1.一种半导体器件，其特征在于：
具有：第一半导体芯片；
第二半导体芯片；
芯片搭载部，具有搭载所述第二半导体芯片的主面；以及
金属板，电连接到所述第一半导体芯片和所述芯片搭载部的所述主面上，
其中，经由第一导电材料与所述第二半导体芯片连接的第一电镀层和经由第二导电材料与所述金属板连接的第二电镀层分离地配置并形成在所述芯片搭载部的所述主面上。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：
其中，在俯视观察时，所述第一电镀层和所述第二电镀层之间的距离为100μm以上。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：
其中，所述芯片搭载部由铜或铜合金形成，
其中，所述第一导电材料和所述第二导电材料分别为焊锡。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于：
其中，在俯视观察时，所述芯片搭载部的所述主面的一部分在所述第一电镀层与所述第二电镀层之间露出。
5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于：
其中，所述第一导电材料和所述第二导电材料分别变得润湿而分别在所述第一电镀层和所述第二电镀层内扩展。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：
其中，所述第一电镀层和所述第二电镀层分别是银电镀层。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：
其中，所述第一半导体芯片包括第一金氧半场效晶体管，该第一金氧半场效晶体管具有形成有源电极焊垫的第一表面，
其中，所述第二半导体芯片具有第二金氧半场效晶体管，该第二\t金氧半场效晶体管具有形成有漏电极的第二表面，
其中，所述金属板与所述第一半导体芯片的所述源电极焊垫电连接，
其中，所述第二半导体芯片的所述第二表面与所述芯片搭载部的所述第二电镀层电连接。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：
还具有将所述第一半导体芯片、所述第二半导体芯片、所述金属板和所述芯片搭载部的所述主面密封的密封部件。
9.一种具有DC-DC转换器的半导体器件，其特征在于：
所述半导体器件包括：
(a)形成有所述DC-DC转换器的高边金氧半场效晶体管的高边用半导体芯片，所述高边用半导体芯片具有栅电极焊垫、源电极焊垫和所述高边金氧半场效晶体管的漏电极；
(b)形成有所述DC-DC转换器的低边金氧半场效晶体管的低边用半导体芯片，所述低边用半导体芯片具有栅电极焊垫、源电极焊垫和所述低边金氧半场效晶体管的漏电极；
(c)形成有所述高边金氧半场效晶体管的驱动器电路和所述低边金氧半场效晶体管的驱动器电路的驱动器用半导体芯片；
(d)搭载所述高边用半导体芯片的高边用芯片搭载部；
(e)搭载所述低边用半导体芯片的低边用芯片搭载部；
(f)搭载所述驱动器用半导体芯片的驱动器用芯片搭载部；
(g)高边用金属板，与所述低边用芯片搭载部和设置在所述高边用半导体芯片上的所述高边金氧半场效晶体管的所述源电极焊垫电连接；以及
(h)密封部件，覆盖所述高边用芯片搭载部的一部分、所述低边用芯片搭载部的一部分、所述驱动器用芯片搭载部的一部分、所述高边用半导体芯片、所述低边用半导体芯片、所述驱动器用半导体芯片和所述高边用金属板，
其中，在所述低边用芯片搭载部的上表面设置有：在搭载所述低\t边用半导体芯片的区域形成的低边芯片连接用电镀层、和在所述高边用金属板被接合的区域形成的金属板连接用电镀层，
其中，所述低边芯片连接用电镀层和所述金属板连接用电镀层以所述低边芯片连接用电镀层和所述金属板连接用电镀层之间的距离为100μm以上的方式隔开。