技术总结
一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底，第一区域部分基底上形成有第一伪栅，第二区域部分基底上形成有第二金属栅极，基底表面还形成有层间介质层；刻蚀去除第一伪栅，在第一区域层间介质层内形成第一开口，且第一开口内和第二金属栅极表面形成有刻蚀副产物；对第一开口和第二金属栅极表面进行第一刻蚀后处理，刻蚀去除刻蚀副产物，且在第一刻蚀后处理之后，第二金属栅极表面有氟残留；采用一氧化碳气体对第二金属栅极表面进行第二刻蚀后处理，刻蚀去除氟残留；在第二刻蚀后处理之后，形成填充满第一开口的第一金属栅极。本发明去除第二金属栅极表面的氟残留，防止第二金属栅极受到损伤，提高形成的半导体器件的电学性能。
技术研发人员：张海洋;黄瑞轩;
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;
文档号码：201510010127
技术研发日：2015.01.08
技术公布日：2016.08.03