直接的选择性增粘剂镀覆的制作方法

本申请涉及半导体封装，尤其是涉及用于增强引线框架的导电表面与电绝缘封装材料之间的粘附的方法。

背景技术：

通常使用引线框架和诸如模塑化合物的密封材料封装诸如半导体芯片的集成电路器件。例如，可将一个或一个以上半导体芯片物理附接至并且电连接至引线框架。密封材料在半导体芯片和电连接周围形成。密封剂保护半导体芯片和电连接免受诸如湿气、温度、杂质颗粒等等的有害的环境条件。可从密封剂的外侧外部接触引线框架的引线，并且在某些情况下引线框架的引线远离密封剂伸出。引线的这些外侧部分提供了外部电端子，其使得封装的器件能够电连接至例如印刷电路板。

许多半导体处理技术使用引线框架条来同时封装大量半导体器件。引线框架条包括在片状导体上连续重复的大量单元引线框架，片状导体中的开口限定单元引线框架的特征。每个单元引线框架为单个封装的器件提供引线结构。一个或一个以上的半导体芯片可被固定至每个单元引线框架并与每个单元引线框架电连接。最终，单元引线框架彼此之间被单个化以形成单独的封装的器件。可在单个化单元引线框架之前或之后在引线框架上模制密封剂。

在半导体封装中，层离是一个普遍的问题，即由于两者之间粘附不良，封装材料从引线框架分离开。这可能会带来不可接受的风险，即湿气和异物会穿透封装体，可导致在检验之后丢弃大量的部件。

一种用于解决粘附问题的技术涉及在密封剂在引线框架上形成之前将增粘剂施加至引线框架。然而，有效的增粘剂通常不导电或至少干扰导电连接。因此，如果在线结合之前不从引线框架的特定区域去除增粘剂，那么就会有潜在的线结合失败的可能性。公知的用于从引线框架的特定区域去除增粘剂的技术需要昂贵的并且难以校准的多个处理步骤。

技术实现要素：

公开了一种形成封装的半导体器件的方法。根据一个实施例，所述方法包括提供具有多个单元引线框架的引线框架条。每个单元引线框架均具有芯片焊盘、远离芯片焊盘延伸的多个引线和分界出引线的外部部分和引线的内部部分的外围环。所述方法还包括将增粘剂镀覆材料选择性地镀覆在第一单元引线框架的封装体轮廓区域内。芯片焊盘和引线的内部部分设置在封装体轮廓区域内，引线的外部部分设置在封装体轮廓区域之外。所述方法还包括处理第一单元引线框架中的线结合部位，使得在选择性地镀覆增粘剂镀覆材料之后，线结合部位基本上没有增粘剂镀覆材料。线结合部位设置在封装体轮廓区域内并且与外围环间隔开。

根据另一个实施例，所述方法包括提供具有多个单元引线框架的引线框架条。每个单元引线框架具有中央开口以及远离中央开口延伸的多个引线。所述方法还包括将增粘剂镀覆材料选择性地在第一单元引线框架上镀覆在引线的第一部分上的封装体轮廓区域内。所述方法还包括将电绝缘密封材料模制在引线的第一部分上，使得中央开口被由密封材料的外侧壁形成的腔体封住。

公开了一种封装的半导体器件。根据一个实施例，封装的半导体器件包括引线框架，所述引线框架具有中央开口和远离中央开口延伸的多个引线。引线中的至少一个具有升高部分，与引线的外部部分相比，所述升高部分距离中央开口更近。封装的半导体器件还包括形成在引线框架的封装体轮廓区域上的电绝缘密封材料，使得中央开口被由密封材料的外侧壁形成的腔体封住。封装的半导体器件还包括在引线框架与电绝缘密封材料之间的交界处形成在引线框架上的增粘剂镀覆材料。

在阅读下文详细说明并查看附图时，本领域的技术人员将认识到附加的特征和优点。

附图说明

附图中的元件不一定相对彼此按比例绘制。相似的附图标记表示相应的相似部分。除非示出的各种实施例的特征彼此排斥，否则它们可以结合起来。实施例在附图中被示出并在下文中被详细描述。

