1.一种垂直双扩散MOS器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上依次形成有外延层、栅氧化层和多晶栅极，去除预设区域内的多晶栅极和部分栅氧化层，以保留预设厚度的栅氧化层，形成凹槽；
通过进行体区注入，形成位于所述凹槽下方的所述外延层表面内的第一注射区；
在整个器件的表面上沉积第一氮化硅层；
通过刻蚀，去除位于所述多晶栅极上方和位于所述凹槽底部的第一氮化硅层，保留形成于所述凹槽侧壁上的第一氮化硅层侧墙；
通过进行源区注入，形成位于所述第一注射区内的第二注射区；
对整个器件进行加热，以对所述第一注射区和所述第二注射区进行驱入，以形成源区和体区。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设厚度为200埃。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述体区注入的注入能量为50KeV-150KeV，剂量为1×1013-5×1013ions/cm2，注入元素为硼元素。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一氮化硅层的厚度为500埃-1500埃。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述进行源区注入的注入方式为自对准注入。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述源区注入的注入能量为80KeV-150KeV，注入剂量为1×1015-8×1015ions/cm2，注入元素为砷元素。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对整个器件进行加热的加热温度为1100℃-1200℃，加热时间为120min-200min。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在整个器件的表面上沉积介质层，对位于所述源区中央的预设区域及其上方的区域进行刻蚀，直至将源区刻穿，露出所述体区的表面，形成第二凹槽和位于所述第二凹槽外围的源区。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
通过注入，形成位于所述第二凹槽外围的源区之间的区域下方，且位于所述体区内的注入区，所述注入区扩散至所述源区的下方；
形成位于整个器件表面上的金属层。