1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括栅极层、栅极绝缘层、有源层以及源极和漏极，其中：
所述栅极绝缘层位于所述栅极层与所述有源层之间；
所述源极和漏极位于所述栅极绝缘层背离所述栅极层的一侧，且相对设置；
所述栅极层具有凹槽，所述有源层在衬底基板上的投影至少覆盖所述凹槽在衬底基板上的投影。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层位于源极和漏极之间的部分在衬底基板上的投影位于所述栅极层的凹槽在衬底基板的上投影内。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层位于源极和漏极之间的部分的厚度与栅极绝缘层的厚度之和不大于所述栅极层的凹槽的深度。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极层具有多个凹槽。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极层包括层叠设置的第一导电膜层和第二导电膜层，所述第一导电膜层形成所述凹槽的底层，所述第二导电膜层形成所述凹槽的侧壁。
6.如权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一导电膜层的材质为氧化铟锡，所述第二导电膜层的材质为金属，或者所述第一导电膜层与第二导电膜层材质相同且均为金属。
7.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板以及位于衬底基板之上的如权利要求1～6任一项所述的薄膜晶体管。
8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求7所述的阵列基板。
9.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底基板之上形成栅极层，所述栅极层具有凹槽；
在所述栅极层的上方形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层的上方形成有源层；其中，所述有源层在衬底基板上的投影至少覆盖栅极层的凹槽在衬底基板上的投影；
在所述有源层的上方形成相对设置的源极和漏极。
10.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底基板之上形成栅极层，所述栅极层具有凹槽，具体包括：
在衬底基板上通过一次半色调掩模构图工艺形成具有凹槽的栅极层，所述栅极层包括层叠设置的第一导电膜层和第二导电膜层；
所述在衬底基板上通过一次半色调掩模构图工艺形成具有凹槽的栅极层，具体包括：
在衬底基板上依次形成第一导电薄膜和第二导电薄膜；
在第二导电薄膜上涂覆一层正性光刻胶；
使用具有全透光区、半透光区和遮光区结构的掩模板对基板进行曝光，其中，遮光区与基板上预形成具有凹槽的栅极层的区域位置相对，半透光区与基板上预形成第一导电膜层的区域位置相对；
对曝光后的基板进行显影处理；
对显影处理后的基板进行刻蚀和灰化处理。