1.一种光电子半导体器件(9)，所述光电子半导体器件包括：
-具有至少一个发光二极管芯片(11)和覆盖面(1a)的发光二极管构件(1)，所述覆盖面沿放射方向(Z)设置在所述发光二极管芯片(11)的下游；
-转换元件(2)，所述转换元件沿放射方向(Z)设置在所述发光二极管构件(1)的下游；
-框架体(3)；和
-覆盖体(4)，所述覆盖体由透射辐射的材料形成，其中
-所述框架体(3)框架状地包围所述转换元件(2)的全部侧面(2c)；
-所述覆盖体(4)沿放射方向(Z)设置在所述转换元件(2)的下游，并且在所述转换元件的背离所述发光二极管芯片(11)的覆盖面(2a)上遮盖所述转换元件(2)。
2.根据上一项权利要求所述的光电子半导体器件(9)，其中存在阻挡层(5)，所述阻挡层设置在所述发光二极管构件(1)和所述转换元件(2)之间，其中所述阻挡层(5)完全地覆盖所述发光二极管构件(1)的全部朝向所述转换元件(2)的外面。
3.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(9)，其中所述转换元件(2)包括转换波长的量子点(21)。
4.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(9)，其中所述覆盖体(4)和所述框架体(3)彼此连接，并且完全地遮盖所述转换元件(2)的全部背离所述发光二极管构件(1)的外面。
5.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(9)，其中所述发光二极管构件(1)包括成形体(12)和连接部位(13)。
6.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(9)，其中存在阻挡层(5)，所述阻挡层设置在所述发光二极管构件(1)和所述转换元件(2)之间，其中所述阻挡层(5)完全地覆盖所述成形体(12)的全部朝向所述转换元件(2)的外面。
7.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(9)，其中所述转换元件(2)在制造公差的范围内通过所述阻挡层(5)和/或所述连接部位(13)、所述框架体(3)和所述覆盖体(4)气密地密封。
8.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(9)，其中所述阻挡层(5)的材料、所述框架体(3)的材料和/或所述覆盖体(4)的材料具有最高为1×10-3g/m2/日、优选最高为3×10-4g/m2/日的水蒸气透射率。
9.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(9)，其中所述成形体(12)的材料具有比所述覆盖层(5)的材料更高的水蒸气透射率。
10.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(9)，其中所述阻挡层(5)在放射方向上包括至少一个第一层和至少一个第二层，其中所述第一层由有机材料形成，并且所述第二层由无机材料形成。
11.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(9)，其中所述连接部位(13)在制造公差的范围内覆盖所述成形体(12)的全部朝向所述转换元件(2)的外面。
12.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(9)，其中所述框架体(3)包括反应性的加热层(31)和第一金属框架(32)，其中
-所述反应性的加热层(31)由能反应的材料形成；
-所述第一金属框架(32)借助金属形成，和
-所述反应性的加热层(31)和所述第一金属框架(32)借助于所述能反应的材料的放热化学反应彼此熔合。
13.一种用于制造光电子半导体器件(9)的方法，所述方法具有如下步骤：
-提供发光二极管构件(1)，所述发光二极管构件具有至少一个发光二极管芯片(11)和覆盖面(1a)，所述覆盖面沿放射方向(Z)设置在所述发光二极管构件(1)的下游；
-将第一金属框架(32)施加到所述发光二极管构件(1)的所述覆盖面(1a)上，其中所述第一金属框架(32)在所述放射方向(Z)的俯视图中连续地且框架状地构成；
-将转换元件(2)施加在所述发光二极管构件(1)的具有所述第一金属框架(32)的一侧上；
-将透射辐射的覆盖体(4)施加在所述发光二极管构件(1)的具有所述第一金属框架(32)的一侧上。
14.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中在施加所述转换元件(2)之前，将阻挡层(5)施加在所述发光二极管构件(1)的所述覆盖面(1a)上，其中所述阻挡层在放射方向上包括至少一个第一层和至少一个第二层。
15.根据上一项权利要求所述的方法，其中借助于不同的沉积方法提供所述第一层和所述第二层。
16.根据上一项权利要求所述的方法，其中施加所述覆盖体(4)包括下述方法步骤：
-提供所述覆盖体(4)；
-将反应性的加热层(31)施加到所述覆盖体(4)的底面(4c)上，所述反应性的加热层由能反应的材料形成，其中所述反应性的加热层(31)在制造公差的范围内具有所述第一金属框架(32)的框架状的形状；
-将所述覆盖体(4)安置在所述发光二极管构件(1)的具有所述第一金属框架(32)的一侧上，其中所述第一金属框架(32)和所述反应性的加热层(31)彼此直接接触；
-以电的方式点燃所述反应性的加热层(31)，其中放热反应引起所述反应性的加热层至少部分地熔化，并且所述反应性的加热层(31)和所述第一金属框架(32)熔合成框架体(3)。
17.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述覆盖体(4)的材料借助于物理气相沉积、化学气相沉积和/或原子层沉积施加到所述转换元件(2)和所述第一金属框架(32)上。
18.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述反应性的加热层(31)包括第二金属框架(33)，所述第二金属框架与所述覆盖体(4)连接，并且在所述反应性的加热层(31)和所述第一金属框架(32)熔合之前，将所述转换元件(4)施加到所述覆盖体(4)的所述底面(4c)上。
19.一种光源，所述光源具有：
-多个根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(9)，和
-成形体复合件，其中
-所述成形体复合件(12’)包括所述光电子半导体器件(9)的所述成形体(12)；
-所述光电子半导体器件(9)借助于所述成形体复合件(12’)横向连接；
-唯一的覆盖体(4’)覆盖多个光电子半导体器件(9)，和
-在相邻的转换元件(2)之间设置有所述框架体(3)。
20.一种用于制造根据上一项权利要求所述的光源的方法，其中将所述成形体复合件(12’)和唯一的所述覆盖体(4’)沿着所述框架体(3)的一部分或在制造公差的范围内平行于所述框架体(3)的至少一部分分割。