X技术
首页
登录
注册
功率MOSFET及其制造方法与流程
文档序号:12737358
阅读:
来源:国知局
导航:
X技术
>
最新专利
>
电气元件制品的制造及其应用技术
>
功率MOSFET及其制造方法与流程
技术总结
本发明实施例提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底、源极区、漏极区、场板和栅电极。源极区具有第一导电类型,并且位于衬底内的第一侧。漏极区具有第一导电类型,并且位于与衬底内的第一侧相对的第二侧。场板位于场板上方且介于源极区和漏极区之间。栅电极的一部分位于场板的上方。
技术研发人员:
约根德拉·亚达夫;陈吉智;柳瑞兴;姚智文
受保护的技术使用者:
台湾积体电路制造股份有限公司
文档号码:
201610765851
技术研发日:
2016.08.30
技术公布日:
2017.06.27
完整全部详细技术资料下载
当前第3页
1
 
2
 
3
 
相关技术
一种带有保护装置的电源插头的...
半导体元件及其制作方法与流程
一种电源插座的制作方法与工艺
高击穿电压场效应晶体管及其制...
一种带识别功能的局域网非屏蔽...
一种高迁移率沟道双纳米线场效...
一种防水的移动电源多用连接头...
超陡平均亚阈值摆幅鳍式隧穿场...
一种插座的制作方法与工艺
III‑V族化合物横向纳米线...
网友询问留言
已有
0
条留言
还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1
sic功率器件制造工艺相关技术
图像感测器件及其制造方法
制造FinFET器件的工艺的制作方法
一种具有改善安全工作区的igbt器件及其制造方法
用于生产功率印制电路的工艺和通过此工艺获得的功率印制电路的制作方法
一种mosfet器件及其制造方法
沟槽栅功率器件的制造方法及结构的制作方法
声波器件及其制造方法
防漏电的功率器件及其制造方法
层叠器件的制造方法
光伏器件和制造其的方法
光功率计使用方法相关技术
Pon网络设备双向收发光功率自动校准装置的制造方法
一种使用圆台围坝的面光源的制作方法
光功率计的制作方法
一种片上光功率分束器的设计方法
一种计步的方法和装置的制造方法
功率mos失效位置的判定方法
一种带声控功能的光功率计的制作方法
一种计步方法、计步装置及移动终端的制作方法
Pon网络设备双向收发光功率自动校准方法
光纤损耗测试仪的制作方法
功率计使用方法相关技术
小功率高光效led光源的制作方法
一种新式多通道功率计的制作方法
一种超大功率集成芯片光源的制作方法
一种保护型功率计的制作方法
Pon网络设备双向收发光功率自动校准装置的制造方法
一种使用圆台围坝的面光源的制作方法
光功率计的制作方法
一种片上光功率分束器的设计方法
一种计步的方法和装置的制造方法
功率mos失效位置的判定方法
光功率计使用方法图解相关技术
功率配置方法
一种模块化多通道光功率计及其实现方法
功率mosfet和制造功率mosfet的方法
一种新型光功率计的制作方法
功率转换装置及功率转换方法
一种光功率过载保护电路及方法
一种具有计算功能的光功率计的制作方法
一种具有储存数据功能的光功率计的制作方法
一种带led灯的光功率计的制作方法
一种带mp3播放器的光功率计的制作方法
提高功率因数的方法相关技术
通过数据的智能同步提高功率节省的制作方法
提高舾装先行率的方法
功率配置方法
功率mosfet和制造功率mosfet的方法
一种提高供电系统考核点功率因数的方法
一种提高功率因数的Buck型变换器的制造方法
一种提高优质稻整精米率的方法
功率管理系统和方法
一种提高晶圆返工优良率的方法及装置的制造方法
一种高功率因数低畸变率大功率led驱动电路的制作方法
功率表使用方法相关技术
功率mosfet及其形成方法
功率mosfet及其形成方法
功率mosfet及其形成方法