要求6所述的金属化方法，其特征在于，该接触金属选自铝、钛和镍；和/或，该导电浆料选自银浆和铝浆。8.如权利要求6所述的金属化方法，其特征在于，步骤T2中通过蒸镀的方式形成该接触金属。9.如权利要求6-8中任意一项所述的金属化方法，其特征在于，该接触金属的厚度为1nm-5μm，和/或，该导电浆料的厚度为10nm-100μm。