技术总结
本发明提供了一种肖特基二极管的加工方法和肖特基二极管，其中肖特基二极管的加工方法包括：在形成有氮化镓层的基底的正面依次形成氮镓铝层和复合绝缘层，所述复合绝缘层包括层叠的第一绝缘层和第二绝缘层；去除所述氮化镓层的阴极区域上方对应的复合绝缘层，以形成暴露出所述氮化镓层的阴极区域的第一接触孔；去除所述氮化镓层的阳极区域上方对应的复合绝缘层，以形成暴露出所述氮化镓层的阳极区域的第二接触孔，其中，所述第一绝缘层对应的第二接触孔的孔径大于所述第二绝缘层对应的第二接触孔的孔径；在所述第一接触孔和所述第二接触孔形成金属电极，以完成所述肖特基二极管的制作。通过本发明的技术方案，能够减少反向漏电，优化器件结构。
技术研发人员：刘美华;陈建国;林信南
受保护的技术使用者：北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
文档号码：201510329110
技术研发日：2015.06.15
技术公布日：2017.01.11