发光二极管芯片、发光装置及发光二极管的晶圆级结构的制作方法

技术特征：

1.一种发光装置，其特征在于，包括：

发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括，

发光二极管结构层，具有第一面以及相对于所述第一面的第二面；

两个电极，配置于所述第一面上；以及

成长基底，包括面向所述发光二极管结构层的第三面、相对于所述第三面的第四面、以及连接在所述第三面与所述第四面之间的侧面，

其中，所述成长基底为可透光且设置于所述发光二极管结构层的所述第二面上，所述第四面的面积大于所述第三面的面积，且从所述第三面至所述第四面的方向上，所述成长基底的所述侧面的至少一部分为倾斜或弧状；

以及封装物，所述封装物覆盖所述成长基底的所述第四面，并暴露两个所述电极；

其中，所述发光装置没有引线架。

2.一种发光装置，其特征在于，包括：

发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括，

发光二极管结构层，具有第一面以及相对于所述第一面的第二面；

两个电极，配置于所述第一面上；以及

成长基底，包括面向所述发光二极管结构层的第三面、相对于所述第三面的第四面、以及连接在所述第三面与所述第四面之间的侧面，

其中，所述成长基底为可透光且设置于所述发光二极管结构层的所述第二面上，所述第四面的面积大于所述第三面的面积，且从所述第三面至所述第四面的方向上，所述成长基底的所述侧面的至少一部分为倾斜或弧状；且在所述方向上，邻接于所述第三面的所述侧面的第一部分为倾斜或弧状，且连接于所述第一部分以及所述第四面之间的所述侧面的第二部分为平面且垂直于所述第四面；

以及封装物，所述封装物覆盖所述成长基底的所述第四面，并暴露两个所述电极；

其中，所述发光装置没有引线架。

3.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，所述封装物暴露所述发光二极管结构层的所述第一面，所述封装物具有与所述第一面共面的第五面。

4.根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于，所述发光装置还包括覆盖所述封装物的所述第五面的至少一部份的反射层。

5.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，在所述方向上，邻接于所述第三面的所述侧面的第一部分为内凹弧状，且连接于所述第一部分以及所述第四面之间的所述侧面的第二部分为平面且垂直于所述第四面。

6.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，所述成长基底还包括在所述侧面的所述弧状部分上的非平坦结构。

7.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，所述发光二极管芯片还包括覆盖所述发光二极管结构层的所述第一面的至少一部分的反射层，所述反射层绝缘于两个所述电极。

8.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，两个所述电极的端面为彼此共面。