技术总结
公开了一种太阳能电池及其制造方法。本发明涉及的太阳能电池，包含：基板，排列有单位太阳能电池区域，该单位太阳能电池区域由电池单元区域和配线区域构成；第一半导体层，形成在基板上，并且在基板的配线区域上形成第一沟槽；第二半导体层，形成在第一半导体层上，并且在基板的配线区域上形成第二沟槽，以露出第一半导体层的一部分；第三半导体层，形成在第二半导体层上，并且在基板的配线区域上形成第三沟槽，以露出第二半导体层的一部分；侧壁绝缘层，埋入在第一沟槽内部，使基板的电池单元区域上的第一、第二、第三半导体层相互绝缘；电极层，形成在第三半导体层上，通过第二沟槽与第一半导体层连接。
技术研发人员：李裕进;李在鹤
受保护的技术使用者：TGO科技株式会社
文档号码：201510446663
技术研发日：2015.07.27
技术公布日：2017.02.15