技术总结
本发明涉及制造半导体结构的方法和半导体器件。一种在半导体本体（304）中制造结构的方法包括在所述半导体本体（304）的第一表面（307）之上形成第一掩模（320）。所述第一掩模（320）包括围绕所述第一掩模（320）的第一部分（3201）的开口（322），由此将所述第一掩模（320）的第一部分（3201）和第二部分（3202）分开。穿过在所述第一表面（307）处的所述开口（322）处理所述半导体本体（304）。通过去除所述第一部分（3201）中的所述第一掩模（320）的至少一部分同时保持所述第二部分（3202）中的所述第一掩模（320）来增大所述开口（322）。穿过在所述第一表面（307）处的所述开口（322）进一步处理所述半导体本体（304）。
技术研发人员：P.伊西格勒;A.迈泽;W.维尔纳
受保护的技术使用者：英飞凌科技股份有限公司
文档号码：201610609447
技术研发日：2016.07.29
技术公布日：2017.02.15