包括图1A和图1B的图1示出根据一个实施例的可被选择性地镀覆的引线框架条。图1A示出引线框架条的顶侧，图1B示出引线框架条的底侧。

包括图2A和图2B的图2示出根据一个实施例的在引线框架条之上提供的掩蔽物。图2A示出引线框架条的顶侧，图2B示出引线框架条的底侧。

包括图3A和图3B的图3示出根据一个实施例的在增粘剂镀覆材料在掩蔽物的开口内选择性地形成之后的引线框架条。图3A示出引线框架条的顶侧，图3B示出引线框架条的底侧。

图4示出根据一个实施例的在去除掩蔽物之后，引线框架条的顶侧。

图5示出根据一个实施例的已经被化学处理工艺处理的引线框架条的顶侧。

图6示出根据一个实施例的已经被激光清洁工艺处理的引线框架条的顶侧。

图7示出根据一个实施例的引线框架条的顶侧，所述引线框架条具有形成在引线框架的线结合部位上的线可结合层。

图8示出根据一个实施例的引线框架条的顶侧，所述引线框架条具有可用来防止增粘剂镀覆材料形成在所选的位置中的抗腐蚀涂层。

图9示出根据一个实施例的引线框架条的顶侧，所述引线框架条具有可用来防止增粘剂镀覆材料形成在所选的位置中的预掩蔽胶带。

包括图10A和图10B的图10示出根据一个实施例的可被选择性地镀覆的引线框架条的另一种配置。图10A示出引线框架条的顶侧，图10B示出引线框架条的截面图。

包括图11A和图11B的图11示出在选择性地形成增粘剂镀覆材料之后图10中的引线框架条。图11A示出引线框架条的顶侧，图11B示出引线框架条的截面图。

图12示出根据一个实施例的引线框架条的顶侧，在引线框架条上形成有模制的封装体轮廓以及在引线框架条上在模制的封装体轮廓内形成有线可结合层。

具体实施方式

在此描述形成封装的半导体器件的方法的实施例。根据该方法，提供具有多个单元引线框架的引线框架条。将增粘剂镀覆材料选择性地施加在单元引线框架的封装体轮廓区域内。这个过程是单次的、直接的施加过程。例如，根据一个实施例，单元引线框架被掩蔽，增粘剂镀覆材料仅形成在从掩蔽物暴露出来的区域中。

发明者发现相比于传统技术(所述传统技术可包括例如在增粘剂的非选择性镀覆之后进行蚀刻工艺)，直接的选择性粘附镀覆工艺具有许多优点。然而，在直接的选择性粘附镀覆工艺中，存在有小量增粘剂会侵入线结合部位的可能性。在此描述的实施例通过在增粘剂的选择性镀覆之前或之后(或既在之前又在之后)对引线框架条中的线结合部位执行一个或一个以上的处理步骤来解决这个问题。例如，可对线结合部位进行化学处理和/或可用线可结合层(例如银)对其进行点镀。这些处理步骤确保在线结合之前，线结合部位基本上没有增粘剂镀覆材料。因此，所述处理步骤允许通过直接的选择性粘附镀覆工艺来镀覆引线框架条，而增粘剂镀覆材料又不干扰线结合的形成。

参考图1，示出了根据一个实施例的引线框架条100的平面图。图1A中示出引线框架条100的顶侧102(即芯片附接侧)，图1B中示出引线框架条100的底侧104。引线框架条100包括多个单元引线框架106，图1中示出其中两个单元引线框架106。为说明的目的，将讨论第一单元引线框架106。本领域普通技术人员将意识到，可将第一单元引线框架106在引线框架条100中复制多次(例如数十次、数百次等等)，并且参考第一单元引线框架106所讨论的配置和处理步骤通用于引线框架条100中的每个其他单元引线框架106。

引线框架条100可由导电材料(例如铜、铝等等)的片层形成。开口108在限定单元引线框架106的特征的金属片中形成。可例如通过冲压或蚀刻来形成开口108。

第一单元引线框架106包括芯片焊盘110和远离芯片焊盘110延伸的多个引线112。外围环114分界出引线112的外部部分和引线112的内部部分。外围环114是第一单元引线框架106的围绕芯片焊盘110的内部环。引线112的内部部分与芯片焊盘110间距最近，引线112的外部部分被布置更远离于芯片焊盘110，相对于引线112的内部部分布置于外围环114的相反侧。芯片焊盘110可连接至引线112中的一个，以便连接芯片焊盘110而可使芯片焊盘连接至完成的器件中的参考电势。在引线修整步骤中，去除外围环114的将引线112连接在一起的部分，使得引线112之间彼此电分离。第一单元引线框架106还可包括连片115，其在引线112被修整后物理上支撑芯片焊盘110。

