技术特征：
技术总结
本发明公开了一种增大沟槽的底部和顶部曲率半径的工艺，先在半导体基板上形成第一层氧化硅和第一层氮化硅；然后通过光刻把第一层氧化硅和第一层氮化硅打开窗口；以第一层氧化硅和第一层氮化硅为掩膜，通过刻槽工艺，在半导体基板内形成沟槽；然后，在半导体基板上形成第二层氧化硅和第二层氮化硅；通过各向异性刻蚀工艺去除大部分第二层氧化硅和第二层氮化硅，只在沟槽的侧壁保留第二层氧化硅和第二层氮化硅；通过热氧化工艺在沟槽的底部和顶部形成热氧化层，增大了沟槽的底部和顶部的曲率半径。
技术研发人员：李宇柱
受保护的技术使用者：常州中明半导体技术有限公司
技术研发日：2016.01.08
技术公布日：2017.07.18