技术总结
一种形成纳米线阵列的方法，包括：步骤1、在衬底上形成多个硬掩膜图形；步骤2、以所述多个硬掩膜图形为掩膜，对衬底执行刻蚀工艺，形成多个凹陷部和突出部；步骤3、执行氧化或氮化工艺，在多个凹陷部和突出部上形成氧化物的保护层；步骤4、循环多次执行步骤2和步骤3，留下的突出部形成多个纳米线；步骤5、清洗并去除多个硬掩膜图形。依照本发明的形成纳米线阵列的方法，在同一个腔室内交替进行等离子体刻蚀与氧等离子体氧化，与现有的CMOS工艺兼容并且无需额外的自限制氧化工艺，降低了成本、提高了效率。
技术研发人员：洪培真;徐秋霞;殷华湘;李俊峰;赵超;
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所;
文档号码：201410768407
技术研发日：2014.12.11
技术公布日：2016.07.06