封装体轮廓区域116代表诸如模塑化合物的保护性密封材料形成在第一单元引线框架106上的部位。所述封装体轮廓区域116包围芯片焊盘110和引线112的内部部分。引线112的外部部分至少部分在封装体轮廓区域116之外，因此从密封材料突出，以提供封装的器件的电端子。

图1A还示出设置在封装体轮廓区域116内的引线结合部位118。可使用线结合(例如导电结合线、带等)来形成安装至芯片焊盘110的半导体器件与引线112之间的电连接。线结合部位118表示线结合部连接至封装的器件的引线112的位置。线结合部位118设置在封装体轮廓区域116内并且与外围环114间隔开。就是说，线结合部位118不与封装体轮廓区域116相交。而是线结合部位118仅设置在引线112的内部部分的与芯片焊盘110最近的一部分上。可选地，可相对于引线112的在线结合部位118与外围环114之间延伸的部分的区域，在线结合部位118处局部扩大引线112。

参考图2-图3，示出了根据一个实施例的用于在第一单元引线框架106的封装体轮廓区域116内选择性地形成增粘剂镀覆材料120的过程。图2A中示出引线框架条100的顶侧102，图2B中示出引线框架条100的底侧104。所述过程是单道次的过程，其中，增粘剂镀覆材料120被直接施加至引线框架的预选的部分。根据此方法，在第一单元引线框架106之上提供掩蔽物122。所述掩蔽物122包括一个或一个以上的开口124，所述开口124至少部分暴露第一单元引线框架106的位于封装体轮廓区域116内的预选区域。掩蔽物122覆盖优选没有(即不覆盖有)增粘剂镀覆材料120的预选区域。图2A中的掩蔽物122的几何形状仅代表一个示例，通常可使用任何技术上可行的掩蔽物几何形状来限定引线框架条100的应该包含或应该没有增粘剂镀覆材料120的预选区域。

参考图3，增粘剂镀覆材料120已经选择性地形成在引线框架条100上。图3A中示出引线框架条100的顶侧102，图3B中示出引线框架条100的底侧104。引线框架条100的暴露部分被镀有增粘剂镀覆材料120，掩蔽物122名义上防止增粘剂镀覆材料120形成于任何被覆盖的区域中。

增粘剂镀覆材料120通常可以是增强电绝缘封装材料(例如热固性塑料)与设置在引线框架的表面上的导电材料(例如铜、铝、银等等)之间的结合的任何材料。根据一个实施例，增粘剂镀覆材料120是锌基化合物。例如，增粘剂镀覆材料120可以是锌和铬的合金(例如ZnCr)。用于增粘剂镀覆材料120的其他合适的锌基合金包括ZnMo或ZnV。根据一个实施例，增粘剂镀覆材料120通过电解镀覆工艺形成，其中，引线框架条100浸没在电解流体中并且在施加的电流下作为阳极。在此实施例中，掩蔽物122防止被覆盖的区域被镀有增粘剂镀覆材料120。

参考图4，示出了去除掩蔽物122之后引线框架条100的顶侧102。在图中，引线112的内部部分的过渡区域126被圈上。这些过渡区域126相应于增粘剂镀覆材料120与线结合部位118之间的交界处的区域或靠近该交界的区域。在没有进一步措施的情况下，增粘剂镀覆材料120可能偏斜而太靠近芯片焊盘110，以致于侵入过渡区126中的线结合部位118。就是说，过渡区126代表着应该是优选没有增粘剂镀覆材料120的区域，但是在一些情况下并非如此。许多难以或不可能控制的变量导致了这个问题。例如，掩蔽物122的最小开口尺寸可能使得增粘剂镀覆材料120延伸太远而至线结合部位118中。工艺变化也导致这种结果。另外，尽管在适当尺寸的并且对齐的掩蔽物122的情况下，在镀覆过程之后一些增粘剂镀覆材料还是可能漏入线结合部位118中。因为增粘剂镀覆材料120不导电，因此如果过渡区域126中存在太多的增粘剂镀覆材料120，可能难以或不可能在线结合部位118处形成线结合。

