一种屏蔽绝缘铝排及输配电系统的制作方法
【专利摘要】本申请公开了一种屏蔽绝缘铝排及输配电系统，屏蔽绝缘铝排包括导体、包裹在所述导体外壁的屏蔽层和套设在所述屏蔽层外侧的绝缘层，所述屏蔽层为半导电硅橡胶材料的屏蔽层，所述绝缘层为绝缘硅橡胶材料的绝缘层，所述屏蔽层和所述绝缘层通过双层共挤挤出机共挤成型到所述导体的外壁。从上述技术方案可以看出，本实用新型提供的屏蔽绝缘铝排利用半导电硅橡胶制作的屏蔽层和绝缘硅橡胶制作的绝缘层包裹导体，屏蔽层和绝缘层均为硅橡胶，屏蔽层可以保证导体外壁与屏蔽层之间的电场均匀分布，绝缘硅橡胶能够起到良好的绝缘作用，有效避免了铝排在使用过程中相间短路情况的发生，提高了铝排使用的安全性能。
【专利说明】一种屏蔽绝缘铝排及输配电系统
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及输配电导电装置绝缘防护【技术领域】，特别涉及一种屏蔽绝缘铝排及输配电系统。
【背景技术】
[0002]铝排的绝缘性能是配电系统技术的一个重要环节。国内很多厂家目前采用的是用热缩套管套设在导电材料表面进行热缩绝缘，或者人工包扎绝缘材料或者浇注绝缘树脂绝缘等方法进行绝缘处理，但是经过上述绝缘处理的铝排的绝缘强度不能满足要求，尤其在高压输配电系统中容易发生相间短路等问题，影响设备的正常运行且存在较大的安全隐串
■/Q1、O
[0003]因此，如何提高铝排的绝缘性能，成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。实用新型内容
[0004]有鉴于此，本实用新型提供了一种屏蔽绝缘铝排及输配电系统，以提高铝排的绝缘性能。
[0005]为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案:
[0006]一种屏蔽绝缘铝排，包括导体(I)、包裹在所述导体(I)外壁的屏蔽层(2)和套设在所述屏蔽层(2)外侧的绝缘层(3)，所述屏蔽层(2)为半导电硅橡胶屏蔽层，所述绝缘层
(3)为绝缘硅橡胶绝缘层，所述屏蔽层(2)和所述绝缘层(3)通过双层共挤挤出机共挤成型到所述导体⑴的外壁。
[0007]优选的，所述屏蔽层(2)为经过硫化处理的屏蔽层，所述绝缘层(3)为经过硫化处理的绝缘层。
[0008]优选的，所述导体⑴为铝排。
[0009]优选的，所述导体(I)为经过去毛刺处理的导体。
[0010]优选的,所述屏蔽层(2)的厚度为0.5mm。
[0011]优选的，所述绝缘层(3)的厚度为8-10mm中的任意一个值。
[0012]优选的，所述绝缘层(3)的厚度为15-28_中任意一个值。
[0013]优选的，所述屏蔽层(2)为经过防紫外线整理剂浸轧处理的屏蔽层，所述绝缘层
(3)为经过防紫外线整理剂浸轧处理的绝缘层。
[0014]一种输配电系统，包括:上述任意一项所述屏蔽绝缘铝排。
[0015]从上述技术方案可以看出，本实用新型提供的屏蔽绝缘铝排利用半导电硅橡胶制作的屏蔽层和绝缘硅橡胶制作的绝缘层包裹导体代替现有技术中通过用热缩套管套设在导电材料表面进行热缩绝缘，或者人工包扎绝缘材料或者浇注绝缘树脂绝缘等方法进行绝缘处理方法，屏蔽层和绝缘层均为硅橡胶，屏蔽层可以保证导体外壁与屏蔽层之间的电场均匀分布，绝缘硅橡胶能够起到良好的绝缘作用，有效避免了铝排在使用过程中相间短路情况的发生，提高了铝排使用的安全性能。
【专利附图】
【附图说明】
[0016]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0017]图1为本实用新型实施例提供的屏蔽绝缘铝排横剖截面的结构示意图；
[0018]图2为本实用新型实施例提供的屏蔽绝缘铝排纵剖截面的结构示意图；
[0019]图3为本实用新型实施例提供的屏蔽绝缘铝排的一种生产流程图；
[0020]图4为本实用新型实施例提供的屏蔽绝缘铝排的另一种生产流程图。
【具体实施方式】
[0021]本实用新型公开了一种屏蔽绝缘铝排，以提高铝排的绝缘性能。
