技术总结
一种半导体器件及其形成方法，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底表面具有第一鳍部和隔离层，所述隔离层覆盖所述第一鳍部的部分侧壁，且所述隔离层的表面低于第一鳍部的顶部表面，所述第一鳍部和衬底内具有阱区，所述阱区内具有第二类型离子；横跨所述第一鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖部分第一鳍部的侧壁和顶部表面以及部分隔离层表面；位于所述栅极结构两侧的第一鳍部阱区内的源区和漏区，所述源区和漏区内具有第一类型离子；位于所述第一鳍部内和部分衬底的阱区内的漏区延伸区，所述漏区延伸区与所述漏区相接触，且所述漏区延伸区内具有第一类型离子。所述半导体器件性能改善。
技术研发人员：周飞
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
文档号码：201510377725
技术研发日：2015.07.01
技术公布日：2017.01.11