1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供包括第一区域、第二区域和第三区域的衬底，所述衬底表面形成有第一氧化膜，其中，所述第二区域和第三区域的第一氧化膜表面形成有第一阻挡膜，且所述第三区域的第一阻挡膜上形成有第二阻挡膜；
在所述第一区域的第一氧化膜表面、第二区域的第一阻挡膜表面、以及第三区域的第二阻挡膜表面形成伪栅膜；
图形化所述伪栅膜、第二阻挡膜、第一阻挡膜以及第一氧化膜，在第一区域的衬底表面形成第一氧化层以及伪栅层，在第二区域的衬底表面形成第一氧化层、第一阻挡层以及伪栅层，在第三区域的衬底表面形成第一氧化层、第一阻挡层、第二阻挡层以及伪栅层；
在所述衬底表面形成层间介质层，且层间介质层顶部与伪栅层顶部齐平；
刻蚀去除所述第一区域、第二区域和第三区域的伪栅层；
刻蚀去除所述第一区域的第一氧化层，暴露出第一区域部分衬底表面；
对所述暴露出的第一区域衬底进行掺杂处理，降低氧化工艺氧化第一区域衬底的氧化速率；
刻蚀去除所述第二区域的第一阻挡层和第一氧化层；
采用氧化工艺对所述暴露出的第一区域衬底、第二区域衬底进行氧化处理，在第一区域衬底表面形成第二氧化层，同时在第二区域衬底表面形成第三氧化层，且所述第二氧化层的厚度小于第三氧化层的厚度，所述第三氧化层的厚度小于第一氧化层的厚度。
2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一阻挡膜与第二阻挡膜的材料相同；所述第三区域的第一阻挡膜与第二阻挡膜之间还形成有中间膜，且所述中间膜的材料与第一阻挡膜的材料不同；所述第三区域的第一阻挡层与第二阻挡层之间还形成有中间层。
3.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在刻蚀去除所述第二区域的第一阻挡层和第一氧化层的同时，第三区域的第二阻挡层和中间层被刻蚀去除；在进行所述氧化工艺之后，刻蚀去除第三区域的第一 阻挡层。
4.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第一阻挡膜、中间膜以及第二阻挡膜的工艺步骤包括：依次在第一氧化膜表面形成第一阻挡膜、位于第一阻挡膜表面的中间膜、以及位于中间膜表面的第二阻挡膜；在所述第二区域和第三区域的衬底上形成第一光刻胶层；以所述第一光刻胶层为掩膜，刻蚀去除第一区域的第二阻挡膜、中间膜以及第一阻挡膜；在所述第一区域和第三区域的衬底上形成第二光刻胶层；以所述第二光刻胶层为掩膜，刻蚀去除第二区域的第二阻挡膜。
5.如权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在刻蚀去除所述第一区域的第二阻挡膜、中间膜以及第一阻挡膜之前或之后，还包括步骤：以所述第一光刻胶层为掩膜，对所述第一区域的衬底进行离子注入，在第一区域的衬底内形成第一阱区；在刻蚀去除第二区域的第二阻挡膜之前或之后，还包括步骤：以所述第二光刻胶层为掩膜，对所述第二区域的衬底进行离子注入，在第二区域的衬底内形成第二阱区。
6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一阻挡膜的材料为SiN、SiON、SiBN、SiCN、SiOBN、SiOCN、HfO2、HfZrO2、HfSiO、HfSiON、TiN或TaN；所述第二阻挡膜的材料为SiN、SiON、SiBN、SiCN、SiOBN、SiOCN、HfO2、HfZrO2、HfSiO、HfSiON、TiN或TaN。
7.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述掺杂处理的掺杂离子为氮离子。
8.如权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述掺杂处理的工艺参数为：N2流量为50sccm至500sccm，腔室压强为10毫托至30毫托，功率为40瓦至400瓦。
9.如权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二氧化层的材料为氮氧化硅；所述第三氧化层的材料为氧化硅；所述第一氧化层的材料为氧化硅。
10.如权利要求9所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二氧化层的厚度小于10埃；所述第三氧化层的厚度为10埃至20埃；所述第一氧 化层的厚度为20埃至30埃。
11.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一阻挡膜与第二阻挡膜的材料不同；所述第三区域的第二阻挡膜位于第一阻挡膜表面。
