技术总结
本发明公开了一种半导体加工设备，包含：反应腔；圆柱形陶瓷窗，圆柱形陶瓷窗为中空结构，其一端与反应腔联通；承载窗，设置在反应腔与圆柱形陶瓷窗之间，承载窗设有通孔，连通反应腔与圆柱形陶瓷窗；进气环，与承载窗相对，设置在圆柱形陶瓷窗的另一端；上盖，与圆柱形陶瓷窗相对设置在进气环的另一侧；法拉第屏蔽装置，套设在圆柱形陶瓷窗的外侧，且设置在承载窗与进气环之间；线圈组件，套设在法拉第屏蔽装置的外侧，且设置在承载窗与进气环之间；导向环，设置在圆柱形陶瓷窗内，且与进气环的底表面连接。本发明通过在进气环的底表面设置导向环，有效改变刻蚀气体的进气路径，提高射频耦合的均一性，有效提高刻蚀气体的解离程度。
技术研发人员：龚岳俊;何乃明;吴狄;倪图强
受保护的技术使用者：中微半导体设备（上海）有限公司
文档号码：201510735219
技术研发日：2015.11.03
技术公布日：2017.05.10