技术总结
本发明公开了一种垂直双扩散MOS器件的制作方法，通过在已形成的多晶栅极、预设厚度的栅氧化层和凹槽上进行体区注入，以形成位于凹槽下方的外延层表面内的第一注射区；在器件的表面上沉积第一氮化硅层；刻蚀去除位于多晶栅极上方和位于凹槽底部的第一氮化硅层，保留形成于凹槽侧壁上的第一氮化硅层侧墙；进行源区注入，形成位于第一注射区内的第二注射区；对器件进行加热，对第一注射区和第二注射区进行驱入，形成源区和体区。通过在注入后采用一次热扩散形成体区和源区，降低了扩散过程中的浮动误差，使沟道长度精确并且可以控制，有效解决了现有技术中沟道的长度以及浓度不易控制的问题，同时大大降低了器件的生产成本。
技术研发人员：赵文魁;赵圣哲
受保护的技术使用者：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
文档号码：201510330440
技术研发日：2015.06.15
技术公布日：2017.01.11