1.一种发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，所述发光二极管封装结构的制造方法包括：
提供一发光二极管封装结构组合；其中，发光二极管封装结构组合包括有一基板层、位于该基板层上的一第一金属层、位于该第一金属层上的一发光二极管芯片组、及包覆该第一金属层与该发光二极管芯片组的一封装胶层；
以一第一刀具自该封装胶层开始切割直至切割于该基板层，并在该基板层形成有多道切割槽，以使该封装胶层形成相互分离的多个封装胶体；及
以一第二刀具沿该基板层上的该些切割槽开始切割该基板层，直至穿透该基板层，以使该基板层形成相互分离的多个基板，并且该发光二极管封装结构组合形成相互分离的多个发光二极管封装结构；其中，该第一刀具的硬度大于该第二刀具的硬度，该第二刀具的厚度小于该第一刀具的厚度。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其中，该基板层包含有一有效区块及围绕于该有效区块的一无效区块，该发光二极管封装结构组合定义有多条纵横排列的切割线，并且该些切割线的起讫标记设在该基板层的该无效区块上；而该第一刀具是沿着该些切割线自该封装胶层开始切割，任一切割线上的该封装胶层部位的厚度小于150μm。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其中，该第一刀具切割至该基板层的深度为75±25μm。
4.如权利要求1至3中任一权利要求所述的发光二极管封装结构的制造方法，其中该第一刀具为一电镀法的钻石切割刀，该第二刀具为一树脂法的钻石切割刀，该第一刀具的厚度介于200～350μm，该第二刀具的厚度小于或等于200μm。
5.一种发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管封装结构包括：
一基板，具有位于相反侧的一第一板面与一第二板面、位于该第一板面与该第二板面之间的一外环侧面、及位在该第一板面与该外环侧面之间的一沟槽；其中，该沟槽呈环状且包含有相连于该第一板面的一内环侧面及相连于该内环侧面与该外环侧面之间的一阶面；
一导电线路，位于该基板的该第一板面上；
一发光二极管芯片，安装于该导电线路上；以及
一封装胶体，形成于该基板的该第一板面上并且包覆该导电线路及该发光二极管芯片，该封装胶体包含有一第一区块及围绕在该第一区块周围的一第二区块；其中，该封装胶体为一甲基硅树脂，该封装胶体的肖氏硬度介于50～70之间，该第二区块突伸出该基板的该第一板面，并且该第二区块的一环侧面与该基板的该外环侧面切齐。
6.如权利要求5所述的发光二极管封装结构，其中，该沟槽的宽度定义为该内环侧面与该外环侧面之间的距离，且该沟槽的宽度为50±25μm，该沟槽的深度定义为该第一板面与该阶面之间的距离，且该沟槽的深度为75±25μm。
7.如权利要求5所述的发光二极管封装结构，其中，该封装胶体的拉伸长度大于100％并小于250％。
8.如权利要求5所述的发光二极管封装结构，其中，该封装胶体为一甲基硅树脂，该封装胶体的肖氏硬度介于50～60之间，该封装胶体的拉伸长度大于160％并小于190％，该封装胶体的光折射率为1.41。
9.一种发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管封装结构包括：
一基板，具有位于相反侧的一第一板面与一第二板面、位于该第一板面与该第二板面之间的一外环侧面、及位在该第一板面与该外环侧面之间的一沟槽；其中，该沟槽呈环状且包含有相连于该第一板面的一内环侧面及相连于该内环侧面与该外环侧面之间的一阶面；
一导电线路，位于该基板的该第一板面上；
一发光二极管芯片，安装于该导电线路上；以及
一封装胶体，形成于该基板的该第一板面上并且包覆该导电线路及该发光二极管芯片，该封装胶体包含有一第一区块及围绕在该第一区块周围的一第二区块；其中，该第二区块突伸出该基板的该第一板面，并且该第二区块的一环侧面与该基板的该外环侧面切齐；
其中，该封装胶体的该第二区块厚度定义为T，该发光二极管芯片的可视角度定义为θ，并且该第二区块厚度以及该发光二极管芯片的可视角度符合方程式：θ＝138.75-(1.2T/25.4)。
10.如权利要求9所述的发光二极管封装结构，其中，该封装胶体的该第二区块厚度小于该基板的厚度，并且该封装胶体的该第二区块厚度为75～125μm。