高压无结场效应器件及其形成方法与流程

技术总结
本发明提出了一种高压无结场效应器件及其形成方法，在栅极结构下方依次形成沟道层和阻挡层，并且阻挡层的能带宽度大于沟道层的能带宽度，因此能够在沟道层和阻挡层的界面之间形成二维电子气，使形成的高压无结场效应器件具有高迁移率，并且还具有较高的击穿电压，从而获得具有较好的性能及可靠性的高压无结场效应器件。

技术研发人员：肖德元;张汝京
受保护的技术使用者：上海新昇半导体科技有限公司
文档号码：201510746889
技术研发日：2015.11.06
技术公布日：2017.05.17