1.一种发光二极管，包括：
第一半导体结构，具有一上表面及一下表面，
第二半导体层，设置于该上表面；
第三半导体层，设置于该下表面；
二发光层，分别设置于该上表面与该第二半导体层之间，以及该下表面与该第三半导体层之间；以及
第一电极，设置于该第二半导体层上；
第二电极，设置于该第三半导体层上；
其中，该第一半导体结构具有一第一导电型态，该第二半导体层与该第三半导体层分别具有一第二导电型态，且该第一导电型态不同于该第二导电型态。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其中，该第一半导体结构包括：
第一半导体层。
3.如权利要求2所述的发光二极管，其中，该第一导电型态为一P型，且该第二导电型态为一N型。
4.如权利要求2所述的发光二极管，其中在一通过该上表面与该下表面的剖面上，该第二半导体层在邻近该上表面的一边界上具有一第一宽度，且在邻近该第一电极的一边界上具有一第二宽度，其中，该第一宽度大于该第二宽度。
5.如权利要求1所述的发光二极管，其中，该第一半导体结构包括：
二第一半导体层；
导电粘着层，位于该二第一半导体层之间。
6.如权利要求5所述的发光二极管，其中，该第一半导体结构还包括二第三电极，分别设置于该二第一半导体层上。
7.如权利要求6所述的发光二极管，其中，该第三电极的厚度大于该第一电极的厚度，且该第三电极的厚度大于该第二电极的厚度。
8.如权利要求6所述的发光二极管，还包括：
填充层，包覆该第一半导体结构、该第二半导体层、该第三半导体层、以及该二第三电极。
9.如权利要求8所述的发光二极管，其中，该二第三电极自该填充层露出。
10.如权利要求5所述的发光二极管，其中，该第一导电型态为一N型，且该第二导电型态为一P型。
11.如权利要求1所述的发光二极管，其中，该第一半导体结构包括：
导电基板，具有一上表面及一下表面；
二第一半导体层，分别位于该导电基板的上表面与下表面。
12.如权利要求11所述的发光二极管，其中，该导电基板还包括：
第一子基板；
第二子基板；以及
导电粘着层，位于该第一子基板与该第二子基板之间。
13.如权利要求11所述的发光二极管，其中，该第一半导体结构还包括二第三电极，分别设置于该导电基板的该上表面与该下表面。
14.如权利要求13所述的发光二极管，其中，该第三电极的厚度大于该第一电极的厚度，且该第三电极的厚度大于该第二电极的厚度。
15.如权利要求13所述的发光二极管，还包括：
填充层，包覆该第一半导体结构、该第二半导体层、该第三半导体层、以及该二第三电极。
16.如权利要求15所述的发光二极管，其中，该二第三电极自该填充层露出。
17.如权利要求11所述的发光二极管，其中，该第一导电型态为一N型，且该第二导电型态为一P型。
18.如权利要求1所述的发光二极管，其中该第一电极与该第二电极的材料各自独立地包括：
镍、铜、金、氧化铟锡、铟、锡、钛或其组合。
19.一种显示装置，包括：
薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板包括：
基板；
薄膜晶体管，设于该基板上；
共用电极，设于该基板上；及
如权利要求1所述的发光二极管，设于该基板上，其中该发光二极 管的该第一半导体结构电连接该薄膜晶体管或该共用电极两者的其中之一，而该第二半导体层与该第三半导体层电连接该薄膜晶体管或该共用电极两者的其中的另一。
20.如权利要求19所述的显示装置，还包括：
导电接着层，设于该发光二极管与该薄膜晶体管基板之间，其中该导电粘着层的材料包括：
焊锡、铟、各向异性导电膜(Anisotropic Conductive Film)、导电银胶、或其组合。