技术特征：
1.一种形成纳米线阵列的方法，包括：步骤1、在衬底上形成多个硬掩膜图形；步骤2、以所述多个硬掩膜图形为掩膜，对衬底执行刻蚀工艺，形成多个凹陷部和突出部；步骤3、执行氧化或氮化工艺，在多个凹陷部和突出部上形成氧化物或氮化物的保护层；步骤4、循环多次执行步骤2和步骤3，每个刻蚀周期留下的突出部形成各个纳米线；步骤5、清洗并去除多个硬掩膜图形。2.根据权利要求1的方法，其中，步骤2中刻蚀工艺进一步包括：a1、去除顶面的保护层；a2、各向异性刻蚀形成具有垂直侧壁的沟槽；a3、各向同性刻蚀形成凹陷部和突出部。3.根据权利要求1的方法，其中，纳米线的宽度小于突出部的宽度。4.根据权利要求3的方法，其中，突出部的宽度小于每个硬掩膜图形的宽度。5.根据权利要求2的方法，其中，步骤a1采用碳氟基刻蚀气体进行等离子干法刻蚀。6.根据权利要求2的方法，其中，步骤a2采用氯基或溴基刻蚀气体进行等离子体干法刻蚀。7.根据权利要求2的方法，其中，步骤a3采用氟基刻蚀气体进行等离子体干法刻蚀。8.根据权利要求1的方法，其中，步骤3采用氧化或氮化性气体进行等离子体氧化或氮化工艺。9.根据权利要求5的方法，其中，碳氟基刻蚀气体采用选自He、Ar或其组合的气体进行稀释。10.根据权利要求1的方法，其中，步骤3采用DHF、BOE、HF等溶液进行湿法清洗。