1.一种形成图案的方法，该方法包括步骤：
在衬底上形成蚀刻目标层；
将所述蚀刻目标层图案化以形成图案；
利用从第一离子源产生的第一离子束在各图案的侧壁上形成绝缘层；以及
利用从第二离子源产生的第二离子束去除所述绝缘层，
其中，所述第一离子源和所述第二离子源中的每一个包括绝缘源，并且
其中，所述绝缘源包括氧或氮中的至少一个。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一离子源中的绝缘源的浓度与所述第二离子源中的绝缘源的浓度不同。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一离子源中的绝缘源的浓度高于所述第二离子源中的绝缘源的浓度。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一离子源中的绝缘源的浓度的范围为从30at％至50at％。
5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第二离子源中的绝缘源的浓度的范围为从0at％至10at％。
6.根据权利要求1所述的方法，其中：
形成所述绝缘层的步骤包括将所述第一离子束相对于所述衬底的顶表面以第一角辐射，并且
去除所述绝缘层的步骤包括将所述第二离子束相对于所述衬底的顶表面以第二角辐射，所述第一角与所述第二角不同。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一角大于所述第二角。
8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一角的范围为从80度至90度。
9.根据权利要求6所述的方法，其中，第二角的范围为从0度至45度。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述绝缘层的步骤包括：形成按次序堆叠在各图案的侧壁上的第一绝缘层和第二绝缘层，
其中，所述第一绝缘层布置在所述第二绝缘层与各图案的侧壁之间，
其中，当形成所述第一绝缘层时，所述第一离子源的绝缘源是氧，并且
其中，当形成所述第二绝缘层时，所述第一离子源的绝缘源是氧和氮。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第二绝缘层的氮浓度高于所述第一绝缘层的氮浓度。
12.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述绝缘层的步骤包括：
相对于所述衬底的顶表面以第一角辐射所述第一离子束，以形成第一绝缘层；
相对于所述衬底的顶表面以第二角辐射所述第一离子束，以形成第二绝缘层；以及
相对于所述衬底的顶表面以第三角辐射所述第一离子束，以形成第三绝缘层，所述第二角小于所述第一角和所述第三角。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一离子源中的绝缘源的浓度高于所述第二离子源中的绝缘源的浓度。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，当形成所述第一绝缘层时，所述第一离子束具有第一入射能量，并且当形成所述第三绝缘层时，所述第一离子束具有大于所述第一入射能量的第二入射能量。
15.根据权利要求12所述的方法，其中，去除所述绝缘层的步骤包括：相对于所述衬底的顶表面以第四角辐射所述第二离子束，所述第四角小于所述第一角和所述第三角。
16.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述绝缘层的步骤包括：形成按次序堆叠在各图案的侧壁上的第一绝缘层和第二绝缘层，
其中，所述第一绝缘层布置在所述第二绝缘层与各图案的侧壁之间，
其中，当形成所述第一绝缘层时，所述第一离子束具有第一入射能量，并且
其中，当形成所述第二绝缘层时，所述第一离子束具有大于所述第一入射能量的第二入射能量。
17.根据权利要求16所述的方法，其中：
当形成所述第一绝缘层时，相对于所述衬底的顶表面以第一角辐射所述第一离子束，
当形成所述第二绝缘层时，相对于所述衬底的顶表面以第二角辐射所述第一离子束，并且
去除所述绝缘层的步骤包括：相对于所述衬底的顶表面以第三角辐射所述第二离子束，所述第三角小于所述第一角和所述第二角。
18.一种制造磁性存储器装置的方法，所述方法包括步骤：
在衬底上形成磁性隧道结层；
将所述磁性隧道结层图案化，以形成磁性隧道结图案；
利用从第一离子源产生的第一离子束在所述磁性隧道结图案的侧壁上形成绝缘层；以及
利用从第二离子源产生的第二离子束去除所述绝缘层，
其中，所述第一离子源和所述第二离子源中的每一个包括绝缘源，并且
其中，所述绝缘源包括氧或氮中的至少一个。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述第一离子源中的绝缘源的浓度高于所述第二离子源中的绝缘源的浓度。
20.根据权利要求18所述的方法，其中：
形成所述绝缘层的步骤包括：相对于所述衬底的顶表面以第一角辐射所述第一离子束，并且
去除所述绝缘层的步骤包括：相对于所述衬底的顶表面以第二角辐射所述第二离子束，所述第一角大于所述第二角。
21.根据权利要求18所述的方法，还包括：在形成所述绝缘层之前在所述磁性隧道结图案上形成顶部电极，
其中，所述顶部电极中的每一个与所述衬底间隔开，所述磁性隧道结图案中的每一个介于它们之间，并且
其中，在形成所述绝缘层的过程中，每个顶部电极的至少一部分被氧化或硝化。
22.一种形成图案的方法，所述方法包括步骤：
在衬底上形成蚀刻目标层；
将所述蚀刻目标层图案化以形成图案；
从第一离子源将第一离子束朝着所述图案辐射，以使得所述第 一离子源中的第一绝缘源与所述图案上的残留物相互作用，从而在所述图案的侧壁上形成绝缘层；以及
从所述图案的侧壁去除所述绝缘层，
其中，所述第一绝缘源包括氧或氮中的至少一个。
23.根据权利要求22所述的方法，其中，利用从第二离子源产生的第二离子束执行从所述图案的侧壁去除所述绝缘层的步骤，所述第二离子源包括第二绝缘源，并且所述第二绝缘源包括氧或氮中的至少一个。
24.根据权利要求22所述的方法，其中，从所述第一离子源辐射所述第一离子束的步骤包括：使所述第一离子束中的第一绝缘源与所述图案的侧壁上的所述残留物中的金属元素相互作用以形成所述绝缘层，在将所述蚀刻目标层图案化之后，包括所述蚀刻目标层的金属元素的残留物再沉积在所述图案的侧壁上。
25.根据权利要求24所述的方法，其中，从所述图案的侧壁去除所述绝缘层的步骤包括从所述图案的侧壁去除所述残留物。