技术总结
本发明公开了一种背接触电池和双面电池的金属化方法，该背接触电池的金属化方法包括：S1、形成一PN结构，该PN结构包括第一导电类型衬底，和位于该第一导电类型衬底的背面中的第一导电类型掺杂区域以及位于凹槽表面中的第二导电类型掺杂区域；S2、在该PN结构的背面上沉积接触金属，该接触金属覆盖该第一导电类型掺杂区域、该第二导电类型掺杂区域以及该凹槽的侧壁；S3、在该接触金属上喷印或丝网印刷低温的导电浆料以形成导电金属；S4、蚀刻步骤S3所得到的结构的背面以去除未被该导电金属覆盖的接触金属。本发明的金属化方法采用了反向刻蚀的方式，将导电金属作为掩膜来保护无需刻蚀的部分，工艺简单，流程较少。
技术研发人员：金光耀;沈培俊;王懿喆;陈炯;洪俊华;
受保护的技术使用者：上海晶玺电子科技有限公司;
文档号码：201410766461
技术研发日：2014.12.11
技术公布日：2016.07.06