1.一种防止浅层离子注入工艺过程中离子析出的方法，其特征在于包括：
第一步骤：在晶圆上涂覆第一光刻胶图案，并且利用第一光刻胶图案对晶圆执行第一掺杂类型的离子注入，从而在晶圆中形成第一掺杂类型的阱；
第二步骤：通过热制程去除第一光刻胶图案，其中在晶圆表面由于热制程而形成氧化层；
第三步骤：去除表面氧化层；
第四步骤：在晶圆上涂覆第二光刻胶图案，并且利用第二光刻胶图案对晶圆执行第二掺杂类型的离子注入，从而在晶圆中形成第二掺杂类型的阱。
2.根据权利要求1所述的防止浅层离子注入工艺过程中离子析出的方法，其特征在于，第一掺杂类型的离子注入为P型离子注入。
3.根据权利要求1或2所述的防止浅层离子注入工艺过程中离子析出的方法，其特征在于，第一掺杂类型的阱为P型离子阱区。
4.根据权利要求1或2所述的防止浅层离子注入工艺过程中离子析出的方法，其特征在于，第二掺杂类型的离子注入为N型离子注入。
5.根据权利要求1或2所述的防止浅层离子注入工艺过程中离子析出的方法，其特征在于，第二掺杂类型的阱为N型离子阱区。
6.根据权利要求1或2所述的防止浅层离子注入工艺过程中离子析出的方法，其特征在于，在第三步骤通过湿洗制程去除表面氧化层。
7.根据权利要求6所述的防止浅层离子注入工艺过程中离子析出的方法，其特征在于，在第三步骤，湿洗制程采用氢氟酸和去离子水的混合溶液。
8.根据权利要求6所述的防止浅层离子注入工艺过程中离子析出的方法，其特征在于，湿洗制程的时长为10分钟。
9.根据权利要求6所述的防止浅层离子注入工艺过程中离子析出的方法，其特征在于，湿洗制程去除100A的表面氧化层。
10.根据权利要求1或2所述的防止浅层离子注入工艺过程中离子析出的方法，其特征在于，晶圆上形成有栅极，而且晶圆中形成有源区和漏区。