1.一种肖特基二极管的加工方法，其特征在于，包括：
在形成有氮化镓层的基底的正面依次形成氮镓铝层和复合绝缘层，所述复合绝缘层包括层叠的第一绝缘层和第二绝缘层；
去除所述氮化镓层的阴极区域上方对应的复合绝缘层，以形成暴露出所述氮化镓层的阴极区域的第一接触孔；
去除所述氮化镓层的阳极区域上方对应的复合绝缘层，以形成暴露出所述氮化镓层的阳极区域的第二接触孔，其中，所述第一绝缘层对应的第二接触孔的孔径大于所述第二绝缘层对应的第二接触孔的孔径；
在所述第一接触孔和所述第二接触孔形成金属电极，以完成所述肖特基二极管的制作。
2.根据权利要求1所述的肖特基二极管的加工方法，其特征在于，在形成有氮化镓层的基底的正面依次形成氮镓铝层和复合绝缘层，包括以下具体步骤：
在所述半导体基底的正面依次形成所述氮化镓层和所述氮镓铝层后，采用化学气相淀积工艺在所述氮镓铝层上方形成所述第一绝缘层，其中，所述第一绝缘层为氮化硅层。
3.根据权利要求2所述的肖特基二极管的加工方法，其特征在于，在形成有氮化镓层的基底的正面依次形成氮镓铝层和复合绝缘层，还包括以下具体步骤：
在所述第一绝缘层上形成有机氧化层和/或无机氧化层，以所述有机氧化层和/或所述无机氧化层作为所述第二绝缘层，其中，所述无机氧化层包括氧化硅层，所述有机氧化层包括硅酸四乙酯层。
4.根据权利要求3所述的肖特基二极管的加工方法，其特征在于，在所述第一绝缘层上形成有机氧化层和/或无机氧化层，以所述有机氧化层和/或所述无机氧化层作为所述第二绝缘层，包括以下具体步骤：
采用热氧化工艺在所述第一绝缘层上形成所述氧化层。
5.根据权利要求3所述的肖特基二极管的加工方法，其特征在于，在所述第一绝缘层上形成有机氧化层和/或无机氧化层，以所述有机氧化层和/或所述无机氧化层作为所述第二绝缘层，还包括以下具体步骤：
采用化学气相淀积工艺在所述第一绝缘层上形成所述氧化层。
6.根据权利要求3所述的肖特基二极管的加工方法，其特征在于，在所述第一绝缘层上形成有机氧化层和/或无机氧化层，以所述有机氧化层和/或所述无机氧化层作为所述第二绝缘层，还包括以下具体步骤：
采用低压四硅酸乙酯淀积工艺在所述第一绝缘层上形成所述四硅酸乙酯层。
7.根据权利要求3至6中任一项所述的肖特基二极管的加工方法，其特征在于，在所述第一接触孔和所述第二接触孔形成金属电极，以完成所述肖特基二极管的制作，包括以下具体步骤：
采用金属溅射工艺、蒸镀工艺和电镀工艺中的一种工艺或多种工艺的任意组合，在所述第一接触孔中形成所述阴极区域的阴极电极。
8.根据权利要求4所述的肖特基二极管的加工方法，其特征在于，去除所述氮化镓层的阳极区域上方对应的复合绝缘层，以形成暴露出所述氮化镓层的阳极区域的第二接触孔，还包括以下具体步骤：
在形成所述阴极电极后，采用刻蚀工艺对所述第二绝缘层进行图形化处理，以形成第二绝缘层掩膜；
在形成所述第二绝缘层掩膜后，对所述第一绝缘层进行光刻处理和刻蚀处理，以形成所述第二接触孔，
其中，所述第二绝缘层掩膜的横截面积小于经过刻蚀的第一绝缘层的横截面积，将经过刻蚀的第一绝缘层中且未被所述第二绝缘层掩膜覆盖的区域作为附加电极区域。
9.根据权利要求5所述的肖特基二极管的加工方法，其特征在于，在所述第一接触孔和所述第二接触孔形成金属电极，以完成所述肖特基二极管的制作，还包括以下具体步骤：
采用金属溅射工艺、蒸镀工艺和电镀工艺中的一种工艺或多种工艺的任意组合，在所述第二接触孔中形成所述阴极区域的阴极区域电极，
其中，所述阴极区域电极、所述附加电极区域的电极和所述阴极区域对应的氮镓铝层共同构成了所述肖特基二极管的阳极电极。
10.一种肖特基二极管，其特征在于，采用如权利要求书1至9中任一项所述的肖特基二极管的加工方法制作而成。