[0022]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0023]请参阅图1-图4，图1为本实用新型实施例提供的屏蔽绝缘铝排横剖截面的结构示意图；图2为本实用新型实施例提供的屏蔽绝缘铝排纵剖截面的结构示意图；图3为本实用新型实施例提供的屏蔽绝缘铝排的一种生产流程图；图4为本实用新型实施例提供的屏蔽绝缘铝排的另一种生产流程图。
[0024]一种屏蔽绝缘铝排，包括导体1、包裹在导体I外壁的屏蔽层2和套设在屏蔽层2外侧的绝缘层3，屏蔽层2为半导电硅橡胶屏蔽层，绝缘层3为绝缘硅橡胶绝缘层，屏蔽层2和绝缘层3通过双层共挤挤出机共挤成型到导体I的外壁。
[0025]在本方案中，导体I为铝排。
[0026]屏蔽层2为半导电硅橡胶屏蔽层即屏蔽层2为半导电硅橡胶材料的屏蔽层，绝缘层3为绝缘硅橡胶绝缘层即绝缘层3为绝缘硅橡胶材料的绝缘层。
[0027]本方案提供的屏蔽绝缘铝排，用半导电硅橡胶材料的屏蔽层2和绝缘硅橡胶材料的绝缘层3代替现有技术中在导电材料表面套设热缩绝缘，或者人工包扎绝缘材料或者浇注绝缘树脂绝缘等绝缘处理方式，屏蔽层可以保证导体外壁与屏蔽层之间的电场均匀分布，绝缘硅橡胶能够起到良好的绝缘作用，能够有效避免高压输配电系统中相间短路等情况的发生。
[0028]屏蔽层2和绝缘层3通过双层共挤挤出机共挤成型到导体I的外壁，屏蔽层2和绝缘层3在高温和挤出压力的作用下，使半导电硅橡胶层和绝缘硅橡胶层紧密结合，层间无缝隙，屏蔽层2还可以有效屏蔽外来电磁干扰，减少设备运行过程中产生的附加损耗。绝缘层3和屏蔽层2通过双层共挤挤出机与导体I连接，相对与现有技术中的在导电材料表面套设热缩绝缘，或者人工包扎绝缘材料或者烧注绝缘树脂绝缘等绝缘处理方式，提高了生产效率和产品合格率，且能够实现自动化生产，降低了人工劳动强度。
[0029]本方案提供的屏蔽层2、绝缘层3和导体I的连接通过共挤成型技术实现，共挤成型技术为将两种不同的材料或不同颜色的相同材料通过双层共挤挤出机共挤挤出加工成型的技术，共挤成型技术是现有技术中的常用技术。
[0030]本方案提供的屏蔽绝缘铝排的生产效率为人工手动制作屏蔽绝缘铝排的20倍，且成本为现有技术的1/3。通过双层共挤挤出机成型的屏蔽层2和绝缘层3的各处厚度相同，减少了设备运行过程中的涡流损耗。
[0031]屏蔽层2为半导电硅橡胶材料，绝缘层3为绝缘硅橡胶材料，硅橡胶无味无毒；耐高温和低温，在300°C和-90°C的条件下仍然具有良好的强度和弹性；具有良好的电绝缘性；耐氧化抗老性；耐光抗老化性；化学性质稳定。
[0032]将半导电硅橡胶经过钼金催化剂处理后放入开放式炼胶机进行处理，绝缘硅橡胶经过钼金催化剂处理后放入开放式炼胶机进行处理，然后将上述经过处理的半导电硅橡胶和绝缘硅橡胶通过双层共挤挤出机挤包到铝排的外壁。
[0033]屏蔽层2的厚度为0.5mm。根据屏蔽绝缘铝排的使用条件不同，绝缘层3的厚度不同:对于1kv的使用情况,绝缘层3的厚度为8-10mm中的任意一个值,对于35kv的使用情况，绝缘层3的厚度为15-28mm中的任意一个值。
[0034]为了进一步优化上述技术方案，在本实用新型的一具体实施例中，屏蔽层2为经过硫化处理的屏蔽层，绝缘层3为经过硫化处理的绝缘层，将通过双层共挤挤出机生产的屏蔽层2和绝缘层3送入硫化装置进行硫化处理，经过硫化处理的硅橡胶内的分子结构由线性分子结构变成网状分子结构，可以进一步提高硅橡胶的耐热性、抗老化性和耐应力开裂性，进一步延长了屏蔽绝缘管状母线的使用寿命，安全系数更高。本方案使用的防紫外线整理剂的浓度为15-50g/L中任意一个值。
[0035]为了进一步保证铝排的安装质量，导体I的外壁进行去氧化膜和毛刺处理，然后对导体I的外壁进行酒精或者丙酮处理，上述处理的目的是使导体I的外壁光滑，不会对屏蔽层2造成损伤，影响屏蔽绝缘铝排的使用效果。
[0036]本方案提供的屏蔽绝缘铝排的生产过程如图3所示，具体为:
[0037]步骤11:用砂纸去除导体I表面的氧化膜和毛刺，然后用酒精或者丙酮将上述处理的铝排的表面进行洁净处理(即去毛刺处理过程)；
