1.一种半导体器件，包括：
多个鳍片，在衬底上沿第一方向延伸；
多个栅极堆叠和多个接触线条，在衬底上沿第二方向延伸并跨越多个鳍片；
绝缘层，填充在多个栅极堆叠和多个接触线条之间；
源漏区，在多个鳍片中、分布在多个栅极堆叠两侧；
其中，相邻两个栅极堆叠之间有一个或多个接触线条，接触线条在源漏区上构成源漏接触。
2.如权利要求1的半导体器件，其中，衬底为厚衬底或SOI衬底。
3.如权利要求1的半导体器件，其中，多个栅极堆叠的每一个包括高k材料的栅极绝缘层以及金属材料的栅极导电层。
4.如权利要求1的半导体器件，其中，源漏区上包括金属硅化物。
5.如权利要求1的半导体器件，其中，多个栅极堆叠和多个接触线条具有相同的间距和尺寸。
6.如权利要求1的半导体器件，其中，多个栅极堆叠和多个接触线条沿第二方向的起始位置和/或长度相同。
7.如权利要求1的半导体器件，其中，多个栅极堆叠的每一个两侧为源区或漏区之一，多个接触线条两侧为同一个源区或漏区。
8.一种半导体器件制造方法，包括：
在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片；
在衬底上形成沿第二方向延伸的多个牺牲栅极堆叠和多个牺牲接触堆叠，跨越多个鳍片；
在多个鳍片中、多个牺牲栅极堆叠的两侧形成源漏区；
在多个牺牲栅极堆叠和多个牺牲接触堆叠之间形成绝缘层；
选择性刻蚀去除多个牺牲栅极堆叠，在绝缘层中留下第一开口，在第一开口中填充多个栅极堆叠；
选择性刻蚀去除多个牺牲接触堆叠，在绝缘层中留下第二开口，在第二开口中填充多个接触线条。
9.如权利要求8的半导体器件制造方法，其中，形成多个牺牲栅极堆叠和多个牺牲接触堆叠的步骤进一步包括：
在衬底上形成牺牲堆叠，包括衬垫层、牺牲层和盖层，跨越并\t覆盖多个鳍片；
在牺牲堆叠上形成沿第二方向延伸的多个栅极掩模；
刻蚀牺牲堆叠，直至暴露牺牲层，留下沿第二方向延伸的多个盖层线条；
在多个盖层线条之间形成一个或多个接触掩模；
刻蚀牺牲堆叠，直至暴露多个鳍片，留下由与多个栅极掩模共形的衬垫层、牺牲层和盖层组成的多个牺牲栅极堆叠，以及由与接触掩模共形的衬垫层和牺牲层组成的多个牺牲接触堆叠。
10.如权利要求9的半导体器件制造方法，其中，衬垫层包括氧化硅，牺牲层包括非晶硅、多晶硅、非晶锗、非晶碳、类金刚石无定形碳(DLC)及其组合，盖层包括氮化硅、氮氧化硅及其组合。
11.如权利要求8的半导体器件制造方法，其中，多个牺牲栅极堆叠和多个牺牲接触堆叠具有相同的间距和尺寸，沿第二方向的起始位置和/或长度相同。
12.如权利要求8的半导体器件制造方法，其中，离子注入形成轻掺杂源漏区和/或重掺杂源漏区。
13.如权利要求8的半导体器件制造方法，其中，采用共形沉积工艺形成绝缘层。
14.如权利要求9的半导体器件制造方法，其中，在绝缘层中留下第一开口的步骤进一步包括：依次选择性刻蚀多个牺牲栅极堆叠的盖层、牺牲层、衬垫层直至暴露多个鳍片，多个牺牲接触堆叠受到绝缘层保护不被刻蚀。
15.如权利要求8的半导体器件制造方法，其中，多个栅极堆叠的每一个包括高k材料的栅极绝缘层以及金属材料的栅极导电层。
16.如权利要求9的半导体器件制造方法，其中，在绝缘层中留下第二开口的步骤进一步包括：CMP平坦化绝缘层直至暴露多个牺牲接触堆叠的牺牲层，依次选择性刻蚀多个牺牲接触堆叠的牺牲层、衬垫层直至暴露多个鳍片。
17.如权利要求8的半导体器件制造方法，其中，在第二开口中填充多个接触线条进一步包括：在源漏区上形成金属硅化物；在金属硅化物上形成阻挡层；在阻挡层上形成源漏接触。
18.如权利要求14或16的半导体器件制造方法，其中，刻蚀去除盖\t层、牺牲层、衬垫层的刻蚀工艺为选择性干法刻蚀或者湿法刻蚀。