在此公开了多种处理步骤以减轻上述现象并且去除(或覆盖)在过渡区域126中形成的增粘剂镀覆材料120。根据这些实施例，处理第一单元引线框架106中的线结合部位118，使得在选择性地镀覆增粘剂镀覆材料120之后，线结合部位118基本上没有增粘剂镀覆材料120。就是说，线结合部位118被处理，以防止增粘剂镀覆材料120向芯片焊盘110侵入太远而制造出线结合失败的不可接受的高风险。可在选择性镀覆增粘剂镀覆材料120之前、在选择性镀覆增粘剂镀覆材料120之后或在选择性镀覆增粘剂镀覆材料120之前以及之后在引线框架条100上执行这些处理步骤。另外，可将任意处理步骤互相组合起来。在此使用的术语“基本上没有”意味着，尽管在线结合部位118上可能存在微量的增粘剂镀覆材料120，但是增粘剂镀覆材料120的量仍然在最大阈值以下而能确保在线结合部位118处可实现导电连接(例如利用线结合)。

参考图5，示出了在如参考图2-图4描述的选择性镀覆增粘剂镀覆材料120之后引线框架条100的顶侧102。在此实施例中，在如参考图2-图3描述的选择性镀覆增粘剂镀覆材料120之前或之后，引线框架条100已经经受化学处理工艺。其结果是，过渡区域126基本上没有增粘剂镀覆材料120。

根据一个实施例，在用增粘剂镀覆材料120选择性地镀覆第一单元引线框架106之前，施加化学处理工艺于第一单元引线框架106。例如，引线框架条100可浸泡在化学反应溶液中。适用此过程的示例性化学反应溶液包括抗浸渍或抗锈蚀的化学抑制剂，例如：基于有机硫酸的，例如2-硫代巴比妥酸；三唑衍生物，例如苯并三唑以及咪唑等等。替代地，可使用基于硅烷的溶液，如巯基硅烷、硅酸钠、三聚磷酸盐等等。这种化学处理工艺防止增粘剂镀覆材料120在引线112的内部部分的所选部分(例如线结合部位118)上形成。因此，在参考图4描述的选择性施加增粘剂镀覆材料120期间，增粘剂镀覆材料120不会侵入线结合部位118。

根据另一个实施例，在选择性地镀覆增粘剂镀覆材料120之后，去除增粘剂镀覆材料120在镀覆过程期间形成在线结合部位118上的部分。这种去除增粘剂镀覆可例如通过化学反应过程来实现。例如，可将诸如氢氧化钾、乙酸铵、乳酸钾和丙酮的化学清洁溶液施加于线结合部位118。此过程可以是选择性的或非选择性的，可以是电解的或非电解的过程。例如，在选择性的清洁过程中，可使用掩蔽物仅去除预选的区域(例如线结合部位118或线结合部位118的一部分)上的增粘剂镀覆材料120。替代地，在非选择性的清洁过程中，可将化学清洁溶液以预定的持续时间暴露给整个引线框架条100来去除一些增粘剂镀覆材料120。

参考图6，示出了在参考图2-图4描述的选择性镀覆增粘剂镀覆材料120之后引线框架条100的顶侧102。在此实施例中，引线框架条100已经经受对包含线结合部位118的泄露区域127的选择性激光清洁。此选择性激光清洁是在如参照图2-图4描述的选择性镀覆增粘剂镀覆材料120之后执行的。多种激光参数是可行的。所述选择性激光清洁可能会稍微减小增粘剂镀覆材料120之下的材料(例如银)的厚度，使得增粘剂镀覆材料120可被完全去除。例如，可通过激光机器编程来执行不期望的镀覆的去除。激光清洁可施加在不同的金属表面(Cu、Ag、Ni、预镀覆叠层等等)上。

参考图7，示出了如参考图2-图4描述的选择性镀覆增粘剂镀覆材料120之后，引线框架条100的顶侧102。在此实施例中，引线框架条100已经经受镀覆过程，其中，存在于线结合部位118中的任何增粘剂镀覆材料120都被覆盖(例如镀覆)有线可结合层128。所述线可结合层128通常可以是适于在其上形成线结合的任何导电材料。根据一个实施例，线可结合层128是由银(Ag)构成的层。替代地，线可结合层128可由钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、铜(Cu)及它们的合金形成。

