1.一种相变材料层，其特征在于，所述相变材料层包括TixTe1-x层及位于所述TixTe1-x层表面的Sb层，其中，0.33≤x≤0.56。
2.根据权利要求1所述的相变材料层，其特征在于：所述TixTe1-x层的厚度为1nm～10nm，所述Sb层的厚度为1nm～10nm。
3.根据权利要求1或2所述的相变材料层，其特征在于：所述相变材料层包括多个TixTe1-x层及多个所述Sb层，所述TixTe1-x层与所述Sb层交替堆叠形成相变超晶格薄膜结构。
4.根据权利要求3所述的相变材料层，其特征在于：所述TixTe1-x层与所述Sb层交替堆叠3～25个周期。
5.根据权利要求3所述的相变材料层，其特征在于：所述相变材料层中发生相变的相变区域的厚度为6nm～500nm。
6.一种相变存储器单元，其特征在于，所述相变存储器单元包括如权利要求3至5中任一项所述的相变材料层。
7.根据权利要求6所述的相变存储器单元，其特征在于：所述相变存储器单元还包括：生长衬底、下电极、介质包覆层及上电极；
所述下电极位于所述生长衬底内，且贯穿所述生长衬底；
所述相变材料层位于所述生长衬底表面，且位于所述下电极正上方；
所述上电极位于所述相变材料层表面；
所述介质包覆层位于所述生长衬底表面，且包覆在所述相变材料层及所述上电极的外围。
8.根据权利要求7所述的相变存储器单元，其特征在于：所述相变材料层的宽度与所述上电极的宽度相等，且大于或等于所述下电极的宽度。
9.根据权利要求8所述的相变存储器单元，其特征在于：所述TixTe1-x层与所述生长衬底或所述下电极相接触。
10.一种相变存储器单元的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)提供一生长衬底，所述生长衬底内形成有下电极，且所述下电极贯穿所述生长衬底；
2)在所述生长衬底表面形成介质包覆层、如权利要求3至5中任一项所述的相变材料层及上电极，所述介质包覆层包覆在所述相变材料层及所述上电极的外围。
11.根据权利要求10所述的相变存储器单元的制备方法，其特征在于：步骤1)与步骤2)之间，还包括一对所述生长衬底进行清洗的步骤。
12.根据权利要求10所述的相变存储器单元的制备方法，其特征在于：在所述生长衬底表面形成介质包覆层、如权利要求3至5中任一项所述的相变材料层及上电极的具体方法为：
21)在所述生长衬底表面形成所述介质包覆层；
22)在所述介质包覆层内形成第一沉积孔，所述第一沉积孔暴露出所述下电极；
23)在所述第一沉积孔内依次形成所述相变材料层及所述上电极。
13.根据权利要求12所述的相变存储器单元的制备方法，其特征在于：所述第一沉积孔的宽度与所述下电极的宽度相等。
14.根据权利要求10所述的相变存储器单元的制备方法，其特征在于：在所述生长衬底表面形成介质包覆层、如权利要求3至5中任一项所述的相变材料层及上电极的具体方法为：
21)在所述生长衬底表面形成所述相变材料层；
22)去除位于所述下电极上方两侧的部分所述相变材料层，直至暴露出所述生长衬底；
23)在所述生长衬底及所述相变材料层表面形成介质包覆层，所述介质包覆层至少 完全包覆所述相变材料层；
24)去除位于所述相变材料层上方的所述介质包覆层，以在所述介质包覆层内形成与所述相变材料层相对应的第二沉积孔，所述第二沉积孔暴露出所述相变材料层；
25)在所述第二沉积孔内形成上电极。
15.根据权利要求14所述的相变存储器单元的制备方法，其特征在于：所述第二沉积孔的宽度大于所述下电极的宽度。
16.根据权利要求10至15中任一项所述的相变存储器单元的制备方法，其特征在于：采用物理气相沉积法、化学气相沉积法或金属有机物沉积法形成所述相变材料层。