1.硅片用于硅片的无去边LTO背封层结构，其特征在于，包括：
二氧化硅背封层，所述二氧化硅背封层覆盖在硅片的背面、背面斜边区及边缘区。
2.根据权利要求1所述的硅片用于硅片的无去边LTO背封层结构，其特征在于，所述二氧化硅背封层的厚度为0.2微米～1.2微米。
3.根据权利要求1～2所述的硅片用于硅片的无去边LTO背封层结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
第一步，在硅片上采用常压化学气相沉积法生长二氧化硅背封层，覆盖硅片的背面、背面斜边区、边缘区及正面斜边区；
第二步，在硅片的正面斜边区域进行边缘抛光，抛除二氧化硅背封层；
第三步，在硅片的正面进行抛光。