1.一种多阱结构量子点，其特征在于，包括量子点核、依次循环生长在所述量子点核外的第一量子点壳及第二量子点壳，所述第一量子点壳和第二量子点壳的总层数为预定层数，所述量子点核、第一量子点壳和第二量子点壳内均含有金属离子。
2.根据权利要求1所述的多阱结构量子点，其特征在于，所述量子点核为金属掺杂的II-VI族、IV-VI族、III-V族、I-III-VI族或合金量子点。
3.根据权利要求2所述的多阱结构量子点，其特征在于，所述量子点核为金属掺杂II-VI族的Cu:CdS、Cu:CdTe、Cu:CdSe、Cu:ZnSe、Cu:ZnTe、Mn:CdS、Mn:CdTe、Mn:CdSe、Mn:ZnSe、Mn:ZnTe、In:CdS、In:CdTe、In:CdSe、In:ZnSe或In:ZnTe；或者金属掺杂IV-VI族的Cu:PbS、Cu:PbSe、Cu:PbSeS、Mn:PbS、Mn:PbSe或Mn:PbSeS，或者金属掺杂III-V族的Cu:InP、Cu:GaP、Mn:InP或Mn:GaP；或者金属掺杂I-III-VI族的Mn:CuInS或Mn:CuGaS；或者金属掺杂合金量子点Cu:ZnXCd1-XS、Cu:ZnXCd1-XSe、Cu:ZnXCd1-XTe、Cu:CdSeXTe1-X，Mn:ZnXCd1-XS、Mn:ZnXCd1-XSe、Mn:ZnXCd1-XTe、Mn:CdSeXTe1-X，Mn:CuInXS1-X、Mn:CuInXSe1-X、Mn:PbSeXS1-X中的任意一种。
4.根据权利要求1所述的多阱结构量子点，其特征在于，所述第一量子点壳和第二量子点壳均选自Cu:CdS、Cu:CdSe、Cu:CdTe、Cu:PbS、Cu:PbSe、Cu:ZnS、Cu:ZnSe、Cu:ZnTe、Cu:CdTe、Cu:ZnxCd1-xS、Cu:ZnxCd1-xSe、Cu:PbSSe、Mn:CdSe、Mn:CdTe、Mn:PbS、Mn:PbSe、Mn:ZnS、Mn:ZnSe、Mn:ZnTe、Mn:CdTe、Mn:ZnxCd1-xS、Mn:ZnxCd1-xSe、Mn:PbSSe中的任意一种。
5.根据权利要求1所述的多阱结构量子点，其特征在于，所述第一量子点壳的带隙小于第二量子点壳和量子点核的带隙。
6.根据权利要求1所述的多阱结构量子点，其特征在于，所述预定层数为6层。
7.根据权利要求1所述的多阱结构量子点，其特征在于，所述量子点核与每一层的第二量子点壳的带隙均相同，每一层的第一量子点壳的带隙均相同。
8.一种多阱结构量子点的制备方法，其特征在于，包括：
步骤A、生长一层含有金属离子的量子点核；
步骤B、在量子点核外依次循环生长含有金属离子的第一量子点壳外含有金属离子的第二量子点壳，直至生长至预定层数的壳。
9.一种QLED，其特征在于，从下至上依次包括：基板、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，其中，所述量子点发光层的材料为如权利要求1～7任一项所述的多阱结构量子点。
10.一种QLED的制备方法，其特征在于，包括步骤：
步骤A’、在基板表面沉积一层空穴传输层；
步骤B’、在空穴传输层表面沉积量子点发光层，所述量子点发光层的材料为如权利要求1～7任一项所述的多阱结构量子点；
步骤C’、在量子点发光层表面依次沉积电子传输层和电子注入层；
步骤D’、在沉积完各功能层的基板上制作阴极。