根据一个实施例，线可结合层128通过所谓的点镀技术形成。根据此技术，线可结合材料(例如银)被直接施加至第一单元引线框架106的预选的位置处。如可看出的，预选的位置在封装体轮廓区域116内并且包含芯片焊盘110和引线112的线结合部分。在引线112的线结合部分上或靠近引线112的线结合部分形成的任何增粘剂都被线可结合层128覆盖。然而，点镀被限制在一个窗口内，使得其不在封装体轮廓附近或外围环114附近形成。因此，在这些区域中，增粘剂镀覆材料120仍然暴露着并且将粘附其上形成的封装材料。可在施加增粘剂镀覆材料120之前和之后形成线可结合层128。例如，线可结合层128可首先在参考图2-图3描述的处理步骤之前形成在引线框架条100上。之后，可施加再镀覆过程以形成另一线可结合层128。

参考图8，示出了在如参考图2-图4描述的选择性镀覆增粘剂镀覆材料120之前引线框架条100的顶侧102。根据图8中示出的技术，使用孔封阻剂化学技术，包括双酚、醚类化学、苯并噻唑等使整个引线框架条100被涂覆有抗腐蚀涂层129。所述抗腐蚀涂层129在包括线结合部位118的整个顶侧102上以及底侧104(图8中未示出)上形成疏水层。抗腐蚀涂层129可被用来抑制在包括线结合部位118和过渡区域126的任何期望的区域中形成增粘剂镀覆材料120。增粘剂镀覆材料120不可通过浸没或低电流被沉积在这些位置处。然而，增粘剂镀覆材料120可被选择性地施加至其优选存在的其他区域中(例如外围环114)。抗腐蚀涂层129可在如参考图2-图4描述的选择性镀覆增粘剂镀覆材料120之前施加，并且由于抗腐蚀涂层129的最小厚度，可在线结合期间保持在线结合部位118上而不干扰线结合。

参考图9，示出了在如参考图2-图3描述的选择性镀覆增粘剂镀覆材料120之前，引线框架条100的顶侧102。根据此技术，在图2的掩蔽步骤之前执行附加的掩蔽步骤，以在线结合部位118之上提供附加的覆盖并且防止增粘剂镀覆材料120在这些区域中形成。所述附加的掩蔽步骤可包括施加预粘胶带方法，其中，将胶带131施加至引线框架条100。所述胶带131可以是用于引线固定的任何常用的胶带，诸如聚乙烯(PE)或聚酯(PET)胶带。

参考图10，示出了被不同配置的引线框架条100。图10A中示出引线框架条100的顶侧102(即芯片附接侧)。图10B示出沿图10A中示出的剖线A-A’的引线框架条100。在此实施例中，在将第一单元引线框架106单个化之前，引线框架条100被配置成预模制有封装体轮廓结构。

所述引线框架条100可如参照图1-图9所描述的引线框架条100那样包括相同材料并且可根据相同技术形成。所述引线框架条100至少以以下方式被配置成不同于图1-图9中的引线框架条100。首先，图10的引线框架条100中没有芯片焊盘110。相反，单元引线框架106中的每一个均具有中央开口130。单元引线框架106附加地包括远离中央开口130延伸的多个引线112。这种配置可被用于传感器封装体结构，其中，传感器器件被放置在中央开口130之上。中央开口130可提供至封装体的外部的通路，以使传感器器件可测量外部环境参数。

参考图10B的侧剖视图，可以看出，引线框架条100可具有弯曲的引线配置。更具体地，在引线112的第一部分中提供了升高部分132。就是说，引线112不是沿单一平面延伸。而是，引线112包括垂直弯曲部和在引线112的外部部分上方的升高部分132。与引线112的外部部分相比，所述升高部分132距离中央开口130更近。另外，引线112可在引线112的与中央开口130相邻的内部部分处向下弯曲。

参考图11，增粘剂镀覆材料120被选择性地施加在第一单元引线框架106的封装体轮廓区域116内。图11A中示出了引线框架条100的顶侧102(即芯片附接侧)。图11B示出沿图11A中示出的剖线A-A’的引线框架条100。增粘剂镀覆材料120可以以与参考图2-图4描述的选择性镀覆过程基本类似或相同的过程形成在图11的引线框架条上。例如，可通过在第一单元引线框架106之上提供掩蔽物122并且在掩蔽物122的开口中形成增粘剂镀覆材料120(例如通过电镀)来选择性地镀覆增粘剂镀覆材料120。根据一个实施例，增粘剂镀覆材料120选择性地形成在引线112的第一部分上，如图11B中示出的，所述第一部分包括升高部分132。

