技术总结
一种半导体器件的形成方法，包括：在第一区域衬底表面形成第一氧化层以及伪栅层，在第二区域衬底表面形成第一氧化层、第一阻挡层以及伪栅层，在第三区域衬底表面形成第一氧化层、第一阻挡层、第二阻挡层以及伪栅层；在衬底表面形成层间介质层；刻蚀去除第一区域、第二区域和第三区域的伪栅层；刻蚀去除第一区域的第一氧化层；对暴露出的第一区域衬底进行掺杂处理，降低氧化工艺氧化第一区域衬底的氧化速率；刻蚀去除第二区域的第一阻挡层和第一氧化层；采用氧化工艺在第一区域衬底表面形成第二氧化层，同时在第二区域衬底表面形成第三氧化层，且所述第二氧化层的厚度小于第三氧化层的厚度。本发明提高了半导体器件的电学性能。
技术研发人员：赵杰
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
文档号码：201510465605
技术研发日：2015.07.31
技术公布日：2017.05.24