一种半极性AlN模板的制作方法

技术特征：

技术总结
本发明公开了一种半极性AlN模板，其具有半极性显露面，并且包含有孪晶结构或孪晶结构。本发明的半极性AlN模板可直接选用c面蓝宝石或SiC等作为衬底形成，而不需要r面蓝宝石，不仅可以减少AlN外延层中的层错，且成本低廉，而且其制备工艺简单，生长条件易于控制，在生长过程中无二次污染之虞，因此具有较高质量。

技术研发人员：张纪才;刘婷;王建峰;徐科
受保护的技术使用者：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
技术研发日：2016.03.11
技术公布日：2017.09.19