技术总结
本发明提供了一种防止浅层离子注入工艺过程中离子析出的方法，包括：第一步骤：在晶圆上涂覆第一光刻胶图案，并且利用第一光刻胶图案对晶圆执行第一掺杂类型的离子注入，从而在晶圆中形成第一掺杂类型的阱；第二步骤：通过热制程去除第一光刻胶图案，其中在晶圆表面由于热制程而形成氧化层；第三步骤：去除表面氧化层；第四步骤：在晶圆上涂覆第二光刻胶图案，并且利用第二光刻胶图案对晶圆执行第二掺杂类型的离子注入，从而在晶圆中形成第二掺杂类型的阱。
技术研发人员：周健刚;倪棋梁;龙吟;顾晓芳
受保护的技术使用者：上海华力微电子有限公司
文档号码：201610828340
技术研发日：2016.09.18
技术公布日：2016.12.21