1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底表面具有第一鳍部，所述第一鳍部和衬底内具有阱区，所述阱区内具有第二类型离子；
在所述第一鳍部内形成电阻区，所述电阻区内具有第一类型离子；
在所述衬底表面形成隔离层，所述隔离层覆盖所述第一鳍部的部分侧壁，且所述隔离层的表面低于第一鳍部的顶部表面；
形成横跨所述第一鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖部分第一鳍部的侧壁和顶部表面以及部分隔离层表面；
在所述栅极结构两侧的第一鳍部阱区内形成源区和漏区，所述源区和漏区内具有第一类型离子，且所述漏区与所述电阻区相连接。
2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一类型离子为N型离子。
3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述电阻区内的第一类型离子掺杂浓度为5E12atoms/cm3～5E14atoms/cm3。
4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述源区和漏区内的第一类型离子掺杂浓度为1E14atoms/cm3～5E15atoms/cm3。
5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二类型离子为P型离子。
6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述阱区内的第二类型离子掺杂浓度为5E12atoms/cm3～1E14atoms/cm3。
7.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述衬底表面还具有第二鳍部，所述隔离层覆盖所述第二鳍部的部分侧壁，且所述隔离层的表面低于第二鳍部的顶部表面，所述阱区还位于所述第二鳍部内。
8.如权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述第二鳍部的阱区内形成基区；所述基区内具有第二类型离子，所述基区内的第二类型离子的掺杂浓度高于阱区内的第二类型离子的掺杂浓度。
9.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述电阻区在形成所述栅极结构之前形成。
10.如权利要求9所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述电阻区的形成步骤包括：在所述第一鳍部表面形成第一掩膜层，所述第一掩膜层暴露出需要形成电阻区的第一鳍部侧壁和顶部表面；以所述第一掩膜层为掩膜，在所述第一鳍部内注入第一类型离子，在所述第一鳍部内形成电阻区。
11.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述电阻区与所述漏区位于所述栅极结构同一侧的第一鳍部内，且所述第一鳍部的表面暴露出所述电阻区，所述电阻区的侧壁边界与所述漏区的侧壁边界相接触。
12.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：在所述电阻区内形成接触区，所述接触区内具有第一类型离子，所述接触区内的第一类型离子掺杂浓度高于电阻区内的第一类型离子掺杂浓度，所述第一鳍部的表面暴露出所述接触区。
13.如权利要求12所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：在所述接触区表面形成接触层。
14.如权利要求13所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述接触层的形成工艺包括选择性外延沉积工艺；所述接触层的材料半导体材料或金属硅化物材料。
15.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述栅极结构包括伪栅极层以及位于伪栅极层侧壁表面、以及第一鳍部的部分侧壁和顶部表面的侧墙。
16.如权利要求15所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述栅极结构还包括栅氧层，所述伪栅极层位于所述栅氧层表面。
17.如权利要求15所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述源区、漏区、电阻区和栅极结构之后，在所述隔离层表面、第一鳍部的侧壁和顶部表面以及栅极结构的侧壁表面形成介质层，所述介质层的表面与所述栅极结构的顶部表面齐平；去除所述伪栅极层，在所述介质层内形成栅极沟槽；在所述栅极沟槽内形成填充满所述栅极沟槽的金属栅。
18.采用如权利要求1至17任一项方法所形成的半导体器件，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底表面具有第一鳍部，所述第一鳍部和衬底内具有阱区，所述阱区内具有第二类型离子；
位于所述第一鳍部内的电阻区，所述电阻区内具有第一类型离子；
位于所述衬底表面形成隔离层，所述隔离层覆盖所述第一鳍部的部分侧壁，且所述隔离层的表面低于第一鳍部的顶部表面；
横跨所述第一鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖部分第一鳍部的侧壁和顶部表面以及部分隔离层表面；
位于所述栅极结构两侧的第一鳍部阱区内的源区和漏区，所述源区和漏区内具有第一类型离子，且所述漏区与所述电阻区相连接。