[0038]步骤12:对经过步骤11处理的导体I进行预热处理；
[0039]步骤13:将分别经过钼金催化剂处理的半导电硅橡胶和绝缘硅橡胶放入开放式炼胶机；
[0040]步骤14:根据导体I的尺寸选择适当的双层共挤挤出机，将半导电硅橡胶和绝缘硅橡胶放入上述选好的双层共挤挤出机，调整好相应参数将屏蔽层2和绝缘层3挤包到导体I的外壁；
[0041]步骤15:将步骤14中挤包成功的导体I放入硫化装置中进行硫化处理。
[0042]当然，在上述屏蔽绝缘铝排的基础上，为了使屏蔽绝缘铝排具有更好的防紫外线效果，屏蔽层2可以为经过防紫外线整理剂浸轧处理的屏蔽层，绝缘层3可以为经过防紫外线整理剂浸轧处理的绝缘层。经过双层共挤挤出机挤包成型的屏蔽层2和绝缘层3需要经过防紫外线整理剂的浸轧，防紫外线整理剂具有优异耐久的吸收紫外线性能及紫外线遮断屏蔽效果，尤其是对180-400nm波段的紫外线具有良好的吸收效果，且能对紫外线进行有效的反射和散射。本方案中使用的防紫外线整理剂的浓度为15-50g/L。
[0043]在屏蔽层2可以为经过防紫外线整理剂浸轧处理的屏蔽层，绝缘层3可以为经过防紫外线整理剂浸轧处理的绝缘层时对应的屏蔽绝缘铝排的生产过程如图4所示，具体为:
[0044]步骤21:用砂纸去除导体I表面的氧化膜和毛刺，然后用酒精或者丙酮将上述处理的铝排的表面进行洁净处理(即去毛刺处理过程)；
[0045]步骤22:对经过步骤21处理的导体I进行预热处理；
[0046]步骤23:将分别经过钼金催化剂处理的半导电硅橡胶和绝缘硅橡胶放入开放式炼胶机；
[0047]步骤24:根据导体I的尺寸选择适当的双层共挤挤出机，将半导电硅橡胶和绝缘硅橡胶放入上述选好的双层共挤挤出机，调整好相应参数将屏蔽层2和绝缘层3挤包到导体I的外壁；
[0048]步骤25:将挤包成功的导体I放在配置好的防紫外线整理剂中进行浸轧处理，浸轧时间为30秒，处理完成后，进行烘干处理，烘干温度为:90°C -1lO0C ；
[0049]步骤26:将步骤25中经过处理的导体I放入硫化装置中进行硫化处理。
[0050]本实用新型还提供了一种输配电系统，包括上述所述的屏蔽绝缘铝排。输配电系统应用上述所述的屏蔽绝缘铝排，可以提高输配电系统安全运行的可靠性。
[0051]对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
【权利要求】
1.一种屏蔽绝缘铝排，其特征在于，包括导体(I)、包裹在所述导体(I)外壁的屏蔽层(2)和套设在所述屏蔽层(2)外侧的绝缘层(3)，所述屏蔽层(2)为半导电硅橡胶屏蔽层，所述绝缘层(3)为绝缘硅橡胶绝缘层，所述屏蔽层(2)和所述绝缘层(3)通过双层共挤挤出机共挤成型到所述导体(I)的外壁。
2.根据权利要求1所述的屏蔽绝缘铝排，其特征在于，所述屏蔽层(2)为经过硫化处理的屏蔽层，所述绝缘层(3)为经过硫化处理的绝缘层。
3.根据权利要求1所述的屏蔽绝缘铝排，其特征在于，所述导体(I)为铝排。
4.根据权利要求1所述的屏蔽绝缘铝排，其特征在于，所述导体(I)为经过去毛刺处理的导体。
5.根据权利要求1所述的屏蔽绝缘铝排，其特征在于，所述屏蔽层(2)的厚度为0.5mmο
6.根据权利要求5所述的屏蔽绝缘铝排，其特征在于，所述绝缘层(3)的厚度为8-10mm中的任意一个值。
7.根据权利要求5所述的屏蔽绝缘铝排，其特征在于，所述绝缘层(3)的厚度为15-28mm中任意一个值。
8.根据权利要求1所述的屏蔽绝缘铝排，其特征在于，所述屏蔽层(2)为经过防紫外线整理剂浸轧处理的屏蔽层，所述绝缘层(3)为经过防紫外线整理剂浸轧处理的绝缘层。
9.一种输配电系统，其特征在于，包括:如权利要求1-8任意一项所述屏蔽绝缘铝排。
【文档编号】H01B7/08GK204117670SQ201420447635
【公开日】2015年1月21日 申请日期:2014年8月8日 优先权日:2014年8月8日
【发明者】孙爱勤, 邵成才 申请人:上海振大电器成套有限公司