技术领域本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法。
背景技术：
现有阵列基板的结构中，源漏金属层上形成有钝化层和树脂层，树脂层的厚度一般比较大，再加上钝化层的厚度，这样在对树脂层进行曝光的时候，会发生曝光不完全或者Resin层过孔底部光刻胶有残留的情况，导致信号导线与像素电极接触电阻变大甚至不导通，直接导致显示器件失效。现有的办法是将曝光能量加大，此举会导致TactTime(处理时间)上升，产能下降。
技术实现要素：
有鉴于此，本发明提供一种阵列基板及其制作方法，能够减少或避免曝光不完全或过孔底部光刻胶残留的情况。基于上述目的本发明提供的阵列基板，包括：第一导电图形，覆盖所述第一导电图形的包括有过孔的绝缘层，所述第一导电图形上对应所述过孔的位置设置有第二导电图形。可选的，所述第二导电图形的面积不小于所述过孔的底面积。可选的，所述第二导电图形与第一导电图形的刻蚀选择比大于10。可选的，所述第一导电图形为铝、铜、钼、钛中的至少一种或多种；所述第二导电图形为金、铂、氧化铟锡中的至少一种。可选的，所述第二导电图形的厚度为5000-10000埃。可选的，所述第一导电图形为源漏极图形，所述绝缘层包括位于源漏极图形上的钝化层和树脂层，所述第二导电图形和所述源漏极图形的总厚度小于所述钝化层的厚度。可选的，所述绝缘层还包括位于所述源漏极图形上的彩色滤光层。可选的，还包括像素电极、有源层、栅绝缘层、栅金属层；其中，栅绝缘层设置于阵列基板的衬底基板上，栅金属层设置于所述衬底基板和所述栅绝缘层之间；有源层设置于栅绝缘层上；像素电极设置于所述树脂层上。进一步，本发明提供一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板的衬底基板上设置有第一导电图形，所述第一导电图形上覆盖有包括过孔的绝缘层；所述方法包括：在所述第一导电图形上对应于所述过孔的位置形成第二导电图形。可选的，所述在所述第一导电图形上对应于所述过孔的位置形成第二导电图形的步骤具体包括：沉积第一导电层；在第一导电层上沉积第二导电层，所述第二导电层的厚度大于所述第二导电层图形的厚度；在第二导电层上涂覆光刻胶，利用半灰阶掩膜板对光刻胶进行曝光，形成光刻胶完全去除区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶完全保留区域，其中，所述光刻胶完全保留区域对应第二导电图形，所述光刻胶部分保留区域对应第一导电图形除第二导电图形之外的区域；进行第一次刻蚀，去除光刻胶完全去除区域的第一导电层和第二导电层；对光刻胶进行灰化，使得光刻胶部分保留区域的光刻胶去除，光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度减薄；进行第二次刻蚀，去除光刻胶部分保留区域的第二导电层；剥离光刻胶完全保留区域的光刻胶，形成第一导电图形和第二导电图形。从上面所述可以看出，本发明所提供的阵列基板及其制作方法，在绝缘层过孔下方设置第二导电图形，以抬高所述过孔孔底的高度，从而降低孔底位置曝光难度以及光刻胶去除难度，从而能够有效地避免过孔内光刻胶残留、曝光不完全的情况，提高阵列基板的质量，避免因此而产生的信号线与像素电极接触电阻变大甚至不导通的现象，提高显示器件的质量和合格率。同时，本发明实施例所提供的阵列基板的制作方法，采用半灰阶掩膜对光刻胶进行曝光，节省工艺流程，提高阵列基板的制作效率，提高了产能。附图说明图1为本发明实施例的阵列基板结构示意图；图2A-2E为本发明实施例的第一导电图形和第二导电图形形成过程示意图。具体实施方式为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。本发明首先提供一种阵列基板，结构如图1所示，包括：第一导电图形101，覆盖所述第一导电图形101的包括有过孔102的绝缘层，所述第一导电图形上对应所述过孔102的位置设置有第二导电图形103。从上面所述可以看出，本发明提供的阵列基板，在绝缘层过孔下面设置有第二导电图形，该第二导电图形能够降低过孔的深度，起到抬高过孔孔底高度的作用，从而降低孔底曝光难度，对孔底部分曝光不完全或光刻胶残留现象起到改善或消除作用。在本发明一些实施例中，所述第二导电图形的面积不小于所述过孔的底面积。较佳的，为了降低制作难度，所述第二导电图形的面积大于所述过孔的底面积。在本发明具体实施例中，所述第一导电图形和所述第二导电图形为金属或导电的金属氧化物。优选地，所述第二导电图形与第一导电图形的刻蚀选择比大于10。在本发明具体实施例中，所述第一导电图形为铝、铜、钼、钛中的至少一种或多种；所述第二导电图形为金、铂、和氧化铟锡中的至少一种。具体地，所述第一导电图形为铝、或铜、或钼、或钛或铝铜混合物、或铜钼混合物、或铝钼混合物、或铝钛混合物、或铜钛混合物、或钼钛混合物、或铝铜钼混合物、或铝铜钛混合物、或铜钼钛混合物；所述第二导电图形为金、或铂、或金铂混合物、或金、铂中任意一种和氧化铟锡的混合物。在本发明具体实施例中，所述第二导电图形的厚度为5000-10000埃。在本发明具体实施例中，仍然参照图1，所述第一导电图形101为源漏极图形，所述绝缘层包括位于源漏极图形上的钝化层104和树脂层105，所述第二导电图形103和所述源漏极图形的总厚度小于所述钝化层104的厚度。在本发明具体实施例中，所述阵列基板为COA(ColorFilterOnArray，彩色滤光片制作在阵列基板上)基板，所述绝缘层还包括位于所述源漏极图形上的彩色滤光层106。