技术总结
一种半导体器件及其形成方法，其中半导体器件的形成方法包括：对第一栅极结构两侧的PMOS周边区基底进行第一离子注入工艺，在第一周边源漏区下方形成第一缓变结区；对第一周边源漏区和第一核心源漏区进行第二离子注入工艺，在第一周边源漏区表面和第一核心源漏区表面形成第一接触电阻区；对第三栅极结构两侧的NMOS周边区基底进行第三离子注入工艺，在第二周边源漏区下方形成第二缓变结区；对第二周边源漏区和第二核心源漏区进行第四离子注入工艺，在所述第二周边源漏区表面和第二核心源漏区表面形成第二接触电阻区。本发明在减少输入/输出器件的结漏电流的同时，改善核心器件的短沟道效应问题，从而改善形成的半导体器件的电学性能。
技术研发人员：李勇
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2015.09.23
技术公布日：2019.07.02