1.一种等离子体处理方法，其特征在于，
该等离子体处理方法包括如下工序：
成膜工序，在该成膜工序中，利用含氧气体的流量与含硅气体的流量之比是0.2～1.4的所述含氧气体以及所述含硅气体这两者的等离子体在腔室的内部的构件的表面形成氧化硅膜；
等离子体处理工序，在所述氧化硅膜形成于所述构件的表面后，在该等离子体处理工序中利用处理气体的等离子体对输入到所述腔室的内部的被处理体进行等离子体处理；
去除工序，在被等离子体处理后的所述被处理体被输出到所述腔室的外部后，在该去除工序中利用含氟气体的等离子体将所述氧化硅膜从所述构件的表面去除。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，
在所述成膜工序中，所述含硅气体的流量是150sccm以上。
3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理方法，其特征在于，
所述含硅气体含有SiF4以及SiCl4中的至少任一者。
4.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，
该等离子体处理方法在所述成膜工序后还包括改性工序，在该改性工序中，利用含有H2、CH4以及C3H6中的至少任一者的还原性气体的等离子体对所述氧化硅膜进行改性。
5.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，
该等离子体处理方法在所述成膜工序前还包括预成膜工序，在该预成膜工序中，利用含碳气体的等离子体在所述构件的表面形成含碳膜。
6.根据权利要求5所述的等离子体处理方法，其特征在于，
所述含碳气体含有以CxHyFz表示的气体，式中，x、y以及z表示整数，(z－y)÷x是2以下。
7.根据权利要求5所述的等离子体处理方法，其特征在于，
所述含碳气体含有CH4、C4F8、CHF3、CH3F以及C2H4中的至少任一者。
8.根据权利要求5所述的等离子体处理方法，其特征在于，
所述去除工序包括：第1去除工序，在该第1去除工序中，利用所述含氟气体的等离子体将所述氧化硅膜从所述构件的表面去除；以及第2去除工序，在该第2去除工序中，利用含氧气体的等离子体将所述含碳膜从所述构件的表面去除。
9.一种等离子体处理方法，其特征在于，
该等离子体处理方法包括：
成膜工序，在该成膜工序中，利用含碳气体以及含氧气体的流量与含硅气体的流量之比是0.2～1.4的所述含氧气体以及所述含硅气体这三者的等离子体在腔室内部的构件的表面形成含碳硅膜；
等离子体处理工序，在所述含碳硅膜形成于所述构件的表面后，在该等离子体处理工序中利用处理气体的等离子体对输入到所述腔室的内部的被处理体进行等离子体处理；
去除工序，在被等离子体处理后的所述被处理体被输出到所述腔室的外部后，在该去除工序中利用含氧氟气体的等离子体将所述含碳硅膜从所述构件的表面去除。
10.根据权利要求9所述的等离子体处理方法，其特征在于，
所述含碳气体含有以CxHyFz表示的气体，所述含硅气体含有SiF4以及SiCl4中的至少任一者，式中，x、y以及z表示整数，(z－y)÷x是2以下。
11.根据权利要求9所述的等离子体处理方法，其特征在于，
所述含碳气体含有CH4、C4F8、CHF3、CH3F以及C2H4中的至少任一者。
12.根据权利要求9所述的等离子体处理方法，其特征在于，
该等离子体处理方法在所述成膜工序后还包括改性工序，在该改性工序中，利用含有H2、CH4以及C3H6中的至少任一者的还原性气体的等离子体对所述含碳硅膜进行改性。
13.一种等离子体处理装置，其特征在于，
该等离子体处理装置包括：
腔室，其用于对被处理体进行等离子体处理；
排气部，其用于对所述腔室的内部进行减压；
气体供给部，其用于向所述腔室的内部供给处理气体；
控制部，其执行如下工序：
成膜工序，在该成膜工序中，利用含氧气体的流量与含硅气体的流量之比是0.2～1.4的所述含氧气体以及所述含硅气体这两者的等离子体在所述腔室的内部的构件的表面形成氧化硅膜；
等离子体处理工序，在所述氧化硅膜形成于所述构件的表面后，在该等离子体处理工序中利用处理气体的等离子体对输入到所述腔室的内部的被处理体进行等离子体处理；
去除工序，在被等离子体处理后的所述被处理体被输出到所述腔室的外部后，在该去除工序中利用含氟气体的等离子体将所述氧化硅膜从所述构件的表面去除。