1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：
在底部盖层和顶部盖层之间延伸的共用集成层中形成电阻式存储器元件；
在所述公共集成层中形成逻辑元件，所述逻辑元件在所述底部盖层和所述顶部盖层之间延伸；
在所述公共集成层中至少形成第一金属间介电(IMD)层，所述第一IMD层是高K值的并且至少包围所述电阻式存储器元件；以及
至少形成低K值的第二IMD层以减小所述逻辑元件的电容。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，包括在所述共用集成层中形成所述第二IMD层。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，包括在所述顶部盖层之上形成所述第二IMD层，所述第二IMD层至少包括耦合到所述逻辑元件的金属导线或互连。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述逻辑元件是在所述底部盖层和所述顶部盖层之间延伸的通孔。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电阻式存储器元件是磁阻随机存取存储器(MRAM)或磁隧道结(MTJ)存储元件。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，包括在所述第二IMD层中形成至少一个空气间隙。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一IMD层具有比所述第二IMD层高的刚性和机械稳定性。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，包括自单镶嵌工艺形成所述逻辑元件。
9.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：
在低K值的中间金属间介电(IMD)层中为逻辑元件和电阻式存储器元件形成第一和第二通孔；
在包括高K值的第一IMD层的共用集成层中形成所述逻辑元件和所述电阻式存储器元件，其中所述共用集成层形成在所述中间IMD层之上，并且其中所述中间IMD层和所述共用集成层的组合在底部盖层和顶部盖层之间延伸；以及
在所述中间IMD层和所述共用集成层的组合中形成至少一个空气间隙。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，使用单镶嵌工艺将所述逻辑元件形成为金属线。
11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，包括自单镶嵌工艺形成所述第一和第二通孔。
12.如权利要求9所述的方法，其特征在于，进一步包括在所述顶盖层的顶上形成低K值的顶部IMD层，以及在所述顶部IMD层中形成去往所述逻辑元件和所述电阻式存储器元件的顶部金属线触点。
13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，包括用双镶嵌工艺形成所述顶部金属线触点。
14.如权利要求9所述的方法，其特征在于，进一步包括在所述底部盖层下的底部IMD层中形成底部金属线触点。
15.一种半导体器件，包括：
形成在底部盖层和顶部盖层之间延伸的共用集成层中的电阻式存储器元件；
所述公共集成层中的逻辑元件，所述逻辑元件在所述底部盖层和所述顶部盖层之间延伸；
形成在所述公共集成层中的至少第一金属间介电(IMD)层，所述第一IMD层是高K值的并且至少包围所述电阻式存储器元件；以及
用以减小所述逻辑元件的电容的至少低K值的第二IMD层。
16.如权利要求15所述的半导体器件，其特征在于，所述第二IMD层被形成在所述共用集成层中。
17.如权利要求15所述的半导体器件，其特征在于，所述第二IMD层形成在所述顶部盖层之上，所述第二IMD层至少包括耦合到所述逻辑元件的金属导线或互连。
18.如权利要求15所述的半导体器件，其特征在于，所述逻辑元件是在所述底部盖层和所述顶部盖层之间延伸的通孔。
19.如权利要求15所述的半导体器件，其特征在于，所述电阻式存储器元件是磁阻随机存取存储器(MRAM)或磁隧道结(MTJ)存储元件。
20.如权利要求15所述的半导体器件，其特征在于，包括形成在所述第二IMD层中的至少一个空气间隙。
21.如权利要求15所述的半导体器件，其特征在于，所述第一IMD层具有比所述第二IMD层高的刚性和机械稳定性。
22.如权利要求15所述的半导体器件，其特征在于，所述逻辑元件形成自单镶嵌工艺。
23.如权利要求15所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件集成到选自包括以下各项的组的设备中：机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、位置固定的数据单元、以及计算机。
24.如权利要求15所述的半导体器件，其特征在于，所述器件集成在至少一个半导体管芯中。
25.一种半导体器件，包括：
在低K值的中间金属间介电(IMD)层中形成的用于逻辑元件和电阻式存储器元件的第一和第二通孔；
其中所述逻辑元件和所述电阻式存储器元件形成在包括高K值的第一IMD层的共用集成层中，其中所述共用集成层形成在所述中间IMD层之上，以及
其中所述中间IMD层和所述共用集成层的组合在底部盖层和顶部盖层之间延伸；以及
形成在所述中间IMD层和所述共用集成层的组合中的至少一个空气间隙。
26.如权利要求25所述的半导体器件，其特征在于，所述逻辑元件包括形成自单镶嵌工艺的金属线。
27.如权利要求25所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括在所述顶盖层的顶部上的低K值的顶部IMD层，以及在所述顶部IMD层中的去往所述逻辑元件和所述电阻式存储器元件的顶部金属线触点。
28.如权利要求25所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括形成在所述底部盖层下的底部IMD层中的底部金属线触点。
29.如权利要求25所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件集成到选自包括以下各项的组的设备中：机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、位置固定的数据单元、以及计算机。
30.如权利要求25所述的半导体器件，其特征在于，所述器件集成在至少一个半导体管芯中。