1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底表面具有第一鳍部，所述第一鳍部和衬底内具有阱区，所述阱区内具有第二类型离子；
在所述衬底表面形成隔离层，所述隔离层覆盖所述第一鳍部的部分侧壁，且所述隔离层的表面低于第一鳍部的顶部表面；
形成横跨所述第一鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖部分第一鳍部的侧壁和顶部表面以及部分隔离层表面；
在所述栅极结构两侧的第一鳍部阱区内形成源区和漏区，所述源区和漏区内具有第一类型离子；
在所述第一鳍部内和部分衬底的阱区内形成漏区延伸区，所述漏区延伸区与所述漏区相连接，且所述漏区延伸区内具有第一类型离子。
2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一鳍部的数量大于或等于1个。
3.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，当所述第一鳍部的数量大于1个时，若干第一鳍部内均具有漏区，且若干第一鳍部相邻，所述若干第一鳍部内的若干漏区通过位于衬底内的漏区延伸区相互连接。
4.如权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，若干相邻的第一鳍部平行排列。
5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二类型离子为P型离子。
6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述阱区内的第二类型离子的掺杂浓度为5E12atoms/cm3～1E14atoms/cm3。
7.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述衬底表面还具有第二鳍部，所述隔离层覆盖所述第二鳍部的部分侧壁，且所述隔离层的表面低于第二鳍部的顶部表面，所述阱区还位于所述第二鳍部内。
8.如权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述第二鳍部的阱区内形成基区；所述基区内具有第二类型离子，所述基区内的第二 类型离子的掺杂浓度高于阱区内的第二类型离子的掺杂浓度。
9.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一类型离子为N型离子。
10.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述漏区延伸区内的第一类型离子的掺杂浓度为1E14atoms/cm3～5E15atoms/cm3。
11.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述源区和漏区内的第一类型离子的掺杂浓度为1E14atoms/cm3～5E15atoms/cm3。
12.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述漏区延伸区的底部到所述衬底表面的距离为3000埃～6000埃。
13.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述源区和漏区的底部到所述第一鳍部顶部表面的距离为500埃～1000埃。
14.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：在所述第一鳍部内和部分衬底内形成源区延伸区，所述源区延伸区与所述源区相连接，且所述源区延伸区内具有第一类型离子。
15.如权利要求14所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，当所述第一鳍部的数量大于1个时，若干第一鳍部内均具有源区延伸区，且若干源区延伸区不连接。
16.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述栅极结构包括伪栅极层；所述伪栅极层的材料为多晶硅。
17.如权利要求16所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述源区、漏区、漏区延伸区和栅极结构之后，在所述隔离层表面、第一鳍部的侧壁和顶部表面以及栅极结构的侧壁表面形成介质层，所述介质层的表面与所述栅极结构的顶部表面齐平；去除所述伪栅极层，在所述介质层内形成栅极沟槽；在所述栅极沟槽内形成填充满所述栅极沟槽的金属栅。
18.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一鳍部顶部的宽度为13纳米～20纳米。
19.一种采用如权利要求1至18任一项方法所形成的半导体器件，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底表面具有第一鳍部，所述第一鳍部和衬底内具有阱区，所述阱区内具有第二类型离子；
位于所述衬底表面形成隔离层，所述隔离层覆盖所述第一鳍部的部分侧壁，且所述隔离层的表面低于第一鳍部的顶部表面；
横跨所述第一鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖部分第一鳍部的侧壁和顶部表面以及部分隔离层表面；
位于所述栅极结构两侧的第一鳍部阱区内的源区和漏区，所述源区和漏区内具有第一类型离子；
位于所述第一鳍部内和部分衬底的阱区内的漏区延伸区，所述漏区延伸区与所述漏区相接触，且所述漏区延伸区内具有第一类型离子。