1.一种半导体器件，包括：
衬底；
源极区，具有第一导电类型，并且位于所述衬底内的第一侧；
漏极区，具有所述第一导电类型，并且位于所述衬底内的与第一侧相对的第二侧；
场板，位于所述衬底上方，并且介于所述源极区与所述漏极区之间；
栅电极，具有第一部分和第二部分，其中，所述栅电极的第一部分位于所述场板上方。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第一介电层，位于所述栅电极的第二部分和所述衬底之间。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括
第二介电层，位于所述场板和所述衬底之间；
第三介电层，位于所述栅电极的第一部分和所述场板之间；
第一间隔件，位于所述衬底上，并且与所述第二介电层接触。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第二介电层的厚度与所述第三介电层的厚度不同。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第二间隔件，与所述栅电极的第二部分和所述场板接触。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅电极的顶面基本完全被硅化物层覆盖。
7.一种半导体器件，包括：
衬底；
漂移区，具有第一导电类型，从所述衬底的顶面延伸到所述衬底内部，并且位于所述衬底的第一侧的邻近处；
第二区，具有第二导电类型，从所述衬底的顶面延伸到所述衬底内部，并且位于所述衬底的第二侧的邻近处，所述第二侧与所述第一侧相对；
源极区，具有第一导电类型，位于所述第二区内；
漏极区，具有第一导电类型，位于所述漂移区内；
场板，位于所述漂移区的上方；
栅电极，位于所述第一区和所述漂移区上方，其中，所述栅电极的顶面基本上完全由硅化物层覆盖。
8.根据权利要求7所述半导体器件，其中，所述栅电极的第一部分位于所述场板的上方。
9.一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：
提供衬底；
在所述衬底内的第一侧处形成具有第一导电类型的源极区；
在所述衬底内的第二侧处形成具有所述第一导电类型的漏极区，所述衬底的第二侧与所述衬底的第一侧相对；
在所述衬底上方且在所述源极区与所述漏极区之间形成场板；以及
在形成所述场板后，在所述衬底上方形成栅电极。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述栅电极的一部分形成在所述场板的上方。