技术特征：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括
提供包括第一区域和第二区域的基底，所述第一区域部分基底上形成有
第一伪栅，所述第二区域部分基底上形成有第二金属栅极，所述第一区域和
第二区域基底表面还形成有层间介质层，且所述层间介质层覆盖于第一伪栅
侧壁表面和第二金属栅极侧壁表面；
刻蚀去除所述第一伪栅，在第一区域层间介质层内形成第一开口，且所
述第一开口内和第二金属栅极表面形成有刻蚀副产物；
对所述第一开口和第二金属栅极表面进行第一刻蚀后处理，刻蚀去除所
述刻蚀副产物，且在第一刻蚀后处理之后，第二金属栅极表面有氟残留；
对所述第二金属栅极表面进行第二刻蚀后处理，刻蚀去除所述氟残留，
所述第二刻蚀后处理的处理气体包括一氧化碳；
在所述第二刻蚀后处理之后，形成填充满所述第一开口的第一金属栅极。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，采用同步脉
冲法进行所述第一刻蚀后处理；所述第一刻蚀后处理的处理气体包括CF4或C4F8。
3.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一刻
蚀后处理的处理气体还包括Cl2或Ar。
4.根据权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一刻
蚀后处理的工艺参数为：CF4流量为50sccm至500sccm，Cl2流量为0sccm
至100sccm，Ar流量为50sccm至500sccm，提供源功率为100瓦至2000
瓦，源功率的占空比为10％至80％，提供偏置功率为0瓦至200瓦，偏置
功率的占空比为10％至80％，源功率和偏置功率的脉冲频率为100赫兹至
10千赫兹，反应腔室压强为10毫托至500毫托。
5.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，采用同步脉
冲法进行所述第二刻蚀后处理。
6.根据权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二刻
蚀后处理的工艺参数为：CO流量为50sccm至500sccm，提供源功率为100
\t瓦至2000瓦，源功率的占空比为10％至80％，提供偏置功率为0瓦至200
瓦，偏置功率的占空比为10％至80％，源功率和偏置功率的脉冲频率为100
赫兹至10千赫兹，反应腔室压强为10毫托至500毫托。
7.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在进行所述
第二刻蚀处理之后、形成所述第一金属栅极之前，还包括步骤：对所述第
二金属栅极表面进行氮化处理，将部分第二金属栅极转化为金属氮化层。
8.根据权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，采用同步脉
冲法进行所述氮化处理；采用NH3进行所述氮化处理。
9.根据权利要求8所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述氮化处
理的工艺参数为：NH3流量为50sccm至500sccm，Ar流量为50sccm至
500sccm，提供源功率为100瓦至2000瓦，源功率的占空比为10％至80％，
提供偏置功率为0瓦至200瓦，偏置功率的占空比为10％至80％，源功率
和偏置功率的脉冲频率为100赫兹和10千赫兹，反应腔室压强为10毫托
至500毫托。
10.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，采用同步脉
冲干法刻蚀工艺刻蚀去除所述第一伪栅。
11.根据权利要求10所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述同步脉
冲干法刻蚀工艺的工艺参数为：刻蚀气体包括HBr和O2，HBr流量为
50sccm至500sccm，O2流量为5sccm至100sccm，提供源功率为500瓦至
2500瓦，源功率的占空比为10％至80％，提供偏置功率为0瓦至500瓦，
偏置功率的占空比为10％至80％，源功率和偏置功率的脉冲频率为100赫
兹至10千赫兹，刻蚀腔室压强为10毫托至200毫托。
12.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述基底还
包括第三区域；且在刻蚀去除所述第一伪栅之前，在所述第三区域基底上
形成硬掩膜层。
13.根据权利要求12所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述硬
掩膜层的工艺步骤包括：在所述第三区域基底上、第一伪栅表面、第二金
属栅极表面、以及层间介质层表面形成初始硬掩膜层，所述初始硬掩膜层
\t的材料为TiN或TaN；采用干法刻蚀工艺刻蚀所述初始硬掩膜层，暴露出
第一伪栅表面、第二金属栅极表面、以及第一区域和第二区域层间介质层
表面，形成所述硬掩膜层，所述刻蚀初始硬掩膜层的刻蚀气体包括Cl2。
14.根据权利要求13所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，采用同步脉
冲刻蚀工艺刻蚀所述初始硬掩膜层；所述同步脉冲刻蚀工艺的工艺参数为：
Cl2流量为50sccm至500sccm，O2流量为0sccm至100sccm，He流量为
50sccm至500sccm，提供源功率为100瓦至2000瓦，源功率占空比为10％
至80％，偏置功率为0瓦至200瓦，偏置功率占空比为10％至80％，脉冲
频率为100赫兹至10千赫兹。
15.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述基底与
第二金属栅极之间形成有第二栅介质层；所述基底与第一金属栅极之间形
成有第一栅介质层。
16.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一金
属栅极包括：位于第一开口底部和侧壁表面的第一功函数层；位于第一功
函数层表面且填充满所述第一开口的第一金属体层，且所述第一金属体层
顶部与第一区域层间介质层顶部齐平。
17.根据权利要求16所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第
一金属栅极的工艺步骤包括：在所述第一开口底部和侧壁表面形成第一功
函数层，且所述第一功函数层还覆盖于层间介质层表面以及金属氮化层表
面；在所述第一功函数层表面形成第一金属体层，所述第一金属体层填充
满第一开口；采用化学机械研磨工艺，研磨去除高于第一区域层间介质层
表面的第一金属体层以及第一功函数层。
18.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二金
属栅极包括：第二功函数层以及位于第二功函数层表面的第二金属体层，
且所述第二金属体层顶部与第二区域层间介质层顶部齐平。
19.根据权利要求18所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二金
属体层的材料包括铜、铝或钨。
20.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一区
\t域为NMOS区域或PMOS区域；所述第二区域为NMOS区域或PMOS区
域，且所述第一区域与第二区域的区域类型不同。