存储器结构的制作方法

技术特征：

技术总结
本发明公开一种存储器结构，包括基底、选择栅极结构、第一重掺杂区、第二重掺杂区及浮置接触窗。选择栅极结构设置于基底上。第一重掺杂区与第二重掺杂区分别设置于选择栅极结构一侧与另一侧的基底中。浮置接触窗设置于第一重掺杂区与选择栅极结构之间的基底上，且与基底相互隔离。

技术研发人员：永井享浩
受保护的技术使用者：力晶科技股份有限公司
技术研发日：2016.02.16
技术公布日：2017.07.07