具有漂移区的高压无结场效应器件及其形成方法与流程

技术总结
本发明提出了一种具有漂移区的高压无结场效应器件及其形成方法，在半导体沟道层上和介质层之间形成有漂移区，能够使形成的高压无结场效应器件具有较高的击穿电压，此外，形成的高压无结场效应器件具有高迁移率，具有较好的性能及可靠性。

技术研发人员：肖德元;张汝京
受保护的技术使用者：上海新昇半导体科技有限公司
文档号码：201510765530
技术研发日：2015.11.11
技术公布日：2017.05.17