现有COA基板结构中，在Resin层曝光的时候，由于PVX厚度加上Resin厚度太高，会发生曝光不完全或者孔底部光刻胶有残留的情况，会导致信号导线与像素电极接触电阻变大甚至不导通，直接导致显示器件失效。本发明实施例提供的阵列基板结构，应用于COA基板中，能够使得过孔深度变浅，在不改变产能、工艺时间的情况下，减少或消除绝缘层过孔曝光不完全、孔底光刻胶残留的情况。在本发明具体实施例中，所述阵列基板还包括像素电极107、有源层108、栅绝缘层109、栅金属层110；其中，栅绝缘层设置于阵列基板的衬底基板111上，栅金属层110设置于阵列基板的衬底基板111和栅绝缘层109之间；有源层108设置于栅绝缘层109上；像素电极107设置于所述树脂层105上。具体的，所述衬底基板为玻璃基板或柔性基板。所述栅金属层的制作材料为铝和/或铜等。所述栅绝缘层为SiNx(氮化硅)和/或SiOx(氧化硅)等。所述有源层为金属氧化物半导体。所述源漏极图形为铝、或铜、或钼、或钛、或Mo/Al/Mo(中间为铝、上下两层为钼)、或Ti/Al/Ti(中间为铝、上下两层为钛)。所述第二导电图形的材料为金、或铂、或氧化铟锡。同时，本发明还提供一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板的衬底基板上设置有第一导电图形，所述第一导电图形上覆盖有包括过孔的绝缘层；所述方法包括：在所述第一导电图形上对应于所述过孔的位置形成第二导电图形。在本发明具体实施例中，第一导电图形和第二导电图形分别对第一导电层和第二导电层进行曝光、刻蚀形成。在形成第一导电层和第二导电层之后，采用半灰阶掩膜对第一导电层和第二导电层进行曝光。在本发明一些实施例中，所述在所述第一导电图形上对应于所述过孔的位置形成第二导电图形的步骤具体包括：沉积第一导电层；在第一导电层上沉积第二导电层，所述第二导电层的厚度大于所述第二导电层图形的厚度；在第二导电层上涂覆光刻胶，利用半灰阶掩膜板对光刻胶进行曝光，形成光刻胶完全去除区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶完全保留区域，其中，所述光刻胶完全保留区域对应第二导电图形，所述光刻胶部分保留区域对应第一导电图形除第二导电图形之外的区域；进行第一次刻蚀，去除光刻胶完全去除区域的第一导电层和第二导电层；对光刻胶进行灰化，使得光刻胶部分保留区域的光刻胶去除，光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度减薄；进行第二次刻蚀，去除光刻胶部分保留区域的第二导电层；剥离光刻胶完全保留区域的光刻胶，形成第一导电图形和第二导电图形。在本发明具体实施例中，所述第一导电图形为源漏极图形，所述绝缘层包括位于源漏极图形上的钝化层和树脂层、位于所述树脂层上的彩色滤光层。所述阵列基板还包括像素电极、有源层、栅绝缘层、栅金属层；其中，栅绝缘层设置于阵列基板的衬底基板上，栅金属层设置于阵列基板的衬底基板和栅绝缘层之间；有源层设置于栅绝缘层上；像素电极设置于所述树脂层上。如图2A所示，首先在衬底基板201上制备栅金属层202的图形、栅绝缘层203、有源层204。之后，在形成有有源层204的衬底基板201上依次沉积源漏极层205和第二导电层206，所述第二导电层206用于形成第二导电图形，且保证第二导电层206的厚度在5000-10000埃。在第二导电层206上涂覆光刻胶207，如图2B所示。利用半灰阶掩膜板曝光，并显影形成光刻胶完全去除区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶完全保留区域，优选地，光刻胶部分保留区域的厚度是光刻胶完全保留区域的厚度的一半，其中，所述光刻胶完全保留区域对应第二导电图形，所述光刻胶部分保留区域对应源漏极图形除第二导电图形之外的区域；源漏极层205上除源漏极图形之外的区域为光刻胶完全去除区域；进行第一次刻蚀，去除光刻胶完全去除区域的源漏极层205和第二导电层206，如图2D所示；对光刻胶207进行灰化，使得光刻胶部分保留区域的光刻胶去除，光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度减薄；进行第二次刻蚀，去除光刻胶部分保留区域的第二导电层206，留下光刻胶部分保留区域的源漏极层205；剥离光刻胶完全保留区域的光刻胶，形成源漏极图形2051和第二导电图形2052，如图2E所示。在本发明一些实施例中，所述方法还包括：在栅绝缘层上形成钝化层、彩膜层和树脂层；所述钝化层覆盖所述源漏极图形和所述第二导电图形；所述彩膜层位于所述树脂层和所述钝化层之间；对所述钝化层、彩膜层、树脂层进行刻蚀，形成绝缘层过孔，所述过孔贯穿所述树脂层、彩膜层，暴露所述第二导电图形；在所述树脂层上形成像素电极，所述像素电极通过所述过孔与所述第二导电图形连接。从上面所述可以看出，本发明所提供的阵列基板及其制作方法，在绝缘层过孔下方设置第二导电图形，以抬高所述过孔孔底的高度，从而降低孔底位置曝光难度以及光刻胶去除难度，从而能够有效地避免过孔内光刻胶残留、曝光不完全的情况，提高阵列基板的质量，避免因此而产生的信号线与像素电极接触电阻变大甚至不导通的现象，提高显示器件的质量和合格率。同时，本发明实施例所提供的阵列基板的制作方法，采用半灰阶掩膜板对光刻胶进行曝光，节省工艺流程，提高阵列基板的制作效率，提高了产能。应当理解，本说明书所描述的多个实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。并且在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。