1.一种发光二极管结构，包含：
可导电基板；
第一导电型半导体层、活性层及第二导电型半导体层，依序堆栈于该可导电基板上；
金属层，设于该可导电基板与该第一导电型半导体层之间，且该金属层包含多个第一部分及连接这些第一部分的第二部分，其中各该第一部分穿过该第一导电型半导体层及该活性层而与该第二电性半导体层连接，该第二部分位于该第一导电型半导体层与该可导电基板之间，且该金属层分别与该第一电性半导体层及该活性层电性绝缘；
导电性连接层，位于该第一导电型半导体层与该可导电基板之间，且该导电性连接层与该第一导电型半导体层电性连接；
粘结层，设于该可导电基板与该第一导电型半导体层之间，该可导电基板透过该粘结层与该金属层电性连接；
电极，设于该导电性连接层面向第一导电型半导体层的表面上，并透过该导电性连接层与该第一导电型半导体层电性连接；及
第一分隔层，设于该导电性连接层与该第二部分之间。
2.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中，该粘结层设于金属层的第二部分与可导电基板之间。
3.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中，金属层与粘结层具有不同材料。
4.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中，金属层的第一部分与第二部分具有相同材料。
5.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中，还包含第二分隔层，设于该粘结层与该金属层之间。
6.如权利要求1或2所述的发光二极管结构，其中，该电极与该导电性连接层物理接触。
7.如权利要求1或2所述的发光二极管结构，其中，该导电性连接层围绕这些第一部分，且相邻的第一部分之间的该导电性连接层是连续不中断的。
8.如权利要求1或2所述的发光二极管结构，其中，该粘结层的一部分覆盖该金属层的该第二部分。
9.如权利要求1或2所述的发光二极管结构，其中，该粘结层包含金、锡或金锡合金。
10.如权利要求1或2所述的发光二极管结构，其中，该可导电基板包含金属、碳化物、金属合金、金属氧化物或金属复合材料。