技术总结
本发明公开一种发光二极管阵列，该发光二极管阵列由N个(N≧3)发光二极管单元所组成，包括：永久基板；粘结层位于永久基板之上；第二导电层位于粘结层之上；第二分隔层位于第二导电层之上；跨接金属层位于第二分隔层之上；第一分隔层位于跨接金属层之上；导电性连接层位于第一分隔层之上；外延结构位于导电性连接层之上；第一电极位于外延结构之上。发光二极管单元间经跨接金属层彼此电性连接。
技术研发人员：周理评;杨於铮;叶瑞鸿;
受保护的技术使用者：晶元光电股份有限公司;
技术研发日：2011.04.25
技术公布日：2016.07.13