12.如权利要求11所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在进行所述氧化工艺之后，刻蚀去除所述第三区域的第二阻挡层和第一阻挡层。
13.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括步骤：在所述第二氧化层表面、第三氧化层表面、以及第三区域的第一氧化层表面形成高k栅介质层；在高k栅介质层表面形成金属栅电极层，且所述金属栅电极层顶部与层间介质层顶部齐平。
14.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供包括第一区域、第二区域和第三区域的衬底，所述衬底表面形成有第一氧化膜，其中，所述第二区域和第三区域的第一氧化膜表面形成有第一阻挡膜，且所述第三区域的第一阻挡膜上形成有第二阻挡膜；
刻蚀去除所述第一区域的第一氧化膜，暴露出第一区域衬底表面；
对所述暴露出的第一区域衬底进行掺杂处理，降低氧化工艺氧化第一区域衬底的氧化速率；
刻蚀去除所述第二区域的第一阻挡膜以及第一氧化膜；
采用氧化工艺对所述第一区域衬底、第二区域衬底进行氧化处理，在第一区域衬底表面形成第二氧化膜，同时在第二区域衬底表面形成第三氧化膜，且所述第二氧化膜的厚度小于第三氧化膜的厚度，所述第三氧化膜的厚度小于第一氧化膜的厚度；
刻蚀去除所述第三区域的第二阻挡膜和第一阻挡膜。
15.如权利要求14所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括步骤：在所述第二氧化膜表面、第三氧化膜表面以及第三区域的第一氧化膜表面形成高k栅介质膜；在所述高k栅介质膜表面形成伪栅膜；图形化所述伪栅膜、高k栅介质膜、第二氧化膜、第三氧化膜、第三区域的第一氧化膜， 在第一区域衬底表面形成第二氧化层、高k栅介质层以及伪栅层，在第二区域衬底表面形成第三氧化层、高k栅介质层以及伪栅层，在第三区域衬底表面形成第一氧化层、高k栅介质层以及伪栅层，其中，第二氧化层的厚度小于第三氧化层的厚度，第三氧化层的厚度小于第一氧化层的厚度；在所述衬底表面形成层间介质层，且所述层间介质层顶部与伪栅层顶部齐平；刻蚀去除所述伪栅层；在所述第一区域、第二区域和第三区域的高k栅介质层表面形成金属栅电极层，且所述金属栅电极层顶部与层间介质层顶部齐平。
16.如权利要求14所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括步骤：在所述第二氧化膜表面、第三氧化膜表面以及第三区域的第一氧化膜表面形成伪栅膜；图形化所述伪栅膜、第二氧化膜、第三氧化膜、第三区域的第一氧化膜，在第一区域衬底表面形成第二氧化层以及伪栅层，在第二区域衬底表面形成第三氧化层以及伪栅层，在第三区域衬底表面形成第一氧化层以及伪栅层，其中，第二氧化层的厚度小于第三氧化层的厚度，第三氧化层的厚度小于第一氧化层的厚度；在所述衬底表面形成层间介质层，且所述层间介质层顶部与伪栅层顶部齐平；刻蚀去除所述伪栅层；在所述第二氧化层表面、第三氧化层表面、第一氧化层表面形成高k栅介质层；在所述高k栅介质层表面形成金属栅电极层，且所述金属栅电极层顶部与层间介质层顶部齐平。
17.如权利要求14所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一阻挡膜与第二阻挡膜的材料相同；所述第三区域的第一阻挡膜与第二阻挡膜之间还形成有中间膜，且所述中间膜的材料与第一阻挡膜的材料不同。
18.如权利要求17所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第一阻挡膜、中间膜以及第二阻挡膜的工艺步骤包括：依次在第一氧化膜表面形成第一阻挡膜、位于第一阻挡膜表面的中间膜、以及位于中间膜表面的第二阻挡膜；在所述第二区域和第三区域的衬底上形成第一光刻胶层；以所述第一光刻胶层为掩膜，刻蚀去除第一区域的第二阻挡膜、中间膜以及第一阻挡膜；在所述第一区域和第三区域的衬底上形成第二光刻胶层；以所述第二光刻胶层为掩膜，刻蚀去除第二区域的第二阻挡膜。
19.如权利要求18所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在刻蚀去除所述第一区域的第二阻挡膜、中间膜以及第一阻挡膜之前或之后，还包括步骤：以所述第一光刻胶层为掩膜，对所述第一区域的衬底进行离子注入，在第一区域的衬底内形成第一阱区；在刻蚀去除第二区域的第二阻挡膜之前或之后，还包括步骤：以所述第二光刻胶层为掩膜，对所述第二区域的衬底进行离子注入，在第二区域的衬底内形成第二阱区。
20.如权利要求14所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述掺杂处理的掺杂离子为氮离子；所述第一氧化膜的材料为氧化硅；所述第二氧化膜的材料为氮氧化硅；所述第三氧化膜的材料为氧化硅。