参考图12，腔状封装体轮廓134已经粘附至引线框架条100。所述腔状封装体轮廓134可以是例如使用环氧树脂粘附至引线框架条100的预模制结构。替代地，腔状封装体轮廓134可被直接模制在引线框架条100上。腔状封装体轮廓134形成在引线112的第一部分上，使得中央开口130被由密封材料的外侧壁形成的腔体136封住。就是说，腔状封装体轮廓134的外侧壁封住并且围绕中央开口130。腔状封装体轮廓134的外侧壁可在引线112的升高部分132上形成。在引线框架与电绝缘密封材料之间的交界处提供有增粘剂镀覆材料120。

可在模制腔状封装体轮廓134之后处理第一单元引线框架106，以防止增粘剂镀覆材料120干扰第一单元引线框架106与组装在腔体136内的器件(例如传感器元件)之间的电连接。例如，可用与参考图5描述的类似的方式在选择性镀覆过程之前或之后对引线框架条100进行化学处理。然而，也可以省略这些步骤。因为在处理引线框架条100期间电绝缘密封剂形成在引线框架条100上，因此可在这之后处理引线框架条100，以消除引线112上的增粘剂镀覆材料120的潜在不利影响。

根据一个实施例，在腔状封装体轮廓134已经被模制在引线框架条100上之后，第一单元引线框架106被镀有线可结合层128。所述线可结合层128可以是由银(Ag)构成的层，并且可根据前面参考图6描述的相同技术形成。因此，引线112上的任何增粘剂镀覆材料120都不会干扰第一单元引线框架106与组装在腔体136内的器件之间的电连接。

图1-图12示出第一单元引线框架106的两个可行的实施例。然而，第一单元引线框架106的配置可根据所期望的完成的封装体设计的配置而进行变化。例如，可变化引线112的数量和尺寸以及芯片焊盘110的大小。第一单元引线框架106可沿单一平面形成或可沿一个以上的平面形成。例如，第一单元引线框架106可从外围环114处垂直偏移。另外，引线112可具有一处或一处以上的弯曲部或以其他方式包括非平面的几何形状。在任何情况下，本文描述的选择性的镀覆增粘剂镀覆材料过程以及线结合部位处理技术可应用于这些构造中的任何一种。

相比于需要二个道次的处理的传统技术(例如，非选择性增粘剂步骤之后进行选择性蚀刻增粘剂)，单道次处理提供了诸多优点。一个主要的优点是成本的降低。成本的降低至少部分是归因于去除了至少一个掩蔽物(即选择性蚀刻增粘剂所需的掩蔽物)。另外，由于处理的简化，因此减轻了与传统技术相关的框架对齐和处置问题。因此，可提高成品率。

与传统技术相比，单道次处理的另一优点是不需要减小导电引线框架材料的厚度。传统处理需要过度蚀刻增粘剂以去除增粘剂之下的材料。需要这样做来确保增粘剂被完全从线可结合层去除。导电引线框架材料的厚度减小可导致许多有害的影响。例如，可出现铸模痕，并且由于引线框架的非平面性，封装体单个化可能会更困难。因为增粘剂仅施加在其被需要的区域中，因此使用本文描述的技术不需要减小厚度。

本文描述的直接的选择性增粘剂镀覆过程的另一个优点是提高直接的选择性增粘剂镀覆材料的搁置寿命。根据传统技术，封装体模制过程应该在增粘剂镀覆过程之后的两周之内进行。根据本文描述的直接的选择性增粘剂镀覆过程，可在施加增粘剂镀覆材料长达12个月之后对引线框架进行模制。因此，本文描述的直接的选择性增粘剂镀覆过程提供了预制、运输和交付方面的灵活性。

诸如“之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”等等的空间相对术语为便于描述而使用，以解释一个元件相对于第二个元件的位置。这些术语旨在涵盖除图中所示出的各种取向之外的器件的不同取向。另外，诸如“第一”、“第二”等等的术语也被用于描述各种元件、区域、部分等等，也不表示限制的作用。在整个说明书中相似的术语表示相似的元件。

如本文所使用的，术语“具有”、“包含”、“包括”、“含有”等等是表示所陈述的元件或特征存在性的开放性术语，并不排除其他的元件或特征。除非文章明确表示，否则术语“一”、“一个”和“所述”旨在于包括复数以及单数。

考虑到上述变化和应用的范围，应该理解的是本发明不受限于上文描述，也不受限于附图。相反，本发明仅由下文权利要求及其法律上的等同方案限定。